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01
Q：向大家請教一個ADS版圖的仿真的問題，這兩種情形仿出來不一樣是為啥呀？
A：放在一起EM仿真和單獨放不一樣？
Q：是的
A：如果距離很遠，查一下port，用direct模式，不要用TML，如果還是不一樣，查一下地，看看兩種情況的共地。
Q：好的好的，謝謝大佬? ，明天上班看看。
02
有關(guān)晶體管寄生容感去嵌入后Loadpull的討論
Q：請教各位大佬們一個問題，把晶體管漏極寄生電容和電感去嵌以后做負載牽引，功率圓中心在實電阻處，但是最大效率圓心不在這個位置，這個是為什么呢？
A：這個看你有沒有去嵌干凈，假設(shè)你去嵌干凈了，把輸入和輸出的所有諧波阻抗（到3次）都設(shè)成0，再看看。
Q：輸出諧波阻抗設(shè)置可以短路，但是源阻抗設(shè)成短路，好像HB仿真會報錯。只設(shè)置輸出諧波阻抗短路，但源阻抗諧波開路的話，兩個圓心比較接近。
A：換個問法，晶體管的最佳功率點和最佳效率點不同，是由管子漏極的寄生電容引起的嗎？
Q：對，就是這個問題。
A：我覺得你的這個做法可能不能驗證，管子內(nèi)部的這個寄生電容是非線性的，跟驅(qū)動功率有關(guān)系，你去嵌的做法是一個線性的操作。
A：不是，你想想，最大輸出功率的時候，你看的只是基波的功率，這個時候你沒管諧波，但是最大效率點，你是用基波功率除以總功耗，其中總功耗包含了DC+基波+諧波。
Q：如果去嵌的模型是飽和功率下提取的，那在這個驅(qū)動功率下負載牽引的應(yīng)該就可以吧，而且諧波阻抗都短路，目前是牽引出來的最佳功率阻抗與理論計算的Ropt差別比較小？
A：稍等，我最近在做一個項目，給你看看我去嵌的效果
我把輸入和輸出的頻率部分（就是電容和電感）全部去嵌掉了，上面的圖是我從100M掃描到8G的AMAM曲線。
可以看不管是功率還是增益，跟頻率沒有關(guān)系，這表示你的去嵌去的是正確的，就是把管子頻率部分去掉了。
Q：輸入和輸出的寄生去嵌之后，最佳功率點和最佳效率點是接近的嗎？
Q：那在實際設(shè)計中有什么想對有用的電路結(jié)構(gòu)可以消除掉管子的頻率部分嗎？
A：?看這個圖再加上我上面對于諧波部分的解釋你就知道是不是一樣了
Q：懂了，謝謝。
Q：再請教一下，這種非線性的電容，去嵌方法是什么？
A：去嵌的電路，比如GaN，可以找一篇管子建模的paper看看，里面有現(xiàn)成的電路結(jié)構(gòu)。對于非線性部分，這個其實就要分析和取舍，比如GaN PA，其非線性電容分為幾部分，分別是Cgs，Cgd，Cds，這部分可以分為兩部分提取，一是在冷管情況下提取，比如是C0，冷管提取有一個好處，就是可以避免管子自激。
剩下的就是非線性部分，就要在諧波仿真里面，將C0+X，將X作為一個掃描變量來掃描相關(guān)的參數(shù)，比如Cgs+X可以側(cè)重于小信號增益，Cds+X可以側(cè)重于輸出功率，等。
對于GaN而言，其X并非是一個持續(xù)變化的量，具體可以參考變?nèi)?a target="_blank">二極管的電容隨電壓變化曲線，有一個拐點，即突變點，突變點前后變化劇烈，而突變之后變化并不劇烈。當(dāng)然，有源部分的參數(shù)提取沒有準(zhǔn)確一說，因為影響因素太多了，功率越大的管子提取越費勁，可以研究一下。
Q：去嵌的目的是啥呢，方便后續(xù)設(shè)計嗎？
A：就是做寬帶的時候比較好選阻抗點，比如輸出阻抗，其變化的由兩部分，一是R，不同的R決定了不同的性能，二是頻率部分，電容和電感，頻率部分決定了不同頻率的阻抗，在做寬帶時不好用Loadpull選阻抗點，可以做參數(shù)提取，變化的是R，不變的是頻率部分，就比較好匹配。
Q：不好意思，lgen是指die的哪個位置？
