據報道，北方華創(chuàng)微電子研發(fā)的首臺12英寸原子層沉積ALD設備成功進駐了上海集成電路研發(fā)中心有限公司。以參與公開競標方式為集成電路芯片生產線再添助力。

　　近日，由北方華創(chuàng)下屬子公司北方華創(chuàng)微電子自主研發(fā)的國內首臺12英寸原子層沉積（AtomicLayerDeposition，ALD）設備進駐上海集成電路研發(fā)中心。北方華創(chuàng)微電子為國產高端裝備在先進集成電路芯片生產線的應用再添新秀。

　　ALD設備是先進集成電路制造工藝中必不可少的薄膜沉積設備，ALD工藝具有工藝溫度低、薄膜厚度控制精確及臺階覆蓋率高等優(yōu)點。在集成電路特征線寬發(fā)展到28納米節(jié)點后，ALD工藝應用日益廣泛。北方華創(chuàng)微電子自2014年開始布局ALD設備的開發(fā)計劃，歷時四年，成功推出中國首臺應用于集成電路領域的量產型單片ALD設備——PolarisA630，應用于沉積集成電路器件中的高介電常數和金屬柵極薄膜材料，設備的核心技術指標達到國際先進水平。

　　此次，北方華創(chuàng)微電子PolarisA630 ALD設備以參與公開競標方式，成功進駐上海集成電路研發(fā)中心有限公司，同時中標的產品還有北方華創(chuàng)微電子集成電路AlPad工藝的eVictorA1030物理氣相沉積系統(tǒng)。至此，北方華創(chuàng)微電子已有硅刻蝕機、單片退火設備、HardmaskPVD、AlPadPVD、單片清洗機、立式爐、ALD等集成電路設備應用于28-14納米工藝制程，擴展了國產高端裝備在集成電路先進制程的配套應用范圍。