作者：韓佳巍??光啟智能研究院

摘要

GPU加速的計(jì)算系統(tǒng)可為諸多科學(xué)應(yīng)用提供強(qiáng)大的計(jì)算能力支撐，亦是業(yè)界推動(dòng)人工智能革命的重要手段。為了滿足大規(guī)模數(shù)據(jù)中心和高性能計(jì)算場景的帶寬拓展需求，光通信和光互連技術(shù)正在迅速而廣泛地滲入此類系統(tǒng)的各個(gè)網(wǎng)絡(luò)或鏈路層級(jí)。作為系列文章的第二篇，本文試圖對(duì)GPU網(wǎng)絡(luò)中光互連的光通信技術(shù)選項(xiàng)和長期技術(shù)需求做出簡要分析。

在前篇“面向GPU網(wǎng)絡(luò)的光互連（1）：房間里有兩頭大象？”中，我們對(duì)GPU網(wǎng)絡(luò)中光互連的歷史趨勢(shì)、短期的需求和權(quán)衡做出了簡要梳理。在本篇中，讀者不妨以一個(gè)隨意涉獵者的身份、興之所至地由筆者繼續(xù)引導(dǎo)，將GPU網(wǎng)絡(luò)中光互連的光通信技術(shù)、長期的技術(shù)需求等方面瀏覽一番。

01光通信的群星閃耀時(shí)

面對(duì)多GPU互連的高性能計(jì)算（High-Performance Computing, HPC）系統(tǒng)，本節(jié)嘗試將具有高度適用性的若干種光通信技術(shù)選項(xiàng)做出“點(diǎn)到為止”的概要性描述。這樣做，雖說是緣于筆者自身學(xué)養(yǎng)和全文篇幅的限制，但同時(shí)也有不妨礙讀者自己去進(jìn)一步深入閱讀相關(guān)文獻(xiàn)資料的好處。

1.1垂直腔面發(fā)射激光器光纖鏈路技術(shù)

從歷史上來看，應(yīng)用于數(shù)據(jù)通信或計(jì)算機(jī)通信的低成本光互連是建立在垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser, VCSEL）和多模光纖的技術(shù)基礎(chǔ)之上的[1]。VCSEL采用布拉格反射鏡作為激光腔的腔鏡，其橫向結(jié)構(gòu)通常為圓形對(duì)稱，輸出光束也為圓形對(duì)稱，可與多模光纖實(shí)現(xiàn)高效耦合。尤為值得一提的是，機(jī)架到機(jī)架的集群互連結(jié)構(gòu)便是廣泛采用了基于上述技術(shù)的并行光模塊。區(qū)別于電信場景中被廣泛使用的單模技術(shù)，多模技術(shù)具有相對(duì)更為寬松的對(duì)準(zhǔn)公差。相較于邊發(fā)射單模激光器，多模VCSEL為人們測試光源提供了一個(gè)更為簡單且便宜的方案；同時(shí)，多模VCSEL容易實(shí)現(xiàn)二維陣列集成，亦在功率效率方面具備明顯優(yōu)勢(shì)。因此，雖然多模光纖的傳輸距離（通常在100米至數(shù)百米范圍內(nèi)，且隨著數(shù)據(jù)速率的增大而減小）受限于不同模式之間的路徑差異，但它依然是短距離數(shù)據(jù)通信和計(jì)算機(jī)通信的重要媒介。

圖1. ?工作于25 Gbit/s和40 Gbit/s的高速原型VCSEL發(fā)射眼圖

（來源于參考資料[2]）

盡管VCSEL光纖鏈路技術(shù)占據(jù)著最為龐大的互連市場份額，且已經(jīng)具備了低成本的制造基礎(chǔ)設(shè)施，但是其改進(jìn)空間仍然十分廣闊。當(dāng)前，許多中國大陸的VCSEL供應(yīng)商已可高標(biāo)準(zhǔn)地實(shí)現(xiàn)適用于100 Gbit/s以太網(wǎng)的25 Gbit/s非歸零碼VCSEL光纖鏈路技術(shù)（4×25 Gbit/s并行光路）。圖1為實(shí)驗(yàn)室實(shí)例演示中工作于25 Gbit/s和40 Gbit/s的VCSEL發(fā)射眼圖[2]。為了充分滿足數(shù)據(jù)中心或HPC系統(tǒng)中的光互連對(duì)于VCSEL鏈路的大量需求，人們正對(duì)高速率VCSEL的大規(guī)模制造方案做出廣泛討論和嘗試。