A：Current Generator。
Q：不好意思有個疑問：去嵌的目的是為了寬帶時選擇阻抗點，但我理解，這個頻率部分其實是不消耗能量的，它只是周期性地吸收和釋放能量，所以我原本會覺得做寬帶匹配其實就是通過對匹配網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計讓匹配到的阻抗實部是Ropt，虛部在0附近就行的，如果我這樣理解沒什么問題的話，那好像也不需要去嵌？那去嵌是如何幫助選阻抗點的呢？
A：這個問題如果從頭來解釋比較長，一個小反問，你說的沒有錯，確實是去掉虛部留下實部，那咱怎么能知道我要去掉的虛部是多少，要留下的實部是多少呢？
Q：虛部有影響，從時域上看，虛部就是決定電壓波形和電流波形的相對相位。
A：我這還有一個疑問，我的理解是電阻的響應(yīng)隨頻率的變化不大，電容得響應(yīng)隨頻率變化大，跟您提到的方法剛好相反，是因為電容的特性已經(jīng)由外部的去嵌電路抵消了嗎？
Q：對，在外圍電路加一個負的拓撲就可以抵消了
A：感謝老師。
Q：PA這個東西挺深的，從材料到數(shù)學(xué)模型到物理模型到實際應(yīng)用（結(jié)構(gòu)+熱處理等），基本上就是一個射頻系統(tǒng)，有很多問題還學(xué)不明白，共同探討，不存在老師一說，嘿嘿
A：請教下，寬帶不好用loadpull選阻抗點是什么原因，帶內(nèi)不同頻點load出來的阻抗很發(fā)散嗎？
Q：數(shù)學(xué)公式上阻抗是由實部+虛部組成，虛部的值就是電容和電感隨頻率而產(chǎn)生的阻抗值。所以同一個電容或者電感，但是頻率不一樣，阻抗就不一樣；電路角度來說，就是一個電阻R與電抗Z并聯(lián)或者串聯(lián)，而Z是隨著頻率變化，所以你看到的阻抗就是隨頻率變化，個人理解。
A：請教個問題，balance PA的架構(gòu)，對二次諧波的抑制有什么利好嗎
Q：好問題，用時域信號算一下，看看二次諧波的相位是怎么變化的。
A：謝謝，還是不太理解為什么做寬帶的時候，變化的實部R，而頻率部分不變。去嵌以后是去除了頻率部分，而得到一個在實軸上的值。那么這個時候，實部隨什么變化呢？
Q：額，我說的這個變化是你根據(jù)你的需要選擇R，比如你想選高效率，或者高功率，或者高功率，這個是根據(jù)你的需要做選擇，站在你的角度來說是一個主動變化，你要求它變。
A：哦，這樣理解了，自己去trade off ，去嵌后，排除虛部帶來的隨頻率的阻抗旋轉(zhuǎn)，其實你就是選定了一個中意的實部了，然后來做匹配。
Q：好解釋。
03
有關(guān)Gmax轉(zhuǎn)折點的討論
Q：請教一個基礎(chǔ)問題，為什么Gmax會有一個拐點？或者誰Gmax的的表達式是什么樣的，好像是文獻及教科書，還是仿真，都是有這么一個拐點，一直不同明白為啥。
A：MAG和gMSG的分界點。
Q：就是說這個曲線是兩條的重疊？
A：可以看一下ISSCC2020-ShortCourse2
Q：豁然開朗，謝謝你。
04
有關(guān)TFR電阻加工誤差的討論
Q：關(guān)于HBT中?TFR?電阻加工誤差請教一下群里大佬們
1: TFR加工的時候阻值誤差主要來源于長寬厚(濃度)?這幾個因素中的哪一個，還是隨機的？
2:?在一張Wafer上，一顆小的die上，die上面的TFR電阻偏差，是往一個大小方向偏差的，還是有一定的隨機性。
A：?1.寬度和濃度，建議用3um以上寬度TFR，2.中心值上下偏差，不同foundry不太一樣，三安一般+-3ohm內(nèi)
Q：非常感謝！
05
有關(guān)SMA接頭打螺紋膠的討論
Q：請問各位前輩一個工藝問題，有在SMA接頭上打螺紋膠的嗎？有必要打嗎？
A：因為SMA內(nèi)部是聚四氟乙烯有一定”彈“性或不同材質(zhì)間的差異性，不像2.92、2.4mm是空氣介質(zhì)；在需要經(jīng)常振動的產(chǎn)品上最好在上完力矩后點些中強度或低強度的螺紋膠保險一些。
