在電子電路中，去耦電容和旁路電容都是起到抗干擾的作用，電容所處的位置不同，稱呼就不一樣了。對(duì)于同一個(gè)電路來說，旁路電容是把輸入信號(hào)中的高頻噪聲作為濾除對(duì)象，把前級(jí)攜帶的高頻雜波濾除，而去耦電容也稱退耦電容，是把輸出信號(hào)的干擾作為濾除對(duì)象。
去耦電容用在放大電路中不需要交流的地方，用來消除自激，使放大器穩(wěn)定工作。從電路來說，總是存在驅(qū)動(dòng)的源和被驅(qū)動(dòng)的負(fù)載。如果負(fù)載電容比較大，驅(qū)動(dòng)電路要把電容充電，放電，才能完成信號(hào)的跳變，在上升沿比較陡峭的時(shí)候，電流比較大，這樣驅(qū)動(dòng)的電流就會(huì)吸收很大的電源電流，由于電路中的電感，電阻（特別是芯片管腳上的電感，會(huì)產(chǎn)生反彈），這種電流相對(duì)于正常情況來說實(shí)際上就是一種噪聲，會(huì)影響前級(jí)的正常工作。這就是耦合。
去耦電容就是起到了一個(gè)電池的作用，滿足驅(qū)動(dòng)電路電流的變化，避免相互間的耦合干擾。
去耦和旁路都可以看作濾波。去耦電容相當(dāng)于電池，避免由于電流的突變而使電壓下降，相當(dāng)于濾紋波。具體容值可以根據(jù)電流的大小，期望的紋波大小，作用時(shí)間的大小來計(jì)算。去耦電容一般都很大，對(duì)更高頻率的噪聲，基本無效。旁路電容就是針對(duì)高頻來的，也就是利用了電容的頻率阻抗特性。電容一般都可以看成是一個(gè)RLC串聯(lián)模型。在某個(gè)頻率，會(huì)發(fā)生諧振，此時(shí)電容的阻抗就等于其ESR。如果看電容的頻率阻抗曲線圖，就會(huì)發(fā)現(xiàn)一般都是一個(gè)V形的曲線。具體曲線與電容的介質(zhì)有關(guān)，所以選擇旁路電容還要考慮電容的介質(zhì)，一個(gè)比較保險(xiǎn)的方法就是多并幾個(gè)電容。
旁路電容定義?
可將混有高頻電流和低頻電流的交流信號(hào)中的高頻成分旁路掉的電容，稱做“旁路電容”。?
例如當(dāng)混有高頻和低頻的信號(hào)經(jīng)過放大器被放大時(shí)，要求通過某一級(jí)時(shí)只允許低頻信號(hào)輸入到下一級(jí)，而不需要高頻信號(hào)進(jìn)入，則在該級(jí)的輸出端加一個(gè)適當(dāng)大小的接地電容，使較高頻率的信號(hào)很容易通過此電容被旁路掉（這是因?yàn)殡娙輰?duì)高頻阻抗小），而低頻信號(hào)由于電容對(duì)它的阻抗較大而被輸送到下一級(jí)放大?
旁路是把前級(jí)或電源攜帶的高頻雜波或信號(hào)濾除；去藕是為保正輸出端的穩(wěn)定輸出（主要是針對(duì)器件的工作）而設(shè)的“小水塘”，在其他大電流工作時(shí)保證電源的波動(dòng)范圍不會(huì)影響該電路的工作；補(bǔ)充一點(diǎn)就是所謂的藕合：是在前后級(jí)間傳遞信號(hào)而不互相影響各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)的元件??
對(duì)于同一個(gè)電路來說，旁路（bypass）電容是把輸入信號(hào)中的高頻噪聲作為濾除對(duì)象，把前級(jí)攜帶的高頻雜波濾除，而去耦（decoupling，也稱退耦）電容是把輸出信號(hào)的干擾作為濾除對(duì)象。?
相關(guān)作用
去耦電容在集成電路電源和地之間的有兩個(gè)作用：一方面是本集成電路的蓄能電容，另外一方面旁路掉該器件的高頻噪聲。數(shù)字電路中典型的去耦電容值是0.1uf.這個(gè)電容的分布電感的典型值是5uh.0.1uh的去耦電容有5uh的分布電感，它的并行共振頻率大約在7MHZ左右，并行共振頻率在20MHZ以上，去除高頻噪聲的效果要好一些。每10片左右集成電路要加喲pain充放電電容或者一個(gè)蓄能電容，可選10uf左右。最好不用電解電容，電解電容是兩層薄膜卷起來的，這種卷起來的結(jié)構(gòu)在高頻時(shí)表現(xiàn)為電感。去耦電容的選用并不嚴(yán)格，大概10MHZ取0.1UUF，100MHZ取0.01UF。
去耦電容電路電源和地之間的有兩個(gè)作用?
一方面是集成電路的蓄能電容，另一方面旁路掉該器件的高頻噪聲。?
數(shù)字電路中典型的去耦電容值是0.1μF。這個(gè)電容的分布電感的典型值是5μH。0.1μF的去耦電容有5μH的分布電感，它的并行共振頻率大約在7MHz左右，也就是說，對(duì)于10MHz以下的噪聲有較好的去耦效果，對(duì)40MHz以上的噪聲幾乎不起作用。??????1μF、10μF的電容，并行共振頻率在20MHz以上，去除高頻噪聲的效果要好一些。每10片左右集成電路要加一片充放電電容，或1個(gè)蓄能電容，可選10μF左右。最好不用電解電容，電解電容是兩層薄膜卷起來的，這種卷起來的結(jié)構(gòu)在高頻時(shí)表現(xiàn)為電感。要使用鉭電容或聚碳酸酯電容。?
去耦電容在集成電路電源和地之間的有兩個(gè)作用：一方面是本集成電路的蓄能電容，另一方面旁路掉該器件的高頻噪聲。?
去耦電容的選用并不嚴(yán)格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。?旁路電容實(shí)際也是去耦合的，只是旁路電容一般是指高頻旁路，也就是給高頻的開關(guān)噪聲提高一條低阻抗泄防途徑。?
高頻旁路電容一般比較小，根據(jù)諧振頻率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合電容一般比較大，是10u或者更大，依據(jù)電路中分布參數(shù)，以及驅(qū)動(dòng)電流的變化大小來確定。?
濾波可以選用電解電容，旁路可以選用滌綸、紙介、陶瓷、電解等電容。