關(guān)于在硅晶圓上實現(xiàn)光傳輸?shù)摹肮韫庾印奔夹g(shù)，其實用化和研發(fā)的推進速度都超過了預(yù)期。其中，日本的進展尤其顯著。日本在高密度集成技術(shù)和調(diào)制器等的小型化方面世界領(lǐng)先，在CMOS兼容發(fā)光技術(shù)和光子結(jié)晶的開發(fā)方面的成果也震撼全球。硅光子技術(shù)的應(yīng)用范圍有望從目前的主要用途——電路板間的數(shù)據(jù)傳輸擴大到芯片間和芯片內(nèi)的傳輸。預(yù)計這方面的應(yīng)用將在2020年前后實現(xiàn)實用化。

　　“硅光子”已經(jīng)進入全面普及階段。利用該技術(shù)，各種光傳輸元件的大部分都可以通過CMOS技術(shù)集成到硅芯片上注1）。

　　注1）目前只有光源還需利用化合物半導(dǎo)體激光元件。

　　硅光子技術(shù)目前的主要用途是嵌在有源光纜（Active Optical Cable，AOC）*中的光收發(fā)器IC（圖1）。AOC在超級計算機、數(shù)據(jù)中心以及通信運營商的傳輸裝置領(lǐng)域的應(yīng)用迅速擴大，是用于板卡和設(shè)備高速連接的光纜。

　　圖1：光傳輸?shù)膽?yīng)用范圍將從板卡間擴大到芯片間，再到芯片內(nèi)

　　本圖為最近和不久的將來的光傳輸導(dǎo)入領(lǐng)域。名為AOC（有源光纜）的服務(wù)器板卡間通信技術(shù)大部分都是利用硅光子技術(shù)的光傳輸。預(yù)計今后芯片間傳輸、CPU 內(nèi)核間以及CPU內(nèi)核內(nèi)的全局布線等也將利用光傳輸。（攝影：（a）為美高森美公司（原卓聯(lián)半導(dǎo)體），（b）為Luxtera公司，（c）為阿爾特拉）

　　*AOC（Active Optical Cable）＝帶光收發(fā)器模塊的光纜。由于耐久性和可靠性高，在2008年前后，這種光纜在高性能計算機市場上的需求開始擴大。調(diào)查公司Global Information發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，2011年AOC的全球銷量為30.5萬根，銷售額為7000萬美元。該公司預(yù)測，2016年的銷量將達到 78.6萬根，銷售額將擴大到1.75億美元。

　　硅光子之所以能在AOC用光收發(fā)器領(lǐng)域取得這樣的成績，是因為可以通過量產(chǎn)大幅降低成本，這與采用CMOS技術(shù)的半導(dǎo)體產(chǎn)品一樣。而以前的AOC采用的是基于化合物半導(dǎo)體的分立元件，價格較高。

　　以風(fēng)險公司為中心的市場將發(fā)生變化 開拓該用途的是美國加州理工學(xué)院成立的風(fēng)險企業(yè)Luxtera，以及同為風(fēng)險企業(yè)的Kotura公司。2008年前后開始量產(chǎn)的Luxtera于 2012年2月宣布，“已售出100萬個單位通道傳輸容量為10Gbit/秒的光IC”。Kotura也于2013年2月宣布，“光IC的銷量較上年翻了一番、相當(dāng)于6萬通道/月”。從這些出貨量數(shù)據(jù)來看，這兩家公司的產(chǎn)品占了AOC市場的相當(dāng)大一部分注2）。

　　注2） Luxtera與飛思卡爾半導(dǎo)體和意法半導(dǎo)體開展合作，Kotura與甲骨文等企業(yè)在技術(shù)開發(fā)和制造方面開展合作。

　　不過，該市場將迎來巨大的變化。因為思科系統(tǒng)和英特爾等企業(yè)相繼涉足該市場。在今后將形成市場的100Gbit/秒傳輸容量的AOC中，預(yù)計硅光子將掌握主導(dǎo)權(quán)。