Q：謝謝。
06
Q：請問ADS里，優(yōu)化濾波器的時候，用那個算法比較好呀？
A：我一般遺傳再模擬退火
Q：這樣比較快嗎？?我都放退火而已？?有相關(guān)資料可以分享嗎？?謝謝群友。
A：沒有比較快，只是習(xí)慣了，或是路徑依賴吧。
Q：能否分享一下算法？
A：直接用遺傳算法會不會很慢才收斂，是不是反過來反而會快些。
A：我覺得模擬退火后是全局最優(yōu)，所以把這個放在后面。
A：應(yīng)該都有風(fēng)險落在局部最優(yōu)，遺傳算法的結(jié)果應(yīng)該不會相對前一個結(jié)果惡化。
Q：我試了這個?結(jié)果不能跑?其他的算法才可以?請問是什麼原因？
A：里面沒有一種遺傳退火算法么？只聽過這種方法做過波束賦形。
07
有關(guān)ADS仿真中線連接不上連接點的討論
Q：請問有人見過這種wire連不上紅色格點的情況嗎？怎么解決的呢？
A：Ctrl+E.
Q：OK.
08
有關(guān)電路中增加測試buffer級的討論
Q：請問大家，為啥在好多文章中看到低噪放的末端需要加一個testing?buffer
A：方便測試啊，又不影響性能。到時候直接去嵌。
Q：話說怎么方便測試啊?
A：不然核心電路還要去搞輸出匹配啊。有了test buffer以后就不用做了。測完再把這個buffer剪掉就是你電路的性能了。這不是很方便嘛。
09
有關(guān)噪聲貢獻仿真的討論
Q：請問大家，cadence或者ads可以仿真電路某個部分的噪聲貢獻嗎？
A：cadence的noise summary可以看到噪聲貢獻。
Q：恩恩，這個之前有查到過，但是不知道在ADS里咋仿因為管子都鏈接到ADS里了。
ads不知是否有類似仿真噪聲貢獻的設(shè)置？
A：可以，你在ADS help去搜Noise，就很多類型的。
Q：ADS?感謝老師！
10
有關(guān)射頻放大器中饋電電感的設(shè)計
Q：大家在設(shè)計LNA、PA的時候，饋電電感的取值是如何讓選取的？是不是越大越好?一般PDK中的電感設(shè)計不了太大。大家的biasing network都是咋設(shè)計的，可以交流交流
A：滿足你應(yīng)用頻段的RFchoke就行了吧，面積越小越nice
Q：一般RFC的在工作頻段的阻抗要求多大呢?我看有的書上寫的是10*Zo，至少500歐姆，這個高阻的RFC一般的PDK中實現(xiàn)不了，電感值一般會偏小，電抗較低。
A：是的，所以很多單片放大器很多要求片外加額外的rfc電感。
Q：所以在設(shè)計中，如果要把偏置電路集成到MMIC中需要犧牲一部分性能為代價？
A：我覺得這要看拿什么對比了，你做自適應(yīng)偏置電路，是對你電路的pvt性能產(chǎn)生優(yōu)化作用的，你拿理想器件看可能感覺犧牲了性能。
Q：自適應(yīng)偏置一般是用在柵極的吧，漏極的偏置一般使用RFC的吧？
A：是的，習(xí)慣上說偏置一般是指柵極的偏置電壓
Q：好的，多謝。
11
有關(guān)饋電電感的再次討論
Q：有人說這個3.5nH的電感是負載電感，不是饋電電感，如何解釋?這個電感和哪個電容諧振呢？實際的負載阻抗是LC諧振阻抗值，不是電感的值。有勞各位，給解釋一下，我被這個搞蒙了
《射頻與微波晶體管放大器基礎(chǔ)》書本上是這樣的
A：一般這種兩種作用都有的吧，參與匹配和choke。
Q：但是實際上，在低頻段，如果把饋電電感集成在MMIC內(nèi)部，一般PDK都不會有太大的取值，或多或少都有RF信號的泄露。
但是我看有一個例子。2.4GHz，漏極饋電電感取值3.5nH,有老師說這是參與諧振的LC電路，屬于負載電感。但是不知道和哪個電容C諧振
