處理瞬時脈沖對元件損害的最好辦法是將瞬時電流從感應元件引開。 TVS二極管在線路板上與被保護線路并聯，當瞬時電壓超過電路正常工作電壓后，TVS二極管便產生雪崩，提供給瞬時電流一個超低電阻通路，其結果是瞬時電流透過二極管被引開，避開被保護元件，并且在電壓恢復正常值之前使被保護回路一直保持截止電壓。當瞬時脈沖結束以后，TVS二極管自動回覆高阻狀態，整個回路進入正常電壓。許多元件在承受多次沖擊后，其參數及性能會產生退化，而只要工作在限定范圍內，二極管將不會產生損壞或退化。

　　從以上過程可以看出，在選擇TVS二極管時，必須注意以下幾個參數的選擇：

　　1. 最小擊穿電壓VBR和擊穿電流I R 。 VBR是TVS最小的擊穿電壓，在25℃時，低于這個電壓TVS是不會產生雪崩的。當TVS流過規定的1mA電流（IR ）時，加于TVS兩極的電壓為其最小擊穿電壓V BR 。按TVS的VBR與標準值的離散程度，可把VBR分為5％和10％兩種。對于5％的VBR來說，V WM =0.85VBR；對于10％的VBR來說，V WM =0.81VBR。為了滿足IEC61000-4-2國際標準，TVS二極管必須達到可以處理最小8kV（接觸）和15kV（空氣）的ESD沖擊，部份半導體廠商在自己的產品上使用了更高的抗沖擊標準。對于某些有特殊要求的可攜設備應用，設計者可以依需要挑選元件。

　　2.最大反向漏電流ID和額定反向切斷電壓VWM。 VWM是二極管在正常狀態時可承受的電壓，此電壓應大于或等于被保護電路的正常工作電壓，否則二極管會不斷截止回路電壓；但它又需要盡量與被保護回路的正常工作電壓接近，這樣才不會在TVS工作以前使整個回路面對過壓威脅。當這個額定反向切斷電壓VWM加于TVS的兩極間時它處于反向切斷狀態，流過它的電流應小于或等于其最大反向漏電流ID。

　　3.最大鉗位電壓VC和最大峰值脈沖電流I PP 。當持續時間為20ms的脈沖峰值電流IPP流過TVS時，在其兩端出現的最大峰值電壓為VC。 V C 、IPP反映了TVS的突波抑制能力。 VC與VBR之比稱為鉗位因子，一般在1.2~1.4之間。 VC是二極管在截止狀態提供的電壓，也就是在ESD沖擊狀態時通過TVS的電壓，它不能大于被保護回路的可承受極限電壓，否則元件面臨被損傷的危險。

　　4. Pppm額定脈沖功率，這是基于最大截止電壓和此時的峰值脈沖電流。對于手持設備，一般來說500W的TVS就足夠了。最大峰值脈沖功耗PM是TVS能承受的最大峰值脈沖功耗值。在特定的最大鉗位電壓下，功耗PM越大，其突波電流的承受能力越大。在特定的功耗PM下，鉗位電壓VC越低，其突波電流的承受能力越大。另外，峰值脈沖功耗還與脈沖波形、持續時間和環境溫度有關。而且，TVS所能承受的瞬態脈沖是不重覆的，元件規定的脈沖重覆頻率（持續時間與間歇時間之比）為0.01％。如果電路內出現重覆性脈沖，應考慮脈沖功率的累積，有可能損壞TVS。

　　5. 電容器量C。電容器量C是由TVS雪崩結截面決定的，是在特定的1MHz頻率下測得的。 C的大小與TVS的電流承受能力成正比，C太大將使訊號衰減。因此，C是數據介面電路選用TVS的重要參數。電容器對于數據/訊號頻率越高的回路，二極管的電容器對電路的干擾越大，形成噪音或衰減訊號強度，因此需要根據回路的特性來決定所選元件的電容器范圍。高頻回路一般選擇電容器應盡量小（如 LCTVS、低電容器TVS，電容器不大于3pF），而對電容器要求不高的回路電容器選擇可高于40pF。

　　瞬態電壓抑制二極管特性曲線：

圖1 單向TVS二極管特性曲線

圖2 雙向TVS二極管特性曲線
說明：

V_BR：崩潰電壓@I_T- TVS瞬間變為低阻抗的點

V_RWM：維持電壓-在此階段TVS為不導通之狀態
V_C：鉗制電壓@Ipp -鉗制電壓約略等于1.3*VBR VF：正向導通電壓@IF -正向壓降
I_R：逆向漏電流＠V_RWM?
I_T：崩潰電壓之測試電流
I_PP：突波峰值電流
I_F：正向導通電流