RCD吸收電路的影響和設(shè)計方法（定性分析）

這回主要介紹RCD電路的影響。


先分析過程：

對應(yīng)電路模型：


我們可以定性的分析一下電路參數(shù)的選擇對電路的暫態(tài)響應(yīng)的影響：
1.RCD電容C偏大
電容端電壓上升很慢，因此導致mos 管電壓上升較慢，導致mos管關(guān)斷至次級導通的間隔時間過長，變壓器能量傳遞過程較慢，相當一部分初級勵磁電感能量消耗在RC電路上 。
波形分析為：

2.RCD電容C特別大（導致電壓無法上升至次級反射電壓）
電容電壓很小，電壓峰值小于次級的反射電壓，因此次級不能導通，導致初級能量全部消耗在RCD電路中的電阻上，因此次級電壓下降后達成新的平衡，理論計算無效了，輸出電壓降低。

3.RCD電阻電容乘積R×C偏小
電壓上沖后，電容上儲存的能量很小，因此電壓很快下降至次級反射電壓，電阻將消耗初級勵磁電感能量，直至mos管開通后，電阻才緩慢釋放電容能量，由于RC較小，因此可能出現(xiàn)震蕩，就像沒有加RCD電路一樣。

4.RCD電阻電容乘積R×C合理，C偏小
如果參數(shù)選擇合理，mos管開通前，電容上的電壓接近次級反射電壓，此時電容能量泄放完畢，缺點是此時電壓尖峰比較高，電容和mos管應(yīng)力都很大

5.RCD電阻電容乘積R×C合理，R，C都合適
在上面的情況下，加大電容，可以降低電壓峰值，調(diào)節(jié)電阻后，使mos管開通之前，電容始終在釋放能量，與上面的最大不同，還是在于讓電容始終存有一定的能量。

以上均為定性分析，實際計算還是單獨探討后整理，需要做仿真驗證。
明天把上面兩篇博文做一些仿真的分析，如果與上面的分析一致，則開始準備整理計算方法。