A：嘗試回復(fù)一下：choke電感的作用是通直隔交（不會讓交流信號耦合到電源），理想情況下需要足夠大才能達到效果（ads里model的10uH左右？）
但是因為我們現(xiàn)在都會存在bypass或decouple電容作為射頻地，所以對choke電感的要求降低了，使其可以使用較小的值同時可以提供匹配的效果（uH級別并聯(lián)電感在smith圓圖上是基本不動的）
說到諧振網(wǎng)絡(luò)：要看你是想要帶通效果還是低通效果，帶通可以在choke上并電筒，低通可以輸出串電容（該電容還有隔直的效果）
A：我覺得不可能完全隔絕射頻信號泄漏進偏置電路的，或多或少都有
Q：就是這個電路，2.4GHz，取值3.5nH，如果計算電抗只有53Ω，有個老師說是諧振電路，但是不知道和哪個電容諧振。說這個電感是負載電感
A：這個要具體分析，理想情況是輸出串的電容和這個3.5nH，非理想情況會有段走線到Vcc，這個時候bypass的C會和3.5nH諧振（因為不是理想地了）。就是有兩個諧振點。
A：會不會是和漏端的所有等效電容。
A：實際上面那個C和VDD相連，是隔絕從VDD帶來高頻干擾的吧
Q：C是bypass電容。
A：只有一種可能存在諧振，后面你有負載電容，不然的話就是一個dc饋電
Q：后面直接接50歐姆負載了，是不是MMIC直接饋電的話，都是利用諧振原理設(shè)計的，PDK中沒有那么大的RFC，在低頻中，如L/S，高頻就可以用微帶線了。
A：會不會是跟cds 諧震呢？是有人用並聯(lián)電感去消除cds 影響。
Q：應(yīng)該不單單是Cds，Cds沒有那么大。
A：“是不是MMIC直接饋電的話，都是利用諧振原理設(shè)計的，PDK中沒有那么大的RFC”??一般用tank搞個幾百歐的Rp就夠了。
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有關(guān)放大器退化電感的討論
Q：大家好，請教一個問題，電路里的高頻增益與源退化電感有很大關(guān)系，調(diào)整的過程中發(fā)現(xiàn)源退化電感越小，增益越大，但現(xiàn)在這個電感已經(jīng)比較小了，請問各位大神有無好的辦法？
A：源退化電感是為了噪聲么，如果不能直接去掉，考慮使用其他類型的放大器？
Q：這種?
A：是的，現(xiàn)在用的大都是這樣的。
Q：謝謝大家。
13
有關(guān)Doherty的非對稱設(shè)計
Q：如果Doherty中輔助功放電流是主功放的三四倍了，回退功率點大于6dB了，有什么壞處嗎？
A：這不就是非對稱的doherty嗎？很正常吧，因為現(xiàn)在的調(diào)制信號也不止6dB了，8或者9的papr都有，就需要1比2或者1比1.5了
Q：我看到輔助功放電流大一些線性度會更好，但如果太大會有缺點，不知道是什么缺點。
A：符合你設(shè)計的要求就好，因為peak大部分時間也不會接近飽和。
Q：謝謝。
14
有關(guān)LNA穩(wěn)定性設(shè)計的討論
Q：請教一下LNA提高穩(wěn)定性的方法，如果不用負反饋，要通過偏置和輸出串聯(lián)電阻來調(diào)整的話，怎樣才能把圖片中最低點調(diào)到大于1，而且工作頻率433M的K值又不要太大了，1.1左右。現(xiàn)在就是如果全頻段大于1，工作頻率433M又太大了。
A：加個濾波器，把gain卡在范圍內(nèi)。
Q：這樣啊，濾波器不是外圍的嗎，會影響LNA的K值？
A：如圖：
A：?濾波器如果是無窮Q 的，?不會改變K。?如果改變是因為gain 降低了，?其實和反饋或是其他減低增益的方法沒有本質(zhì)區(qū)別。
Q：降S21來提高穩(wěn)定性？?那我還是乖乖用負反饋吧，本來想用偏置和輸出電阻來提高K值的，結(jié)果K值工作頻率太不平坦了。
