繼電器怎么切換電路
雙電源切換應(yīng)用也非常廣，首先我們簡(jiǎn)單看一下怎么用繼電器，接觸器實(shí)現(xiàn)自動(dòng)切換。
兩個(gè)接觸器實(shí)現(xiàn)切換
備用電源的線圈走主接觸器的常閉點(diǎn)，主電源接觸器吸合主電路導(dǎo)通。主電源斷電，備用電源通過(guò)主接觸器的常閉點(diǎn)導(dǎo)通。如果主電源恢復(fù)正常，備用電源斷開(kāi)。
當(dāng)然你也可以用接觸器互鎖來(lái)實(shí)現(xiàn)，就是麻煩一點(diǎn)，而且主電源和備用電源同時(shí)有電時(shí)怎么辦？所以還要接成順序工作的那種，沒(méi)必要那么麻煩，方法不唯一。
一個(gè)繼電器兩個(gè)接觸器
主電源的接觸器線圈走繼電器的常開(kāi)觸點(diǎn)，備用電源的接觸器線圈走繼電器的常閉觸點(diǎn)。
主線路有電的時(shí)候，繼電器吸合，常開(kāi)觸點(diǎn)閉合，主線路導(dǎo)通。常閉觸點(diǎn)斷開(kāi)，備用電源不工作。當(dāng)主線路斷電的時(shí)候，繼電器也斷電。常開(kāi)觸點(diǎn)恢復(fù)初始斷開(kāi)狀態(tài)，主線路斷開(kāi)。備用電路的接觸器通過(guò)繼電器的常閉觸點(diǎn)開(kāi)始工作。
下面為大家介紹了幾款關(guān)于繼電器的切換電路圖解。
一、繼電器控制電路轉(zhuǎn)換為PLC梯形圖法
繼電器接觸器控制系統(tǒng)經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期的使用，已有一套能完成系統(tǒng)要求的控制功能并經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的控制電路圖，而PLC控制的梯形圖和繼電器接觸器控制電路圖很相似，因此可以直接將經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的繼電器接觸器控制電路圖轉(zhuǎn)換成梯形圖。主要步驟如下：
（1）熟悉現(xiàn)有的繼電器控制線路。
（2）對(duì)照PLC的I/O端子接線圖，將繼電器電路圖上的被控器件（如接觸器線圈、指示燈、電磁閥等）換成接線圖上對(duì)應(yīng)的輸出點(diǎn)的編號(hào)，將電路圖上的輸入裝置（如傳感器、按鈕開(kāi)關(guān)、行程開(kāi)關(guān)等）觸點(diǎn)都換成對(duì)應(yīng)的輸入點(diǎn)的編號(hào)。
（3）將繼電器電路圖中的中間繼電器、定時(shí)器，用PLC的輔助繼電器、定時(shí)器來(lái)代替。
（4）畫(huà)出全部梯形圖，并予以簡(jiǎn)化和修改。
這種方法對(duì)簡(jiǎn)單的控制系統(tǒng)是可行的，比較方便，但較復(fù)雜的控制電路，就不適用了。
【例1】圖1為電動(dòng)機(jī)Y/△減壓起動(dòng)控制主電路和電氣控制的原理圖。
（1）工作原理如下：按下啟動(dòng)按鈕SB2，KM1、KM3、KT通電并自保，電動(dòng)機(jī)接成Y型起動(dòng)，2s后，KT動(dòng)作，使KM3斷電，KM2通電吸合，電動(dòng)機(jī)接成△型運(yùn)行。按下停止按扭SB1，電動(dòng)機(jī)停止運(yùn)行。
圖1 ? 電動(dòng)機(jī)Y/△減壓起動(dòng)控制主電路和電氣控制的原理圖
（2）I/O分配
輸入輸出
停止按鈕SB1：I0.0KM1：Q0.0KM2：Q0.1
起動(dòng)按鈕SB2：I0.1KM3：Q0.2
過(guò)載保護(hù)FR：I0.2
（3）梯形圖程序
轉(zhuǎn)換后的梯形圖程序如圖2所示。按照梯形圖語(yǔ)言中的語(yǔ)法規(guī)定簡(jiǎn)化和修改梯形圖。為了簡(jiǎn)化電路，當(dāng)多個(gè)線圈都受某一串并聯(lián)電路控制時(shí)，可在梯形圖中設(shè)置該電路控制的存儲(chǔ)器的位，如M0.0。簡(jiǎn)化后的程序如圖3所示。
圖2 ?例1梯形圖程序
圖3 ?例1簡(jiǎn)化后的梯形圖程序
二、555繼電器切換電路圖
555定時(shí)器電路進(jìn)行切換時(shí)，按下一個(gè)按鈕繼電器。引腳2和6，門(mén)檻和觸發(fā)輸入，持有1/2的電源電壓由兩個(gè)10K的電阻。當(dāng)輸出為高，通過(guò)100K的電阻電容充電，而放電時(shí)，輸出為低。當(dāng)按鈕按下時(shí)，電容電壓施加到引腳2和6這將導(dǎo)致輸出切換到相反的狀態(tài)。當(dāng)按鈕被釋放時(shí)，電容會(huì)充電或放電到輸出端（引腳3）新的水平。
三、MOSFET繼電器切換電路圖解
MOSFET多為功率場(chǎng)效應(yīng)管。是晶體管的一種。能以極低的（幾乎為零）的電能控制大功率負(fù)荷的通斷，接合光電耦合器和適當(dāng)?shù)腗OSFET組合可達(dá)到隔離、雙向?qū)ǖ目刂菩Ч刃в诶^電器，在開(kāi)關(guān)速度以及耐壓、抗震方面高于電磁繼電器指標(biāo)。同等負(fù)載功率下，成本也遠(yuǎn)低于繼電器。缺點(diǎn)是比電磁繼電器容易隨壞，需要更多的保護(hù)電路來(lái)配合使用才能提高穩(wěn)定性。另外，電磁繼電器可輕而易舉達(dá)到多組觸點(diǎn)隔離聯(lián)動(dòng)、常開(kāi)常閉功能，一只（或一對(duì)）MOSFET只能實(shí)現(xiàn)一個(gè)觸點(diǎn)，要想實(shí)現(xiàn)多組以及三點(diǎn)開(kāi)關(guān)（常開(kāi)常閉）這些功能。