　　思科的動作非常迅速。該公司2012年2月斥資2.71億美元收購了風(fēng)險企業(yè)Lightwire，同年10月發(fā)布了基于硅光子技術(shù)的、支持 100Gbit/秒的光收發(fā)器規(guī)格“Cisco CPAK”，2013年3月發(fā)布了安裝有該規(guī)格光收發(fā)器模塊的傳輸裝置。

　　英特爾也于2013年1月發(fā)布了采用硅光子技術(shù)的AOC，該產(chǎn)品支持臉書主導(dǎo)的數(shù)據(jù)中心行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)“Open Compute Project”。

　　芯片間光傳輸大勢所趨

　　預(yù)計硅光子市場今后還將日益擴大。肩負(fù)AOC“未來”的市場已經(jīng)初現(xiàn)端倪。AOC主要用于“電路板間”的大容量數(shù)據(jù)傳輸，而今后，電路板上的微處理器之間以及微處理器與存儲器之間等“芯片間”用途將實用化。IBM和英特爾現(xiàn)在正在推進開發(fā)，目標(biāo)是將其用于2020年前后的超級計算機和服務(wù)器。

　　圖2：光傳輸和電傳輸?shù)牡秃碾娏炕?cm為分界

　　如果傳輸距離在1cm以上，目前的光傳輸技術(shù)的耗電量小于電傳輸。光傳輸?shù)暮碾娏恐饕枪?a target="_blank">收發(fā)器的電光轉(zhuǎn)換以及光電轉(zhuǎn)換消耗的。最近大幅減小了光收發(fā)器的尺寸，因此耗電量也減小了。

　　光傳輸?shù)膽?yīng)用始于長距離通信，之后其用途擴大到了短距離通信，取代了電傳輸。在這一點上，采用硅光子的光傳輸也是一樣。預(yù)計將來微處理器內(nèi)部的“CPU內(nèi)核間”的數(shù)據(jù)傳輸也必須要利用硅光子技術(shù)。

　　最近，硅光子技術(shù)在芯片間的應(yīng)用有了眉目，這主要是因為，利用硅光子制作的光收發(fā)器的耗電量降低了。一般來說，電傳輸是距離越短，所需的電力越少，而光傳輸即使距離縮短，電力也不會降低太多。因此，二者以耗電量相同的傳輸距離為分界點區(qū)分使用。最近，利用硅光子的光傳輸和電傳輸在傳輸距離為 1cm時的耗電量基本相同，因此，在比以前短很多的距離間也有望利用光傳輸（圖2）。

　　比如，2013年3月IBM利用硅光子技術(shù)開發(fā)出了耗電量為1pJ/bit的光收發(fā)器IC。預(yù)計電傳輸?shù)淖畹秃碾娏吭趥鬏斁嚯x為1cm時約為150fJ（0.15pJ）/bit（圖3）1）。雖然還有好幾倍的差距，但如果只限于光傳輸?shù)母黜椆δ?，耗電量比IBM的試制品小2、3位數(shù)的技術(shù)也已開發(fā)出來。

　　圖3：在不遠的將來，微處理器內(nèi)核間的傳輸必然要采用光傳輸

　　本圖為微處理器的CPU內(nèi)核間傳輸?shù)鹊碾妭鬏敿夹g(shù)和光傳輸技術(shù)的耗電量。今后的高性能微處理器光憑電傳輸將無法實現(xiàn)耗電量的要求條件。而在距離為1cm的傳輸中，光傳輸?shù)暮碾娏颗c電傳輸基本相同。還出現(xiàn)了各部件的耗電量比電氣方式大幅降低的例子。（攝影：IBM）

　　在用途方面對硅光子光傳輸?shù)钠诖苍絹碓礁摺ｋS著以提高微處理器速度為目的的多核化和眾核化的推進，必須要大幅增加內(nèi)存帶寬和CPU內(nèi)核間的數(shù)據(jù)傳輸容量。但多核化會導(dǎo)致CPU內(nèi)核間的傳輸距離增長。而且，傳輸容量必須擴大到與內(nèi)核內(nèi)的全局布線相當(dāng)?shù)某潭?。對電傳輸而言，條件越來越苛刻。而對于正處于發(fā)展期的硅光子光傳輸，今后其耗電量還需要大幅降低。