A：如果不想降低增益，?提高K 值。?里面的電路設(shè)計需要修改，?主要是看到反饋dB(|S12|)?是不是夠大?> 30dB。?如果夠大，但是K 還是有風(fēng)險，檢查一下電路中有沒有類似 oscillator 的架構(gòu)，找到的話，把它毀掉。一般的de-bug 就這思路。
Q：試了一下負反饋，K值是好平坦，但是NFmin由0.6變成了1.0了。
Q：負反饋就是回引入噪聲，想問一下，k值平坦度有什么影響嗎？
Q：不是大于1就可以了？
Q：想問一下，穩(wěn)定性因子需要在全頻段大于1嗎，只在工作頻段大于1可以嗎
A：全頻段都需要。其他干擾信號不一定在工作頻段內(nèi)。
k和增益相互制約，要做高效率肯定要限制k不能太高，在1附近能出管子最大性能。
Q：我用的英飛凌這個芯片都是設(shè)計全頻道大于1，只工作頻段會不會有風(fēng)險？
A：K>1 不是干擾的擔(dān)憂，?主要是帶外阻抗的擔(dān)憂。
Q：帶外阻抗是指的是？？
A：人們引入K 的概念是想解決無條件穩(wěn)定的問題，無條件是指 我們不知道input 或是 output 的阻抗是啥，所以就說那就是整個smitch chart 的任何一點吧。
Q：不都是看Mu值嗎？
A：是的，mu 更好，?歷史上也是現(xiàn)有K+delta, 后來才有的mu 。K 值?>1, 只是告訴我們?無條件穩(wěn)定，但是 k=2 和 K=3 比，我們不能說K 越大?這個電路就穩(wěn)定。而mu值確實可以這么下結(jié)論。
濾波器無論是放在前面還是后面，?只能保證?帶內(nèi)50ohm,帶外是啥阻抗，沒有人控制的了，一般在smith 圓外側(cè)。但是還是不能改變K ，因為它自己的計算就是整個smith 圓。
Q：“人們引入K?的概念是想解決無條件穩(wěn)定的問題，無條件是指?我們不知道input??或是?output?的阻抗是啥”??這個是啥意思，那如果LNA在板子上，前后都有固定物料，那是不是就帶內(nèi)K大于1就行了。
A：他的意思是不管接什么阻抗都是穩(wěn)定的，K才全頻段大于1，其實很難知道，所以K>1 是現(xiàn)在的標(biāo)配。
Q：有一個問題，就是穩(wěn)定性看的一般都是小信號，如果設(shè)計的是class c的pa，看小信號的話會不會沒有意義，因為管子都沒開啟。是不是還要看大信號仿真。
A：直接用ab類的穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)。
Q：你好，穩(wěn)定系數(shù)看全頻段，是指帶寬內(nèi)的所有頻率，還是說我0-100G這種所有頻率？
A：0-100這種
Q：看你們之前的聊天，說還要看mu，我沒看過這個，就大概看下K，有啥影響嗎？
A：兩個都看。
Q：學(xué)到了，謝謝幾位的解答。
15
有關(guān)諧振腔帶外凹點的討論
Q：在測量諧振腔的S21參數(shù)時，為什么在第一個諧振坑11GHZ前還有一個坑，有哪位大佬知道嗎？
Q：網(wǎng)絡(luò)的S參數(shù)是固定不變的嗎，還是隨源和負載的不同而變化呀？有哪位好心人解答一下嗎？ADS中仿真出來的S11是理論的S11，還是輸入端反射系數(shù)呀？
A：應(yīng)該是反射系數(shù)，會隨源和負載變化的。
A：S參數(shù)是會和負載源的不同變化的
Q：我的理解是只要這個網(wǎng)絡(luò)做好了，他的S參數(shù)就固定不變了，因為S參數(shù)是在匹配情況下的值，應(yīng)該是唯一的。但是為什么仿真的時候會隨著變化呢？
A：有截圖嗎？是怎么個變化？按道理，只要你的網(wǎng)絡(luò)做好了，負載，源這些都沒變，S參數(shù)是不會變的。
Q：現(xiàn)在手里沒圖
Q：反射系數(shù)和s參數(shù)不是一回事吧，
A：只要你的隔離度做的好，輸入端的反射系數(shù)就大概等于S11。
Q：哦哦，謝謝各位了
