實際應用時，反向電壓不應超過數據手冊規定的最大值，否則將導致二極管反向被擊穿

　　當輸入發光二極管的光線足以使輸出場效應管導通時，輸出回路即產生回路電流，通常稱之為連續負載電流IO，而把場效應管導通時的體電阻稱為輸出電阻RON（On resistance）

　　當輸出場效應管截止時，電池的電壓將全部加在場效應管的兩端，這時允許的最大電壓稱為負載電壓VOFF，實際應用時不應超過最大值，否則場效應管可能會被擊穿。

　　實際場效應管在截止時呈現的電阻不會是無窮大的，因此也會在輸出回路產生一定的泄露電流ILEAK（Off state leakage current）

　　既然是繼電器，不可避免涉及到觸點結構，與電磁繼電器一樣，光耦繼電器

　　繼電器的觸點結構通常有3種，即

　　◆ 常開觸點（normally open）：Form A或NO（中國代號：H）

　　◆ 常閉觸點（normally closed）：Form B或NC（中國代號：D）

　　◆ 轉換型觸點（changeover）：Form C或CO（中國代號：Z），這個觸點結構可以理解為單刀雙擲開關SPDT（Single-Pole Double-Throw）

　　相應的符號如下圖所示：

　　實際的繼電器可能封裝了一個或多個通道，因此相應的觸點類型也有很多，比如1a（1開）、1b（1閉）、1c、1a1b（1開1閉）等等，都是由上述3種觸點結構組合起來的

　　從上圖可以看出，Form C可以看成是一個Form A與Form B的組合（一個單刀雙擲開關總是與一側相接觸，同時與另一側斷開），用光耦繼電器來組合則如下圖所示：

　　此時輸入電阻R的值，應如由下式決定：

　　即輸入回路包含兩個串聯的發光二極管的正向壓降。