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2.3 缺陷的分布規(guī)律
在實(shí)驗(yàn)中拍攝到下面一組圖片
在硅片的邊緣觀察到了大量的缺陷，如圖8，在硅片的中心則觀察到少量的缺陷，如圖9，這反應(yīng)出了單晶硅缺陷分布的規(guī)律，即：中心缺陷的尺寸大，密度少;邊緣缺陷的尺寸小，密度大。
3 結(jié)論
應(yīng)用化學(xué)腐蝕硅片然后在金相顯微鏡下觀察，可以對硅片的缺陷做有效的觀察。為了得到清晰的圖象，選擇金相放大400倍最為合適。而化學(xué)腐蝕劑的選擇應(yīng)該根據(jù)不同的半導(dǎo)體材料及其晶體學(xué)屬性而定，其中Dash試劑對硅片各向都有良好的腐蝕效果，在簡單實(shí)驗(yàn)條件下對位錯仍然有良好的腐蝕放大效果。在實(shí)驗(yàn)過程中我們用常規(guī)的化學(xué)腐蝕法，顯示了單晶硅中的各種典型缺陷，驗(yàn)證了缺陷對雜質(zhì)的吸收作用，還發(fā)現(xiàn)了缺陷分布的規(guī)律性，即：中心缺陷的尺寸大，密度少;邊緣缺陷的尺寸小，密度大。