A：嗯，反射系數(shù)和S參數(shù)相互之間可以換算的，是與源或者負載阻抗相關(guān)的。
A：s參數(shù)是某個電路在特定條件下（源端/負載匹配）的特性；反射系數(shù)是此電路在實際情況下（源端/負載不一定匹配）的特性。
A：是的 我們常認為測試的s參數(shù) 是在負載端匹配下，也就是gamma L 等于0。
Q：那么仿真軟件測出來的s11/s22就是輸入/輸出端口實際的反射系數(shù)，并不是網(wǎng)絡(luò)本身的s參數(shù)特性？我看過一篇帖子說s21測出來的是電路的實際增益，maxgain才是網(wǎng)絡(luò)的S21
A：仿真某電路的時候也是要50Ω負載的，這個實際增益也是在仿真條件下的增益，實際上源/負載阻抗有變化，這個增益就會和仿真有變化。
Q：好，謝謝老師。
16
有關(guān)LNA設(shè)計中RC并聯(lián)電路作用的討論
Q：有個問題想請教大家 LNA版圖上經(jīng)常在源到地那里掛RC并聯(lián)電路主要是為了什么？跟直接電感或者電阻地有啥區(qū)別？
A：電阻R起到負反饋作用來穩(wěn)定直流工作點 電容C的話在高頻時旁路信號 從而不起到負反饋作用 就不會降低增益 感覺有這方面因素哈。
Q：感謝各位解答。
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有關(guān)PA大信號穩(wěn)定性的討論
Q：大家好！有個關(guān)于PA放大器的設(shè)計當(dāng)中，關(guān)于穩(wěn)定性的考量，大家通過什么去進行設(shè)計的。通常來說一個是小信號的K，u值；那在大信號仿真上面呢？
我們在整版原理圖的大信號仿真上，在單管的輸入輸出添加電壓表和電流表，通過公式Rout=Vin[1]/Iin.i[1]來看管子輸入輸出的阻抗，觀察大信號阻抗來判斷其穩(wěn)定性以及阻抗匹配等。發(fā)現(xiàn)在管子的輸入端，在某些頻點會出現(xiàn)負阻的情況。
一個是，不知道這種看大信號阻抗的方式是否能用來判斷功放的穩(wěn)定性。另外一個就是，大信號的穩(wěn)定性，大家是通過什么方式去進行考量、驗證的？
A：可以通過瞬態(tài)看，看看bias上有沒有非理想的波形。
A：最近設(shè)計的pa流片回來也發(fā)現(xiàn)白激嚴(yán)重，仿真的時候u在所有頻段是大于1的。最后實測發(fā)現(xiàn)是流片的電容整體偏小，導(dǎo)致Vcc的并聯(lián)耦合電容偏小從而導(dǎo)致自激。
A：有大信號穩(wěn)定性的模版，找一個大信號仿真的模版?然后看這個大K值。
自激目前來說，還要看下級間穩(wěn)定性，用WSprobe或者這個SProbePairT模版，我做了兩個PA都沒震蕩，看這個是沒問題的，也和別人詢問過經(jīng)驗，也是用這種方法。
Q：那個我們敲公式看的那個負阻?其實參考意義不大的是嘛？
A：也有這種說法，不過這個模版公式里好像就是用這個看的。
Q：好的?我們?nèi)heck一下。
A：以我觀察，pa尤其是基站pa還是基于測量的技術(shù)，例如loadpull確定最佳阻抗的方法，包括穩(wěn)定性，最終還是通過實測來定論的，因為管子的模型還不夠準(zhǔn)確完備，各種脈沖信號調(diào)制信號的響應(yīng)并不完全正確。設(shè)計時，穩(wěn)定性還是以小信號參考為主。比如k值留有余量，駐波小于0，帶外無高增益，無阻抗突變等等。小信號沒問題，我感覺能保證90%的pa是穩(wěn)定的。但是還是有10%的pa在特定場景下，比如低溫，雙音脈沖或者其他特別的信號條件下，蹦出一些雜散信號出來，需要具體問題具體分析的。仿真時，尤其是die輸入負阻，阻抗在smith圓圖外是不被允許的，意味著駐波大于0，不穩(wěn)定。一定要通過串電阻或者有耗匹配把阻抗都轉(zhuǎn)到圓內(nèi)。大信號的穩(wěn)定性可能可以看看阻抗和曲線amam，ampm是否有突變等等。穩(wěn)定性我理解主要還是參考小信號。