圖2. ?高密度光互連收發(fā)器制作原型

（來源于參考資料[3]）

VCSEL光纖鏈路技術(shù)也正在向著更高速率、更低成本、更小功耗和更緊湊模塊的方向繼續(xù)演進(jìn)。圖2展示了一種高度緊湊的光模塊制作原型。該模塊采用倒裝芯片方式，將VCSEL陣列和光電二極管陣列附著在一個(gè)具有“光通孔”（硅基底中的孔洞）的CMOS芯片上，從而實(shí)現(xiàn)與一組多模光纖陣列的耦合。該光模塊在實(shí)現(xiàn)300 Gbit/s（24×12.5 Gbit/s）的同時(shí)，可以達(dá)到的功耗和帶寬密度分別是8.2 pJ/bit和1 Tbps/cm2。

雖然VCSEL光纖鏈路長期以來（自1998年1 GbE被采用開始）是以850 nm作為標(biāo)準(zhǔn)波長的，但是人們對(duì)最佳波長的爭論卻一直在持續(xù)[4]。近幾年，在使用鋁鎵砷和銦鎵砷合金的基礎(chǔ)上，處于900-1100 nm波段范圍的長波長再次引起了學(xué)界和業(yè)界的廣泛興趣。該現(xiàn)象的促進(jìn)因素包括：潛在的速率、效能和可靠性的提升，背發(fā)射VCSEL的制作（砷化鎵基底在長波段范圍內(nèi)有著高度無損透明性，更適用于新型封裝）更加簡便，低成本粗波分復(fù)用收發(fā)器的使用，光電探測器在長波段范圍內(nèi)的響應(yīng)度略有優(yōu)勢(shì)（每單位光功率可生成較大電流），以及長波長對(duì)人眼更為安全等[5]。然而，由于損耗在長波段范圍內(nèi)相對(duì)較大，這類長波長在搭配塑料光纖使用時(shí)卻反倒具有一些劣勢(shì)（如下文1.2部分所述）。

上述長波長VCSEL光纖鏈路在功率變換效率和可靠性方面均取得了長足進(jìn)步。然而，人們又繼而發(fā)現(xiàn)，在給定VCSEL結(jié)構(gòu)的條件下，VCSEL的失效機(jī)制在整個(gè)780-910 nm波段范圍內(nèi)并無顯著差別[6]。與此同時(shí)，學(xué)界和業(yè)界對(duì)于850 nm光器件的研發(fā)也有著不俗表現(xiàn)：僅以25-50 Gbit/s VCSEL為例，其功率損耗已經(jīng)能夠小于100 fJ/bit [7]。

圖3. ?采用多芯多模光纖的光收發(fā)器原型

（來源于參考資料[8]）

為了進(jìn)一步降低VCSEL光纖鏈路的總體成本，人們?cè)诳紤]如何減小光電收發(fā)器成本的同時(shí)，也有必要采取措施來降低諸如光纖連接器、光纜、光纖管理等組件的成本。雖然更高的數(shù)據(jù)速率可在一定程度上降低鏈路成本，但是這還不足以應(yīng)對(duì)當(dāng)前的帶寬密度挑戰(zhàn)。一種方法是在一根光纖中擯棄使用單個(gè)多模纖芯、而是使用多個(gè)多模纖芯，從而實(shí)現(xiàn)更為顯著的數(shù)據(jù)速率提升[8]。如圖3所示，近期，日本國家情報(bào)通信研究機(jī)構(gòu)（NICT）在一根37芯光纖中采用了16芯作為空間信道與VCSEL陣列相匹配；而在使用800-1100 nm范圍內(nèi)多個(gè)波長的基礎(chǔ)上，粗波分復(fù)用收發(fā)器更是可以進(jìn)一步增加單根光纖的帶寬。最為關(guān)鍵的是，雖然上述方法或?qū)⑹芟抻诜庋b集成的異質(zhì)性特征和迅猛增加的光纖管理成本，但是目前以IBM、Nokia Bell Labs為代表的許多業(yè)界機(jī)構(gòu)都認(rèn)為它有著非常廣闊的探索和改進(jìn)空間[9, 10]。

1.2垂直腔面發(fā)射激光器光學(xué)印刷電路板技術(shù)

