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• S7-200 SMART存儲卡的使用指南

  【導讀】S7-200 SMART CPU 支持商用MicroSD卡(支持容量為4G、8G、16G)，可用于程序傳輸、CPU固件更新、恢復 CPU 出廠設置。...

  3290次閱讀 · 0評論 cpu存儲卡SMARTmicroSD卡

• NVRAM Manager(NVM)模塊詳細介紹

  存儲協議棧負責ECU中非易失性數據的存儲管理。存儲協議棧的分享包括NVM、MemI、Ea、Fea、Eep、Fls模塊的詳細介紹及代碼分析，具體的項目實戰請關注本號的后續文章，本篇為NVRAM Manager(NVM)模塊詳細介紹篇。...

  7906次閱讀 · 0評論 存儲AUTOSARNVRAM

• 數造更高容量 存儲“大”有可為——帶你全面了解磁記錄技術

  磁記錄是利用磁的性質進行信息的記錄的方式。在存儲和使用的時候通過特殊的方法進行信息的輸入和讀出，從而達到存儲信息和讀出信息的目的。 ? 當今世界正處于數據大爆炸的時期。據IDC預測，截至2025年，全球數據增量將從2020年的64ZB增加到近180ZB（1ZB等于1萬億GB）。越來越多的大公司正在將...

  5441次閱讀 · 0評論 存儲器存儲磁記錄材料
  

• 從1952年談閃存的歷史

  1968 - Stanford R. Ovshinsky宣布了Ovonic內存開關，這是英特爾和美光在2015年宣布的3D XPoint內存的基礎，后來英特爾將其產品化為Optane。...

  2232次閱讀 · 0評論 閃存

• 深入探討異構計算和CXL標準的版本

  CXL 3.0 中最重要的變化是內存共享和設備到設備的通信。主機 CPU 和設備現在可以在相同的數據集上協同工作，而無需不必要地打亂和復制數據。...

  1485次閱讀 · 0評論 asiccpu服務器數據中心異構計算

• 研華提供最新存儲和內存全面解決方案！

  數據安全是研華解決方案的核心。研華SQFlash系列提供全方位保護，包括數據加密（TCG-OPAL、FIPS）、數據安全擦除和異常斷電保護。...

  2231次閱讀 · 0評論 閃存技術3d nand智慧交通

• SRAM的基本結構、應用及挑戰

  存算一體化是指將傳統以計算為中心的架構轉變為以數據為中心的架構，它可以突破馮·諾伊曼架構下存算分離的瓶頸，直接利用存儲器進行數據處理，從而把數據存儲與計算融合在同一芯片中，極大提高計算并行度與能效比，特別適用于深度學習神經網絡領域，如可穿戴設備、移動設備、智能家居等場景。...

  7141次閱讀 · 0評論 存儲器sram算力

• 淺談不同類型存儲單元和存儲架構的嵌入式MCU

  　外部存儲器中的加密代碼塊不會讓雜散的眼睛以任何可用的形式將其分解。MCU 包含一個解密算法，其中包含為偽隨機函數生成器提供種子的定制參數。...

  1540次閱讀 · 0評論 微控制器mcu存儲器EEPROMfram
  

• 光儲存的基本原理及主要特點

  信息資料迅速增長是當今社會的一大特點。有人統計，科技文獻數量大約每7年增加1倍，而一般的情報資料則以每2年~3年翻一番的速度增加。大量資料的存儲、分析、檢索和傳播，迫切需要高密度、大容量的存儲介質和管理系統。...

  2617次閱讀 · 0評論 存儲技術光盤光儲存

• 3D NAND的層是否數物理限制？

  美光已經在完成 232 層 NAND 的訂單，而且不甘示弱，SK 海力士宣布將于明年上半年開始量產 238 層 512Gb 三層單元 (TLC) 4D NAND。或許更重要的是，芯片制造商私下表示，他們將利用行業學習為目前正在開發的 3D-IC 堆疊 NAND。...

  743次閱讀 · 0評論 NAND3d nand

• 高性能對象存儲MinIO的基本概念和環境部署

  MinIO 是在 GNU Affero 通用公共許可證 v3.0 下發布的高性能對象存儲。它與 Amazon S3 云存儲服務 API 兼容。使用 MinIO 為機器學習、分析和應用程序數據工作負載構建高性能基礎架構。...

  3488次閱讀 · 0評論 硬盤API對象存儲

• 嵌入式內存系統方案

  　　但是存儲在設備上的數據很可能最終會在企業的其他地方——私人的或公共的。趨勢是在嵌入式設備上本地執行和保存更多的數據收集、處理和分析。平臺正在不斷發展，以滿足為這些連接設備提供安全、設備管理、數據分析、軟件更新和連接服務的需求。...

  909次閱讀 · 0評論 傳感器控制器物聯網
  

• OKIMX6Q開發板的片外內存地址和片外存儲器

  IMX6Q中MMDC-DDR控制器的地址空間為：0x1000_0000~0xFFFF_FFFF共3840MB，即MMDC-DDR控制器允許配置的最大片外內存為3.75GB。...

  1376次閱讀 · 0評論 控制器存儲器DDRIMX6Q
  

• 基于ARM處理器的微控制器內存問題

  德州儀器 MCU 以適中的 80 MHz 速度運行，具有高達 512 KB 的錯誤檢查閃存、高達 96 KB 的數據 RAM，有些還擁有自己的 2 KB 片上傳統 E2PROM。...

  1065次閱讀 · 0評論 微控制器mcuARM處理器
  

• FRAM的工作原理，為什么要使用FRAM？

  MSP- FET430U40A工具套件包包括一個閃存仿真器和編程器，具有諷刺意味的是，它不需要與雙板載 MSP430FR5739 MCU 一起使用。...

  5596次閱讀 · 0評論 存儲器fram
  

• 計算嵌入式醫療設備應用中SSD的使用壽命

  　　重要的是要注意，即使對于模型良好的應用程序，計算也最多只是理論上的。產生真實結果的更準確的方法包括使用應用程序本身中的工具來監控 NAND 閃存的確切磨損并將該數據報告回主機系統。...

  827次閱讀 · 0評論 驅動器NANDSSD
  

• 低密度NOR閃存可延長嵌入式應用的產品壽命

  Microchip 為在產品壽命為 20 年的嵌入式系統中設計低密度 NOR 閃存提供了理由，這些系統經常面臨 EOL 組件的挑戰。...

  1019次閱讀 · 0評論 微控制器閃存嵌入式NORmicrochip
  

• 單片機存儲器的基礎知識

  本文分享一些單片機常見的存儲相關的基礎知識。...

  1873次閱讀 · 0評論 單片機FlaSh存儲器

• MCU用于NAND閃存保存引導代碼和固件的三種方法

  請注意 USB OTG、以太網和 TFT 顯示接口等高端外圍設備。這些可能是代碼和數據密集型的。更高密度的 NAND 閃存的一個完美應用是保存圖形頁面模板并使用片上 DMA 控制器將它們快速發送到顯示器。...

  2274次閱讀 · 0評論 微控制器mcuSDRAMNand
  

• 淺談閃速存儲器和存儲單元連接方式

  閃速存儲器(Flash Memory)又稱閃存(Flash)，是一種非易失性存儲器,用存儲單元閾值的高低表示數據。浮柵(Floating Gate )場效應管(見圖5-80)是Flash存儲單元采用的主要技術。...

  1896次閱讀 · 0評論 場效應管固態硬盤閃速存儲器NOR flash
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