　　小型化也取得巨大進展

　　瞄準(zhǔn)芯片間光傳輸?shù)牟考囍埔惨呀?jīng)展開。由日本內(nèi)閣府提供支援的研究開發(fā)組織“光電子融合系統(tǒng)基礎(chǔ)技術(shù)開發(fā)（PECST）”試制的光收發(fā)器IC注3）達到了目前世界最高的集成度和傳輸容量密度。PECST于2012年9月發(fā)布了可在1cm2的硅芯片上、集成526個數(shù)據(jù)傳輸速度為12.5Gbps的光收發(fā)器的技術(shù)注4），數(shù)據(jù)傳輸容量密度相當(dāng)于約6.6Tbit/秒/cm2。主要用于負(fù)責(zé)LSI間大容量數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓廪D(zhuǎn)接板（圖4）。

　　圖4：芯片間布線駛?cè)搿肮獾母咚俟贰?/p>

　　本圖為東京大學(xué)荒川研究室與PECST開發(fā)的LSI間數(shù)據(jù)傳輸用光轉(zhuǎn)接板的概要。除了作為光源的激光元件外，都使用CMOS兼容技術(shù)集成到了SOI基板上。激光元件也可以利用普通的貼片機安裝到芯片上。（攝影：右為PECST）

　　注3）PECST是以在2025年實現(xiàn)“片上數(shù)據(jù)中心”、即在硅芯片上實現(xiàn)數(shù)據(jù)中心功能為目標(biāo)成立的研究開發(fā)組織。2010年3月開始研究工作。

　　注4） 該光收發(fā)器每組所占面積為0.19mm2。除激光元件外全部利用CMOS兼容技術(shù)實現(xiàn)。

　　這次發(fā)布具有劃時代的意義，該技術(shù)解決了各元件的尺寸過大、難以實現(xiàn)短距離傳輸和高密度集成的原有課題。常有人把光傳輸比喻為“飛機”運輸，而把電傳輸比喻為“鐵路”或“汽車”運輸，如果是跨海的長距離運輸，使用飛機比較合適，但如果只是向幾公里遠的相鄰城市運輸貨物則不適合使用飛機。因為不僅有燃料的問題，飛機起降所需的“機場”也太大。而光傳輸中相當(dāng)于“機場”的光收發(fā)器的尺寸原來就非常大，有數(shù)cm見方，不適合1cm距離的傳輸（圖5）。

　　從PECST的試制品上，能看到在面積1cm2的芯片上集成多個光收發(fā)器IC的可能性。光收發(fā)器IC和構(gòu)成元件的小型化幾乎直接關(guān)系到低耗電量化。因為元件面積小的話，元件容量也小。通過推進元件尺寸的小型化，一舉改善了光傳輸?shù)暮碾娏亢图啥冗@兩項課題。

　　圖5：即將實現(xiàn)10Tbit/秒/cm2的傳輸容量密度

　　本圖為光傳輸用收發(fā)器的小型化以及伴隨小型化的集成度提高情況。通過小型化提高集成度的話，傳輸容量密度也會提高。目前的最高傳輸容量密度為PECST實現(xiàn)的6.6Tbit/秒/cm2。PECST預(yù)計2013年上半年將實現(xiàn)10Tbit/秒/cm2。

　　開發(fā)獨特的核心技術(shù)群

　　PECST的光收發(fā)器的實現(xiàn)主要依靠四項核心技術(shù)（圖6），分別為（1）作為光源的激光陣列元件、（2）連接光源與硅波導(dǎo)的光斑尺寸轉(zhuǎn)換器（SSC）、（3）Mach-Zehnder型光調(diào)制器*、（4）鍺光敏元件。