A：小小補充下，就算廠家能準(zhǔn)確測出大信號模型，但實際運用條件和環(huán)境變化都會導(dǎo)致管子大信號阻抗和大信號模型有較大差別PA還得是一門優(yōu)化調(diào)試的手藝活
Q：這里我有個疑問就是?我比如我已經(jīng)采用有耗匹配的方式去進行阻抗的一個轉(zhuǎn)移。
采用有耗匹配對單管的阻抗進行改善，那我后續(xù)采用的觀測點是用1還是2？這里關(guān)于觀測點的選擇，也可能是造成我們困擾的一個原因之一。
A：一般來說就加在管子前后，如果不是用WSprobe這種，還得把穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)加上。
Q：感謝各位老師！
18
有關(guān)Doherty功放設(shè)計的討論
Q：大家好！向大家請教一下關(guān)于Doherty 功放中Peak路單管調(diào)試方法的相關(guān)問題。目前，peak功放輸入和輸出匹配網(wǎng)絡(luò)的微帶線已經(jīng)確定，用電容調(diào)試功放的性能。目前用矢網(wǎng)調(diào)輸入匹配網(wǎng)絡(luò)S11＜-10dB，然后調(diào)輸出匹配網(wǎng)絡(luò)，脈沖信號下調(diào)Psat。請問：1.調(diào)小信號S11的目的是什么？這個與Peak路開啟點有關(guān)系嗎？2.當(dāng)輸出匹配網(wǎng)絡(luò)調(diào)不動了，目標(biāo)的Psat沒有達到。下一步是不是需要在脈沖信號的情況下調(diào)輸入匹配網(wǎng)絡(luò)？然后相互迭代？還是修改Peak的匹配網(wǎng)絡(luò)，直到滿足Psat為止。3.peak路的效率應(yīng)該怎么考慮？滿足什么要求？
A：個人理解僅供參考，有問題歡迎大佬糾錯
1.我理解只是調(diào)輸入駐波，跟開啟點沒關(guān)系；2.輸出調(diào)不動就調(diào)輸入，找到合適狀態(tài)返回調(diào)輸出，進行迭代；3.peak開啟是為了要飽和，一般按設(shè)計peak要出到接近最大功率的，這個狀態(tài)可以不考慮效率
Q：我理解功放管大信號和小信號的輸入和輸出最優(yōu)阻抗點不一樣。最初調(diào)輸入S11是為了什么？
A：你們小信號駐波要求多少，對于功放-10應(yīng)該已經(jīng)很好了，按說是不太差就行。
調(diào)完輸出匹配網(wǎng)絡(luò)之后再去看小信號S11，S11發(fā)生了變化，要求我不清楚，調(diào)S11＜-10之后，直接脈沖調(diào)輸出，調(diào)Psat。
A：peak路要調(diào)整小信號下的s22，需要單獨接出來看，通過調(diào)整offset line保證接近開路點，psat出不了可能的相位合得不好。
Q：目前只調(diào)peak功放單管。在AB類的偏執(zhí)下，調(diào)它的Psat。調(diào)輸出匹配網(wǎng)絡(luò)的電容，找它的Psat。
A：peak路調(diào)s11為了啥? peak.路不是c類嗎？
Q：?AB類的peak和C類的peak在小信號的大概增益差多少？psat大概差多少？
A：c類小信號沒增益，功率看你DPA的是不是對稱的??對稱一樣??非對稱??根據(jù)回退量可以計算出來。
編輯：黃飛
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工商網(wǎng)監(jiān)
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