為了在封裝集成的程度和成本方面獲得更多收效，并在板卡距離互連場景中與銅線開展充分競爭，人們還將目光投向了基于塑料波導(dǎo)和VCSEL集成的光學(xué)印刷電路板（Printed Circuit Board, PCB）技術(shù)[11]，認(rèn)為它可將低成本制造、模塊密度、可定制化集成等多個(gè)優(yōu)點(diǎn)匯集于一身。

圖4. ?(a) PCB基底之上的塑料波導(dǎo)，

適用于16個(gè)發(fā)射機(jī)、16個(gè)接收機(jī)信道的狀況；

(b)柔性基底之上的塑料波導(dǎo)，適用于24個(gè)發(fā)射機(jī)、

24個(gè)接收機(jī)信道的狀況；(c)無源混洗電纜；

(d)四層波導(dǎo)連接器；(e)光模塊結(jié)構(gòu)和組裝的示意圖

（來源于參考資料[12]）

VCSEL光學(xué)PCB技術(shù)的各個(gè)組成部分如圖4所示，具體包括：(a)在PCB上直接制作而成的塑料波導(dǎo)，(b)柔性基底上的塑料波導(dǎo)，(c)無源混洗電纜，(d)連接器。圖4(e)展示了于圖4(b)中所使用的光模塊結(jié)構(gòu)。VCSEL/光電二極管陣列和硅基驅(qū)動(dòng)/接收端電路被焊接于一體，并附著在一個(gè)硅基載板之上。硅基載板上的孔洞使得光束可以通過，而光路則是通過一個(gè)雙透鏡系統(tǒng)耦合入波導(dǎo)的。對(duì)于將光模塊附著在PCB這一步驟來說，雖然每個(gè)透鏡陣列需要在各自的對(duì)應(yīng)邊緣以更小容差（約為5 μm）附著在光組件上，但是上述雙透鏡系統(tǒng)仍可具備較大的偏調(diào)容差（1 dB損耗時(shí)大于20 μm）。

VCSEL光學(xué)PCB技術(shù)不僅為光互連輔以一種嶄新的光學(xué)手段，而且兼?zhèn)潆妼W(xué)PCB的技術(shù)特點(diǎn)。事實(shí)上，電學(xué)PCB仍舊基于低成本大批量制造方法，尚不具備面向特定用戶需求的可定制化特征。而光學(xué)PCB可將板卡之內(nèi)的光纖管理問題消弭于無形，并有利于實(shí)現(xiàn)物理接近GPU等處理芯片的高密度光收發(fā)器集成。為了進(jìn)一步推動(dòng)VCSEL光學(xué)PCB技術(shù)的應(yīng)用，人們一直嘗試去實(shí)現(xiàn)柔性基底組裝件之上的可替換波導(dǎo)，并將該組裝件安裝在板上（與光纖并帶類似）。然而，隨著該項(xiàng)技術(shù)的不斷成熟，塑料波導(dǎo)將會(huì)被合并于PCB上方或內(nèi)部。盡管該項(xiàng)技術(shù)前景廣闊，但是人們?nèi)孕杩朔T多挑戰(zhàn)，如進(jìn)一步改進(jìn)波導(dǎo)損耗和連接器損耗、實(shí)際實(shí)現(xiàn)相關(guān)的基礎(chǔ)制作設(shè)備等。

1.3硅基光子技術(shù)

自上世紀(jì)80年代中期開始，硅基光子便被廣泛認(rèn)為是光通信領(lǐng)域中最具前景的技術(shù)之一[13]。該技術(shù)將單模光纖、未經(jīng)調(diào)制的激光器、硅基調(diào)制器、硅基探測器等結(jié)合在一起使用；通過借助完善的CMOS制造來生產(chǎn)高度集成的裝配組件。硅基光子技術(shù)能以較低成本在CMOS中直接制造大部分原件，或可為光電集成能力提供最佳解決方案[14]。此外，通過大幅降低相關(guān)波分復(fù)用系統(tǒng)（即在同一光纖中傳輸多個(gè)波長）的成本，光纜和連接器的成本便可由更高的單光纖帶寬來分?jǐn)偂?/p>

