對于一位開關(guān)電源工程師來說,在一對或多對相互對立的條件面前做出選擇,那是常有的事。而我們今天討論的這個話題就是一對相互對立的條件。（即要限制主MOS管最大反峰,又要RCD吸收回路功耗最小）

　　在討論前我們先做幾個假設(shè)：

　　① 開關(guān)電源的工作頻率范圍:20~200KHZ;

　　② RCD中的二極管正向?qū)〞r間很短（一般為幾十納秒）;

　　③ 在調(diào)整RCD回路前主變壓器和MOS管,輸出線路的參數(shù)已經(jīng)完全確定。

　　有了以上幾個假設(shè)我們就可以先進(jìn)行計算：

　　一﹑首先對MOS管的VD進(jìn)行分段：

　　ⅰ ,輸入的直流電壓VDC;

　　ⅱ ,次級反射初級的VOR;

　　ⅲ ,主MOS管VD余量VDS;

　　ⅳ ,RCD吸收有效電壓VRCD1。

　　二﹑對于以上主MOS管VD的幾部分進(jìn)行計算：

　　ⅰ ,輸入的直流電壓VDC。

　　在計算VDC時,是依最高輸入電壓值為準(zhǔn)。如寬電壓應(yīng)選擇AC265V,即DC375V。

　　VDC＝VAC *√2

　　ⅱ ,次級反射初級的VOR。

　　VOR是依在次級輸出最高電壓,整流二極管壓降最大時計算的,如輸出電壓為：5.0V±5%（依Vo =5.25V計算）,二極管VF為0.525V（此值是在1N5822的資料中查找額定電流下VF值）．

　　VOR＝(VF　 Vo)*Np/Ns

　　ⅲ ,主MOS管VD的余量VDS．

　　VDS是依MOS管VD的10%為最小值．如KA05H0165R的VD=650應(yīng)選擇DC65V．

　　VDC＝VD* 10%

　　ⅳ ,RCD吸收VRCD．

　　MOS管的VD減去ⅰ ,ⅲ 三項就剩下VRCD的最大值。實際選取的VRCD應(yīng)為最大值的90%（這里主要是考慮到開關(guān)電源各個元件的分散性,溫度漂移和時間飄移等因素得影響）。

　　VRCD＝(VD-VDC -VDS)*90%

　　注意：① VRCD是計算出理論值,再通過實驗進(jìn)行調(diào)整,使得實際值與理論值相吻合．

　　② VRCD必須大于VOR的1.3倍．（如果小于1.3倍,則主MOS管的VD值選擇就太低了）

　　③ MOS管VD應(yīng)當(dāng)小于VDC的2倍．（如果大于2倍,則主MOS管的VD值就過大了）

　　④ 如果VRCD的實測值小于VOR的1.2倍,那么RCD吸收回路就影響電源效率。

　　⑤ VRCD是由VRCD1和VOR組成的

　　ⅴ,RC時間常數(shù)τ確定．

　　τ是依開關(guān)電源工作頻率而定的,一般選擇10~20個開關(guān)電源周期。

　　三﹑試驗調(diào)整VRCD值

　　首先假設(shè)一個RC參數(shù),R=100K/RJ15, C="10nF/1KV"。再上市電,應(yīng)遵循先低壓后高壓,再由輕載到重載的原則。在試驗時應(yīng)當(dāng)嚴(yán)密注視RC元件上的電壓值,務(wù)必使VRCD小于計算值。如發(fā)現(xiàn)到達(dá)計算值,就應(yīng)當(dāng)立即斷電,待將R值減小后,重復(fù)以上試驗。（RC元件上的電壓值是用示波器觀察的,示波器的地接到輸入電解電容“＋”極的RC一點上,測試點接到RC另一點上）。一個合適的RC值應(yīng)當(dāng)在最高輸入電壓,最重的電源負(fù)載下,VRCD的試驗值等于理論計算值。

　　四﹑試驗中值得注意的現(xiàn)象

　　輸入電網(wǎng)電壓越低VRCD就越高,負(fù)載越重VRCD也越高。那么在最低輸入電壓,重負(fù)載時VRCD的試驗值如果大于以上理論計算的VRCD值,是否和（三）的內(nèi)容相矛盾哪？一點都不矛盾,理論值是在最高輸入電壓時的計算結(jié)果,而現(xiàn)在是低輸入電壓。重負(fù)載是指開關(guān)電源可能達(dá)到的最大負(fù)載。主要是通過試驗測得開關(guān)電源的極限功率。

　　五﹑RCD吸收電路中R值的功率選擇

　　R的功率選擇是依實測VRCD的最大值,計算而得。實際選擇的功率應(yīng)大于計算功率的兩倍。

　　編后語：RCD吸收電路中的R值如果過小,就會降低開關(guān)電源的效率。然而,如果R值如果過大,MOS管就存在著被擊穿的危險。

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