基于MEMS的LED芯片封裝主要包括兩個大的部分，第一個部分是加工帶有反射腔的硅基體;第二部分是LED芯片的貼片、引線等通用工藝。由于該封裝結(jié)構(gòu)的第二個部分和標(biāo)準(zhǔn)的LED封裝工藝相同，因此本文卡要詳細的介紹第一部分的主要工藝流程(如圖7)。
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首先準(zhǔn)備一片具有(100)晶向的硅片(a);通過熱氧化在硅的表面形成層二氧化硅;光刻二氧化硅，形成需要的開口尺寸和形狀(b);用KOH腐蝕硅基體形成需要的凹槽，通過腐蝕液的濃度和腐蝕時間控制槽的深度(c)：除占表面殘余的二氧化硅;對硅基進行背碰腐蝕，生成通孔(d);利用電鍍的方法在通孔內(nèi)沉積金屬導(dǎo)電材料(e);在硅的表面濺射會屬層作為反射面，光刻金屬表面和引線區(qū)，形成封裝電極(f)。接下來就可以進行LED的貼片等后續(xù)工藝。
3 結(jié)論
仿真結(jié)果顯示反射腔的深度越大，則反射效率越高，腔的開口越小，反射效率越高。文章最后給出該封裝結(jié)構(gòu)的工藝流程設(shè)汁。通過分析表明，基于MEMS工藝LED封裝技術(shù)可以降低器件的封裴尺寸，提高發(fā)光效率。