圖5. ?(a)波長不敏感的馬赫曾德爾調(diào)制器；

(b)雙微環(huán)諧振腔調(diào)制器；(c)集成的鍺光探測器和硅波導(dǎo)；

(d)基于埃謝勒光柵的光復(fù)用/解復(fù)用器及其關(guān)聯(lián)的傳輸光譜

（來源于參考資料[12]）

圖5(a)-(d)展示了硅基光子技術(shù)所需要的幾種技術(shù)元素：硅波導(dǎo)、集成的鍺探測器、基于馬赫曾德爾干涉儀的調(diào)制器、基于微環(huán)諧振腔的調(diào)制器、波分復(fù)用/解復(fù)用原件。自2014年起，硅基光子技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化得以明顯完善，其商業(yè)產(chǎn)品的主要形式為有源纜線[15]。因?yàn)樵摷夹g(shù)需使用長波長（通常為1300 nm窗口或1500 nm窗口，以充分利用成熟的電信場景連續(xù)波單模激光器）和單模光纖，所以基于硅光子的各類收發(fā)器件和基于VCSEL的短波長/多模光纖技術(shù)并不相容。有源光纜對(duì)于數(shù)據(jù)中心或HPC系統(tǒng)具有良好的互用性，這使得硅基光子技術(shù)已經(jīng)開始在商用市場中展露鋒芒。此外，長距離光通信在大規(guī)模裝置的互連場景中很具吸引力，而這卻是多模光纖鏈路的短板；而硅基光子鏈路中的單模光纖在長波長范圍內(nèi)具有很低的信號(hào)失真和本征損耗，可有效增大高數(shù)據(jù)速率光鏈路的通信距離。

表1. 兩種不同的硅基光子調(diào)制器設(shè)計(jì)之比較

高度集成光電器件中的寄生效應(yīng)并不明顯，非常有利于降低高數(shù)據(jù)速率條件下的系統(tǒng)功耗。硅材料屬間接帶隙半導(dǎo)體材料，需要借助混合集成技術(shù)解決片上光源和光放大等難題。在設(shè)計(jì)調(diào)制器時(shí)，硅基光子技術(shù)需充分利用硅材料中的光子、電子及光電子器件的工作機(jī)理和光電特性。調(diào)制器設(shè)計(jì)需在光帶寬、溫度靈敏度及控制、功耗、光損耗之間尋求平衡。我們?cè)谶@里試舉一例：表1對(duì)馬赫曾德爾和微環(huán)諧振腔兩種調(diào)制器設(shè)計(jì)作了性能比較。可以看出，前者具有相對(duì)較大的光帶寬、相對(duì)較小的溫度靈敏度，卻占用著相對(duì)較大的面積和較高的功耗。值得慶辛的是，未來GPU加速的大規(guī)模HPC機(jī)器或?qū)⑵毡椴捎盟浞桨福蓪⑵涔ぷ鳒囟确秶蠓档椭翈资當(dāng)z氏度。然而，為了追尋更大的市場影響力，硅基光子技術(shù)必須在更為典型的溫度范圍內(nèi)（如0-70 ℃）有所作為。

激光器光源可以封裝在芯片之上、或是芯片之外一個(gè)較為方便的位置，并通過光纖與芯片耦合[16]。雖然芯片之上的位置選項(xiàng)有利于實(shí)現(xiàn)更為集成化和低成本的封裝，但是它卻面臨著更為嚴(yán)峻的熱環(huán)境挑戰(zhàn)。相較而言，芯片之外的位置選項(xiàng)則能夠?yàn)榧す馄魈峁┮粋€(gè)獨(dú)立的空間環(huán)境，從而可以更加精確地控制溫度和波長；同時(shí)，較低的環(huán)境溫度則更加有利于提升激光器的可靠性。進(jìn)一步地講，人們已開始考慮使用高功率的芯片外激光器：這類激光器可在不同的收發(fā)器之間實(shí)現(xiàn)分隔化使用，從而有效分?jǐn)偠嗦饭庑诺婪桨钢屑す馄鳌⒓す馄鞣庋b、冷卻系統(tǒng)等各項(xiàng)成本。

封裝是硅基光子技術(shù)探討中常被忽視的另一重要領(lǐng)域。盡管硅基光子芯片自身有著較低的成本，但是芯片和光纖的耦合、連續(xù)波激光器的使用等卻又無形中大幅增加了通信系統(tǒng)的成本。事實(shí)上，與滿足多模工作條件的封裝（約為10 μm）相比，滿足單模工作條件的封裝（通常小于1 μm）是非常昂貴的。另一方面，相較于多模VCSEL，單模邊發(fā)射激光器對(duì)反射光更為敏感。因此，人們還需在硅基光子通信中使用光隔離器，且將光反饋的數(shù)量保持在較低水平（約-30-40 dB）。