　　圖6：實現(xiàn)6.6Tbit/秒/cm2傳輸容量密度的核心要素

　　本圖為東京大學(xué)荒川研究室與PECST實現(xiàn)6.6Tbit/秒/cm2傳輸容量密度的技術(shù)要點。激光元件方面，開發(fā)出了大規(guī)模陣列化的技術(shù)；大幅降低了光斑尺寸轉(zhuǎn)換器的損失；光調(diào)制器的尺寸縮小至原來的1/4；鍺光敏元件也實現(xiàn)了2倍以上的高速化。（攝影：PECST）

　　*Mach-Zehnder（馬赫-曾德爾）型光調(diào)制器＝光干涉儀的一種，一般是把同一光源的光分成兩束，對其中一束實施相位控制等處理后，再與另一束光耦合。

　?。?）激光陣列元件以約30μm的間距成功地配置了13通道的激光二極管（LD）。PECST稱“目前已經(jīng)制作出104通道的元件”。

　?。?）SSC把以往的一條錐形波導(dǎo)改為三條波導(dǎo)構(gòu)成，從而大幅降低了光耦合損失。而且，在硅上安裝激光陣列元件時的位置對準(zhǔn)精度也大幅放寬，為0.9μm。

　　解決了調(diào)制器的兩個課題

　　對光收發(fā)器的小型化貢獻最大的是（3）光調(diào)制器的開發(fā)。以前，Mach-Zehnder型光調(diào)制器為了補償調(diào)制效率低的問題，需要較長的路徑長度。原來長度為1cm以上，最近縮短到了1mm左右，而此次大幅縮短至250μm。這是通過將pin型二極管像梳子齒一樣垂直配置在硅波導(dǎo)上，把調(diào)制效率提高到原來的4倍實現(xiàn)的。

　　PECST開發(fā)的光調(diào)制器通過改變硅波導(dǎo)和附近的載流子密度來改變折射率。此時的課題是如何兼顧波導(dǎo)中的光密封和在不妨礙光的范圍內(nèi)提高載流子密度的控制。此次的設(shè)計通過將載流子出入口設(shè)計成篦子齒那樣細密，不讓光從這里漏出，從而解決了這一個課題。

　　（4）鍺光敏元件通過由原來的pin型構(gòu)造改為元件容量小的MSM構(gòu)造*，實現(xiàn)了2倍以上的高速動作。

　　*MSM（金屬-半導(dǎo)體-金屬）構(gòu)造是光電二極管（PD）的一種，半導(dǎo)體與兩枚金屬電極組合的構(gòu)造。

　　擴大傳輸容量密度方面，PECST也有了頭緒。其主要研究人員——東京大學(xué)先端科學(xué)技術(shù)研究中心教授荒川泰彥2012年改進了光調(diào)制器的電極設(shè)計，將其所占面積進一步縮小到了原來的1/5以下?；拇ń淌诒硎?，“將其用于光收發(fā)器IC集成的話，預(yù)計可實現(xiàn)10Tbit/秒/cm2的目標(biāo)傳輸容量密度”。

　　通過“慢光”縮小調(diào)制器尺寸

　　要想進一步改善PECST的成果，進一步縮小光調(diào)制器的尺寸并實現(xiàn)高速動作至關(guān)重要。這方面的研究也取得了進展（圖7）。例如，PECST的研究人員之一——橫濱國立大學(xué)工學(xué)研究院教授馬場俊彥的研發(fā)小組通過CMOS兼容技術(shù)開發(fā)出了利用光子晶體（PhC）*技術(shù)實現(xiàn)10Gbit/秒動作的Mach- Zehnder型光調(diào)制器。由此，將光調(diào)制器的長度大幅縮短到了90μm。

　　圖7：光調(diào)制器取得進一步的進步

　　本圖為日本的研究機構(gòu)開發(fā)的新一代光調(diào)制器的概要。橫濱國立大學(xué)的馬場研究室利用光子晶體（PhC）將光速降至約1/10，由此在較短的元件長度下確保了較長的光的有效路徑長度（a）。東京大學(xué)和田研究室通過組合使用鍺調(diào)制器和MEMS，利用板簧的應(yīng)力成功控制了鍺的可調(diào)制波長（b）。（圖（a）由 PECST制作，（b）由東京大學(xué)和田研究室拍攝）

