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在上圖所示的硅二極管電路中加入一個如下圖所示的輸入電壓。在0―t1時間內，輸入為+VF，二極管導通，電路中有電流流通。...
LM741 運算放大器是一種直流耦合高增益電子電壓放大器， 是最常用的運算放大器集成電路之一，可以同時執行數字運算和放大功能。...
瞬態按捺二極管（瞬態電壓按捺器）(TVS)的作業原理與(壓二極管又名齊納二極管）穩壓二極管相同，但構造上有差別。其最大的差別是通常穩壓二極管構成的PN結面積很小，它能接受的反向電流(反向電流是指二極管在規則的溫度和最高反向電壓效果下，（電路一點通）流過二極管的反向電流)較小。...
晶片的化學成分為二氧化硅，與玻璃相同，屬于清脆易碎品，在承受較大沖撞、跌落、強震動、溫度環境極速變化等外力作用的情況下有可能產生破裂、破碎等現象。...
? 01基爾霍夫定理的內容是什么？ 基爾霍夫電流定律：在電路任一節點，流入、流出該節點電流的代數和為零。 基爾霍夫電壓定律：在電路中的任一閉合電路，電壓的代數和為零。 ? 02戴維南定理 一個含獨立源、線性電阻和受控源的二端電路 ，對其兩個端子來說都可等效為一個理想電壓源串聯內阻的模型。 其理想電壓...
氮化鎵元件一個很大的優勢在于它極快的開關速度，它的柵極電容和輸出電容比硅基MOSFET小的多，同時由于沒有體二極管pn結，因此在硬開關中，沒有相關的反向恢復電荷。...
其輸出的效果圖如上圖所示，可能細心的人會發現，當輸入信號的高電平低于電源電壓時，這意味著上N管的CE節將會承受較高的電壓。這也就意味著上管將有著發熱壞的風險。...
引言：MOSFET是金屬氧化物半導體場效應晶體管（MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor）的縮寫，具有高速和低損耗的特性，廣泛應用于各種領域。和普通的阻容一樣，MOS也有其寄生模型，了解其等效寄生模型有助于我們在高速應用中快速掌握其特性。...
IGBT作為大功率電力電子器件廣泛應用于各種工業設備中。為了滿足安全要求，這些設備在電氣設計和生產過程中要遵循相應的規范。...
超結（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商業化用于功率器件應用領域以來，在400–900V功率轉換電壓范圍內取得了巨大成功。參考寬帶隙（WBG）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件，我們將在本文中重點介紹其一些性能特性和應用空間。...
半導體工藝的發展歷程幾乎與現代電子工業的發展歷程一致。早在20世紀40年代，貝爾實驗室的研究人員發明了第一個點接觸式晶體二極管，標志著半導體技術的誕生。...
場效應管可以分成兩大類，一類是結型場效應管（JFET），另一類是絕緣柵場效應管（MOSFET）。...
隨著高速動車組列車、電動汽車及其充電樁、5G 通信設備、交直流混合配電網、柔性直流輸電、新能源發電裝置等這些新興科技的迅猛發展...
從直流分析，我們看到差動放大電路可視為兩個完全相同的共射極放大電路以對稱形式構成。這種特殊的結構如何抑制零點漂移呢？與它的對稱結構有關，請看：...
由于溫度變化而引起的電壓漂移是零點漂移的主要成分，用熱敏元件進行溫度補償不失為一種解決溫漂的好辦法。受補償思想啟發，用2只型號和特性都相同的晶體管來進行補償，也收到了較好的抑制零點漂移的效果，這就是差動放大電路（也稱差分放大電路）。...
在多級放大電路，尤其是直接耦合多級放大電路中，當放大電路輸入信號為零（即沒有交流輸入）時，由于受溫度變化、電源電壓不穩、元件參數變化等因素的影響，使靜態工作點發生變化，并被逐級放大和傳輸，導致電路輸出端電壓偏離原固定值而上下漂動的現象。...
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