2．Vds對溝道導電才能的控制
當Vgs＞Vgs（th），且固定為某一值時，來剖析漏源電壓Vds對漏極電流ID的影響。Vds的不同變化對溝道的影響如圖所示。
依據此圖能夠有如下關系：
VDS=VDG＋VGS=—VGD＋VGSVGD=VGS—VDS
當VDS為0或較小時，相當VGD＞VGS（th），溝道呈斜線散布。在緊靠漏極處，溝道到達開啟的水平以上，漏源之間有電流經過。
當VDS增加到使VGD=VGS（th）時，相當于VDS增加使漏極處溝道縮減到剛剛開啟的狀況，稱為預夾斷，此時的漏極電流ID根本飽和。
當VDS增加到VGD
當VGS＞VGS（th），且固定為某一值時，VDS對ID的影響，即iD=f（vDS）|VGS=const這一關系曲線如圖02.16所示。
場效應管發熱嚴重的原因
1、電路設計的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態，而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤；
2、頻率太高，主要是有時過分追求體積，導致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發熱也加大了；
3、沒有做好足夠的散熱設計，電流太高，MOS管標稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于最大電流，也可能發熱嚴重，需要足夠的輔助散熱片；
4、MOS管的選型有誤，對功率判斷有誤，MOS管內阻沒有充分考慮，導致開關阻抗增大。