　　*光子晶體（Photonic Crystal，PhC）＝以人工方式在電磁波透過的材料中制作了大量尺寸與透過的電磁波波長基本相同的開孔的材料。用于光密封、路徑控制、群速度控制等。半導(dǎo)體的原子排列規(guī)則，因此自由電子等載流子會產(chǎn)生價帶、禁帶（帶隙）和導(dǎo)帶。PhC用人工孔代替原子實現(xiàn)了與半導(dǎo)體相同的效果。最近，可實現(xiàn)半導(dǎo)體晶格振動（聲子）效果的“聲子晶體（Phononic Crystal）”也已問世。

　　PhC的特點是，光密封效果非常高，而且可大幅減慢光速（群速度）。慢光意味著PhC波導(dǎo)的有效折射率大，以短波導(dǎo)也能確保較長的有效路徑長度，因此能實現(xiàn)調(diào)制器的小型化。

　　在PhC的開發(fā)中，有將光速減慢到約1/1000萬的例子。不過，光速過慢的話，會出現(xiàn)帶寬非常窄的課題。在馬場教授的開發(fā)中，通過將光速減至約1/10，可在波長為1550nm附近的17nm帶寬下使用，而且“對溫度的依賴性也比較小，在100℃以上的溫度變化下也能運行”。

　　據(jù)馬場教授介紹，這種復(fù)雜構(gòu)造的元件乍一看好像很難制造，但“可以通過180nm工藝CMOS技術(shù)中使用的248nm KrF步進器制造”。

　　導(dǎo)入MEMS技術(shù)

　　有望縮小調(diào)制器尺寸的另一項技術(shù)是MEMS技術(shù)。東京大學(xué)研究生院工學(xué)系研究科教授和田一實的研發(fā)小組在采用鍺（Ge）的電場吸收（EA）型調(diào)制器中采用了MEMS技術(shù)。由此，將調(diào)制器長度縮小至約30μm。其特點是可以使用無摻雜的鍺，而且利用MEMS技術(shù)還能使用于調(diào)制的波長范圍可變。

　　采用鍺的EA型調(diào)制器和受光器一般通過對鍺進行摻雜或施加應(yīng)變來改變調(diào)制和受光波長，但無法實現(xiàn)波長的可變控制，而且摻雜后，存在與其他元件在制造工藝上兼容性降低的課題。

　　原本不發(fā)光的材料發(fā)光了

　　硅光子剩下的最大課題就是發(fā)光元件。此前開發(fā)的光收發(fā)器的發(fā)光元件都無法與硅和CMOS兼容，因此要粘貼采用化合物半導(dǎo)體的發(fā)光元件。實現(xiàn)與CMOS兼容的發(fā)光元件可以說是硅光子技術(shù)的“夙愿”。

　　現(xiàn)在，這個課題也在不斷取得突破。此前，由于硅和鍺屬于能帶結(jié)構(gòu)為間接遷移型*的半導(dǎo)體，因此一直被認(rèn)為基本不發(fā)光。但在最近一兩年，這個“常識”被打破，已經(jīng)能夠看到利用鍺和硅實現(xiàn)發(fā)光元件的希望（圖8）。

　　圖8：CMOS兼容的光源終于要成為現(xiàn)實

　　本圖為可利用最近開發(fā)的CMOS兼容技術(shù)制作的發(fā)光元件。MIT通過注入電流成功使Ge-on-Si元件實現(xiàn)了激光振蕩（a）。日立制作所和東京大學(xué)荒川研究室也通過電流注入技術(shù)成功使Ge-on-Si元件實現(xiàn)了發(fā)光（b）。另外，東京大學(xué)大津研究室成功使pin型硅元件實現(xiàn)了高效率發(fā)光（c）。實現(xiàn)了多種波長的發(fā)光。（圖（b）由PECST制作，（c）由東京大學(xué)大津研究室拍攝）

