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碳化硅的RDS(ON)較低,因而開(kāi)關(guān)損耗也較低,通常比硅低100倍。基于碳化硅的肖特基二極管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限,成為新能源及電力電子的首選器件。...
碳化硅(SiC)的性能潛力是毋庸置疑的,但設(shè)計(jì)者必須掌握一個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn):確定哪種設(shè)計(jì)方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。...
壓力傳感器充當(dāng)傳感器,并產(chǎn)生與其所承受的力相對(duì)應(yīng)的電壓電信號(hào)。該輸出電壓通常在毫伏范圍內(nèi)非常低。為了捕獲這種低壓信號(hào),必須使用非常靈敏和精確的器件,本文介紹了芯熾8/16通道24位模數(shù)轉(zhuǎn)換器SC1644可進(jìn)行精密壓力傳感器測(cè)量。...
Cascode CG stage是另一種實(shí)現(xiàn)低輸入阻抗的電路...
下面根據(jù)運(yùn)放“虛短虛斷”的特點(diǎn)來(lái)分析下,上圖同相輸入端接地,電位為0,根據(jù)運(yùn)放虛短的特點(diǎn),運(yùn)放的3腳同相輸入端和4腳反相輸入端的電位相等,所以4腳反相輸入端的電位也為0電位。...
同步整流技術(shù)就是用功率MOSFET代替普通二極管或者肖特基二極管進(jìn)行整流,所以,研究同步整流技術(shù),就必須首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。...
電阻器是限制電流的元件,通常簡(jiǎn)稱為電阻,是一種最根本最常用的電子元件,普遍應(yīng)用在各種各類電子電路中。...
光耦的主要作用是電氣絕緣和信號(hào)隔離,優(yōu)點(diǎn)是其輸入端與輸出端完全實(shí)現(xiàn)了電氣隔離,抗干擾能力強(qiáng),使用壽命長(zhǎng),傳輸效率高。...
晶閘管是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱,又稱作可控硅整流器(SCR),是由三個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的一種大功率半導(dǎo)體器件。在性能上,晶閘管不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件更為可貴的可控性,它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。...
晶閘管是一種半導(dǎo)體器件,也被稱為可控硅。它可以控制電流的流動(dòng),類似于電子開(kāi)關(guān)。晶閘管廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域,例如交流電調(diào)節(jié)、直流電調(diào)節(jié)、電機(jī)控制、照明控制等。...
半導(dǎo)體激光器又稱激光二極管,是用半導(dǎo)體材料作為工作物質(zhì)的激光器。具有體積小、壽命長(zhǎng),電光轉(zhuǎn)化效率高、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)...
隨著IGBT的耗散功率和開(kāi)關(guān)頻率不斷增大,以及工作環(huán)境嚴(yán)苛,使得IGBT模塊產(chǎn)生大量的熱量,由于模塊內(nèi)的熱量無(wú)法及時(shí)得到釋放,從而引起模塊內(nèi)部溫度升高。...
模數(shù)轉(zhuǎn)換器,即ADC(Analog to Digital Converter),是一個(gè)將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)的器件(電路),例如將溫度、濕度、壓力、位置(都是基于電阻,電容上面產(chǎn)生的電壓信號(hào))等信息轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)。...
模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)中的采樣會(huì)產(chǎn)生混疊和電容反沖問(wèn)題,為此設(shè)計(jì)人員使用濾波器和驅(qū)動(dòng)放大器來(lái)解決,但這又帶來(lái)了一系列相關(guān)挑戰(zhàn)。尤其是在中等帶寬應(yīng)用中,實(shí)現(xiàn)精密直流和交流性能面臨挑戰(zhàn),設(shè)計(jì)人員最終不得不降低系統(tǒng)目標(biāo)。...
LM324由四個(gè)單獨(dú)的放大器組成,每個(gè)放大器都有兩個(gè)輸入端和一個(gè)輸出端。這些輸入端包括非反相輸入端(+)和反相輸入端(-),輸出端則產(chǎn)生放大后的信號(hào)。...
旁路電容:旁路電容,又稱為退耦電容,是為某個(gè)器件提供能量的儲(chǔ)能器件。它利用了電容的頻率阻抗特性,理想電容的頻率特性隨頻率的升高,阻抗降低,就像一個(gè)水塘,它能使輸出電壓輸出均勻,降低負(fù)載電壓波動(dòng)。...
本文主要介紹了米勒效應(yīng)的由來(lái),并詳細(xì)分析了MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程米勒效應(yīng)的影響,幫助定性理解米勒平臺(tái)的形成機(jī)制。最后給出了場(chǎng)效應(yīng)管柵極電荷的作用。...