最后，人們還需考慮硅基光子鏈路的總體功耗情況。盡管低功率光鏈路具有極大潛力（例如具有100 fJ/bit的調(diào)制器[17]），但是試圖均衡考量性能、溫度、所有功耗源（包括溫度控制、連續(xù)波激光器、時(shí)鐘邏輯電路控制）等因素的鏈路設(shè)計(jì)方案仍十分受限。值得一提的是，對(duì)于硅基光子技術(shù)在光互連方面的應(yīng)用而言，學(xué)界和業(yè)界在近期普遍認(rèn)為其終極形式將會(huì)是基于高密度2.5D或3D芯片堆疊的光收發(fā)器集成 [18]。而這又為其他匹配技術(shù)的發(fā)展和成熟提出了新的挑戰(zhàn)。

1.4無源光連接器和線纜

除去上文所討論的幾種有源光收發(fā)器技術(shù)之外，人們還需借助無源光連接器和線纜將所有卡、板、機(jī)架上的光收發(fā)器連接起來。在VCSEL光纖鏈路中，這依賴于并行光纖并帶和連接器（如已在多模光纖鏈路中得以長期使用的多路并行光路）。在考慮未對(duì)準(zhǔn)容差的基礎(chǔ)上，連接器損耗通常不得大于0.5 dB。

而對(duì)于基于塑料波導(dǎo)的光鏈路來說，具備低損耗特征的長距離連接（如1 m的板到板距離）便成為一種迫切需求。人們也可在這類鏈路中使用低損耗光纖（如圖4(d)所示）。而由于圓形光纖纖芯或方形波導(dǎo)纖芯（根據(jù)尺寸選擇，或?yàn)榉菍?duì)稱結(jié)構(gòu)）之間幾何結(jié)構(gòu)的不匹配，這些連接器會(huì)有大約0.5 dB的附加損耗。

硅基光子技術(shù)會(huì)對(duì)單模工作的光纖和連接器有所需求。基于更為嚴(yán)格的對(duì)準(zhǔn)公差需求，這類連接器通常有著0.25 dB的附加損耗（事實(shí)上，人們亦可使用具有更高成本的低損耗器件）。此外，因?yàn)榛覊m可較為容易地阻塞單模光纖纖芯（約為9 μm，而多模光纖纖芯通常為50 μm或62.5 μm），在連接器組裝過程中還需重點(diǎn)關(guān)注環(huán)境顆粒對(duì)單模光纖連接器的污染問題。

02長期的技術(shù)需求

2.1從光互連到光交換

在光互連技術(shù)之外，光學(xué)技術(shù)的另一個(gè)重要角色則在于交換[19]。當(dāng)前，對(duì)于網(wǎng)絡(luò)功率預(yù)算而言，其大部分份額須分配給傳統(tǒng)的電分組交換。這意味著光交換或才是真正需要業(yè)界去付諸實(shí)踐、實(shí)現(xiàn)突破的領(lǐng)域。

面對(duì)光互連網(wǎng)絡(luò)的交換需求，人們需要對(duì)超級(jí)計(jì)算機(jī)內(nèi)的流量模式有著深入理解。事實(shí)上，能夠和任意流量模式相匹配的單個(gè)最佳拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是不存在的。盡管在超級(jí)計(jì)算機(jī)中部署光電路交換的實(shí)際價(jià)值尚未被人們完全理解，但是近幾年學(xué)界和業(yè)界對(duì)HPC應(yīng)用的研究卻已經(jīng)對(duì)光/電通信模式結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步演進(jìn)指明了方向。