　　*間接遷移型＝根據(jù)波數(shù)和電子能量分析半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)時，價帶中能量最大的波數(shù)與導(dǎo)帶中能量最小的波數(shù)各不相同。波數(shù)是與動量有關(guān)的物理量，因此即使想把導(dǎo)帶的電子遷移到價帶中，一般來說，不符合動量守恒定律就無法遷移，也就是說無法發(fā)光。能發(fā)光的能帶結(jié)構(gòu)被稱為直接遷移型。

　　打破這個常識的研究單位之一就是美國麻省理工學(xué)院（MIT）。MIT于2010年通過光激發(fā)使鍺發(fā)光，2012年通過注入電流，成功使鍺實現(xiàn)了激光振蕩。

　　成功的秘訣是對鍺進行高濃度n型摻雜，將其能帶結(jié)構(gòu)變成直接遷移型。目前的摻雜濃度為4×1019個/cm3，對于半導(dǎo)體來說非常高。在有關(guān)鍺的研究中，與MIT有交流的東京大學(xué)的和田自信地表示，“還差一步，如果能達到1020個/cm3以上的摻雜，就能實現(xiàn)與化合物半導(dǎo)體相當(dāng)?shù)陌l(fā)光增益。硅光子全部能利用（硅和鍺等）IV族材料實現(xiàn)”。

　　日立制作所和東京大學(xué)荒川研究室也實現(xiàn)了鍺發(fā)光。日立制作所到2年前為止一直在進行通過量子效果使硅發(fā)光的研究，之后開始研究鍺。同樣是利用高濃度的n型摻雜鍺，在此基礎(chǔ)上通過SiN對鍺施加應(yīng)變，并已確認(rèn)這種方法可以提高發(fā)光強度。

　　硅發(fā)光取得進展

　　另外，還出現(xiàn)了使硅光子的主角——硅自身發(fā)光的例子。東京大學(xué)研究生院工學(xué)系研究科教授、納米光子研究中心中心長大津元一的研發(fā)小組2011年發(fā)現(xiàn)硅可以發(fā)光。

　　據(jù)介紹，為硅通電，然后邊照射電磁波邊進行p型摻雜的話，就會開始受激發(fā)射。已確認(rèn)利用該材料制作的硅LED能夠發(fā)光注5）。

　　注5） 發(fā)光波長為1.1～1.5μm，能在大帶寬內(nèi)發(fā)光。

　　通過不斷優(yōu)化元件，目前紅外光硅LED的外部量子效率超過了10％（圖9）。作為才開發(fā)2年的發(fā)光效率，即使與目前最新型白色LED的 30％左右相比，也已經(jīng)算十分高了。雖然效率還比較低，但已制作出通過紅外光激光振蕩的元件，以及可通過紅色光、綠色光、藍色光等發(fā)光的硅LED。大津表示，計劃使可用于硅光子的紅外激光2015年達到10％的效率。

　　圖9：實現(xiàn)與現(xiàn)有LED接近的發(fā)光效率

　　本圖為東京大學(xué)大津研究室正在開發(fā)的硅LED和硅激光元件的發(fā)光效率提高情況。紅外發(fā)光硅LED的外部發(fā)光效率超過了10％，正在靠近現(xiàn)有LED的約30％。（圖由《日經(jīng)電子》根據(jù)東京大學(xué)大津研究室的資料制作）

　　通過這些技術(shù)開發(fā)，利用CMOS技術(shù)有望使半導(dǎo)體的任意位置成為光源。不僅是光傳輸，還能為顯示器等帶來巨大的影響。

　　能否打破1000個硅光子的集成壁壘

　　硅光子要想進一步發(fā)展還存在兩大課題。一是，使光元件和光收發(fā)器大幅實現(xiàn)小型化和低耗電量化的方法。另一個是，進一步實現(xiàn)大容量化的王牌——密集波分復(fù)用（DWDM）技術(shù)的利用。

　　在PECST等的研究成果中，光收發(fā)器的集成度目前有望實現(xiàn)526個/cm2，在不久的將來還可能會實現(xiàn)1000個/cm2（圖5）。但再往后，硅光子能否順利增加集成度就不得而知了。NTT特性科學(xué)基礎(chǔ)研究所、NTT納米光子中心中心長納富雅也表示，“硅光子的集成度存在1cm2約為1000個的壁壘”。

