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晶體管是一種三層器件,由三個PN結構構成。PN結是由不同材料的半導體單元(P型材料和N型材料)焊接在一起形成的一個結,它有兩個區域,一個是P區,一個是N區,P區和N區之間形成了空間電荷區,筑起一道屏障,把兩邊的自由載流子分開,因此,在PN結形成的空間電荷區內沒有載流子流動,也即空間電荷區在兩邊阻攔了...
晶體管是一種半導體元器件,它由三個層疊在一起的材料構成,分別是 P 型半導體、N 型半導體和 P 型半導體。其中 NPN 和 PNP 型晶體管是最常用的兩種。晶體管有三個電極,分別是基極、發射極和集電極。...
功率放大器側重于對信號功率的放大,以驅動大功率負載,而運算放大器則側重于電壓信號的放大和數學運算,用于實現信號處理和精確的電路控制。它們在電路設計和應用中具有不同的功能和特性。...
D/A轉換器(Digital-to-Analog Converter, DAC)是指將數字(Digital)量轉換為模擬(Analog)量的元器件。...
功率MOSFET有兩種類型:N溝道和P溝道,在系統設計的過程中選擇N管還是P管,要針對實際的應用具體來選擇,N溝道MOSFET選擇的型號多,成本低;P溝道MOSFET選擇的型號較少,成本高。...
俗話說“人無遠慮必有近憂”,對于電子設計工程師,在項目開始之前,器件選型之初,就要做好充分考慮,選擇最適合自己需要的器件,才能保證項目的成功。...
由于MOSFET的結構,通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但耐壓能力沒有IGBT強。...
由于SCSOA 區域在集電極電流變大時有變窄的傾向,需要加以注意。IPM 內置柵極驅動電路和保護電路可以對超出IGBT 安全工作區的運行模式加以保護以免模塊受損。...
三極管屬于電流型驅動元器件,因此一般在基極都會串一個限流電阻,一般小于等于10K,但是在基極為什么會下拉一個電阻呢?舉例說明。...
MOSFET全稱金屬-氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。...
上電瞬間,MOS管的寄生二極管導通,系統形成回路,源極S的電位大約是0.7V,而柵極G的電位為Vbat,MOS管的開啟電壓極為:Ugs=Vbat-Vs,柵極表現為高電平,NMOS的ds導通,寄生二極管被短路,系統通過NMOS的DS接入形成回路,若電源接反,NMOS的導通電壓為0,NMOS截止,寄生二...
封裝技術是一種將芯片與承載基板連接固定、引出管腳并將其塑封成整體功率器件或模塊的工藝,主要起到電氣連接、結構支持和保護、提供散熱途徑等作用[4]。封裝作為模塊集成的核心環節,封裝材料、工藝和結構直接影響到功率模塊的熱、電和電磁干擾等特性。...
瞬態電壓抑制器:Transient Voltage Suppressor,一種二極管形式的高效能保護器件。其他的,百度百科解釋了一大堆,我就不搬運了。小伙伴自行研究,總之,這個器件能吸收瞬態能量,能扛靜電的瞬態干擾!...
對于功率因數校正(PFC),通常使用升壓轉換器Boost拓撲結構。它可以最大限度地減少輸入電流的諧波。...
始于19世紀初期半導體材料的研究至今已經由第一代半導體材料發展到了第四代半導體材料,其中較為矚目的莫過于第一代半導體材料si和第三代半導體材料sic了。...
率轉換電路中的晶體管的作用非常重要,對其改良可以實現低損耗與應用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導體具有低損耗、高速開關、高溫工作等優勢。...
分辨率和精度—即Resolution和Accuracy。這是兩個不同的參數,卻經常被混用。...
所謂頻率補償,就是指提高或降低某一特定頻率的信號的強度,用來彌補信號處理過程中產生的該頻率的減弱或增強,常用的有負反饋補償、發射極電容補償、電感補償等。...
紅外發射管由GaAIAs(鎵、鋁、砷化合物)或GaAs(鎵、砷化合物)制成PN結,正向偏壓向PN結注入電流后激發紅外光,其光譜分布在830nm-950nm。市面上紅外發射管的波長主要有850nm、940nm。850nm的輻射強度比940nm的輻射強度高2-3倍,因此850nm的紅外發射管在工作時人眼...