由光交叉互連而引入的信號(hào)損耗須在系統(tǒng)中得以修復(fù)。基于此，業(yè)界部分人士對(duì)采用光交換來應(yīng)對(duì)百億億次計(jì)算挑戰(zhàn)的實(shí)際效用仍持有懷疑態(tài)度。此外，較低的平均鏈路利用率也會(huì)對(duì)光交換的效能產(chǎn)生限制。因此，人們需要在改進(jìn)利用率和最小化數(shù)據(jù)隊(duì)列之間尋求技術(shù)均衡。在一個(gè)嚴(yán)格意義上的光交換網(wǎng)絡(luò)中，比特在電路進(jìn)行重構(gòu)時(shí)是無法流動(dòng)的，而存貯這些比特的光緩存技術(shù)還尚未實(shí)現(xiàn)。這就意味著，若數(shù)據(jù)包長度在若干個(gè)納秒范圍之內(nèi)，則重構(gòu)時(shí)間必須極短（在1納秒之內(nèi)）且光交換必須在納秒級(jí)別的時(shí)間尺度內(nèi)具有高度靈活性。

上述光交換能力的缺失使得人們對(duì)全光分組交換網(wǎng)絡(luò)的實(shí)際應(yīng)用有所疑問。既然光子還被限定在電路交換范圍之內(nèi)，將光路交換和電路交換融合在一起的解決方案便成為了必然選項(xiàng)。在這種方案中，數(shù)據(jù)緩存和數(shù)據(jù)包交換均在電域?qū)崿F(xiàn)，且人們需要將光電轉(zhuǎn)換的次數(shù)降至最低。基于微機(jī)電系統(tǒng)的光交換或可實(shí)現(xiàn)足夠的端口密度。目前，由于微機(jī)電系統(tǒng)交換機(jī)的端口成本仍舊較高（約為每端口數(shù)百美元），所以它在市場中并未得到廣泛使用。盡管HPC的市場規(guī)模并不足以大幅降低端口成本，但是微機(jī)電系統(tǒng)交換機(jī)在數(shù)據(jù)中心的使用或?qū)⒃龃笃湓贖PC市場中的吸引力。

2.2協(xié)同設(shè)計(jì)

總體看來，光互連和光交換必將在GPU加速的HPC系統(tǒng)中扮演重要角色。然而，這在很大程度上依賴于一些新光學(xué)技術(shù)和新工作方式的采用。從工業(yè)應(yīng)用角度出發(fā)，硬件、軟件和應(yīng)用工程師需要通力合作、協(xié)同開發(fā)一類可在集成環(huán)境中得以實(shí)施的新型架構(gòu)和代碼庫。這種軟硬件協(xié)同設(shè)計(jì)已然成為當(dāng)前大規(guī)模HPC系統(tǒng)開發(fā)的關(guān)鍵。

為了促進(jìn)協(xié)同設(shè)計(jì)，人們需減小系統(tǒng)集成商、設(shè)備供應(yīng)商和光學(xué)產(chǎn)品供應(yīng)商的市場區(qū)隔，并加速不同產(chǎn)業(yè)或技術(shù)實(shí)體之間的流通。事實(shí)上，當(dāng)前這種市場區(qū)隔依然十分頑固。光學(xué)供應(yīng)商在追尋更高的技術(shù)參數(shù)指標(biāo)時(shí)，并未意識(shí)到新型設(shè)計(jì)或可推進(jìn)整體系統(tǒng)性能的突破。于是，系統(tǒng)集成商反而將注意力放在了具有漸進(jìn)式性能改進(jìn)和小幅降低成本特征的產(chǎn)品路線圖上。當(dāng)前，人們已經(jīng)對(duì)協(xié)同設(shè)計(jì)的必要性和重要性有了更為明晰的認(rèn)識(shí)，讀者不妨對(duì)此持謹(jǐn)慎樂觀的態(tài)度。

03小結(jié)

GPU加速的HPC系統(tǒng)對(duì)光通信網(wǎng)絡(luò)的信息傳輸、接收和處理能力提出了更高要求。對(duì)VCSEL光纖鏈路技術(shù)、VCSEL光學(xué)PCB技術(shù)、硅基光子技術(shù)三類光通信選項(xiàng)來說，未來的趨勢(shì)主要在于：進(jìn)一步提升系統(tǒng)的數(shù)據(jù)處理容量和效率，由單個(gè)器件向大規(guī)模、高速率的集成芯片發(fā)展，從單一的收發(fā)功能向完整的可重構(gòu)系統(tǒng)發(fā)展，以及實(shí)現(xiàn)有源或無源器件的單片集成。

在本系列文章的第三篇，筆者將會(huì)對(duì)GPU網(wǎng)絡(luò)光互連的市場和產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)、新興的工作負(fù)荷、策略和計(jì)劃做出介紹。

參考資料

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編輯：黃飛

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