　　這種看法的理由是，構(gòu)成光收發(fā)器的各元件的小型化已經(jīng)到了極限。尺寸小于20μm見方的元件在硅光子中基本無法實現(xiàn)。因為再縮小元件尺寸的話，漏出的光會大幅增加，能量損失就會迅速增加。

　　瞄準(zhǔn)芯片上的路徑控制

　　對于這個問題，最有效的解決方法是光密封效果高的光子晶體（PhC）技術(shù)。NTT利用化合物半導(dǎo)體制作出光子晶體，開發(fā)了多種主動光學(xué)元件（圖10）。目標(biāo)是超越光收發(fā)器，在芯片上實現(xiàn)采用光存儲器等的主動路徑控制及簡單的信息處理等網(wǎng)絡(luò)。

　　圖10：利用化合物半導(dǎo)體光子結(jié)晶實現(xiàn)大規(guī)模光集成電路

　　本圖為NTT特性科學(xué)基礎(chǔ)研究所正在開發(fā)的、利用化合物半導(dǎo)體光子晶體的光傳輸技術(shù)群。與CMOS兼容技術(shù)相比，所占面積和耗電量均降低了2～3位數(shù)。光RAM等記錄介質(zhì)的開發(fā)也取得了成功。（攝影：NTT）

　　作為其核心技術(shù)，目前已經(jīng)開發(fā)出了激光振蕩元件、光開關(guān)及光RAM等，每個元件的尺寸為5～15μm見方。這樣便能以100萬個/cm2的密度集成光元件。其中，光開關(guān)的耗電量非常小，只有660aJ/bit，與電信號相比，有望大幅降低耗電量。該公司就這些技術(shù)表示，“打算2025年前后實現(xiàn)能貼在微處理器上的智能光網(wǎng)絡(luò)芯片”（納富）。

　　現(xiàn)在的光子晶體未采用硅基，因為很難采用硅基以高效率制作主動元件。不過，結(jié)合發(fā)光的鍺和硅等技術(shù)的話，就有可能實現(xiàn)硅基光子晶體。

　　DWDM可能是最后的課題

　　另一個課題是DWDM，以數(shù)十Tbps/cm2進行硅光子光傳輸可能需要DWDM。該技術(shù)早在15年前就已普遍用于長距離通信用設(shè)備等，但用于硅光子則非常難。其中一個原因是，各個光元件發(fā)出的光的波長以及通過波導(dǎo)的光的波長因溫度變化存在巨大偏差（圖11）。將長距離通信設(shè)備使用的溫度控制功能用于硅光子技術(shù)的成本過高，不現(xiàn)實。

　　圖11：是采用波分復(fù)用（WDM）還是采用光多級調(diào)制

　　波分復(fù)用（WDM）技術(shù)和光多級調(diào)制技術(shù)的優(yōu)點和課題的比較。WDM的一大課題是耐溫度變化性較弱，而光多級調(diào)制存在電路規(guī)模和元件成本增大的課題。

　　因此，增加光傳輸容量的方法方面，與DWDM相比，近來更重視多級調(diào)制的光傳輸技術(shù)人員越來越多。

　　但也有研究人員認(rèn)為，“相對于電傳輸，利用DWDM是光傳輸?shù)谋举|(zhì)優(yōu)勢，必須要推進利用DWDM的研究開發(fā)”（東京大學(xué)的和田）。最近，MIT的研究人員還在開發(fā)使波導(dǎo)不依賴于溫度的技術(shù)（圖12）。

　　圖12：還實現(xiàn)了折射率不依賴溫度的硅波導(dǎo)

　　本圖為MIT開發(fā)的折射率基本不依賴溫度的光波導(dǎo)概要。隨著溫度的上升，硅的折射率會變大，而樹脂的折射率會變小。因此，波導(dǎo)的有效折射率基本固定。

　　MIT將覆蓋波導(dǎo)硅芯的“包覆”部的一部分換成了樹脂。這樣，波長對溫度的依賴性基本就不存在了。