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將大型SoC分解為較小的小芯片，與單顆裸晶相比具有更高的良率和更低的成本。Chiplet使設計人員可以充分利用各種IP，而不用考慮采用何種工藝節點，以及采用何種技術制造。他們可以采用多種材料，包括硅、玻璃和層壓板來制造芯片。...
干法蝕刻（dry etch）工藝通常由四個基本狀態構成：蝕刻前（before etch），部分蝕刻（partial etch），蝕刻到位（just etch），過度蝕刻（over etch），主要表征有蝕刻速率，選擇比，關鍵尺寸，均勻性，終點探測。...
多個垂直堆疊的活動層(模具)較短的垂直互連：功耗、延遲、帶寬..分離的和小的模具：異構集成，產量，成本，尺寸山復雜設計、設計自動化和制造過程...
超聲清洗有時也被稱作“無刷擦洗”，特點是速度快、質量高、易于實現自動化。它特別適用于清洗表面形狀復雜的工件，如對于精密工件上的空穴、狹縫、凹槽、微孔及暗洞等處。...
1.Metal bump 金屬凸塊-C4 process(IBM) 2. Tape-Automated bonding 卷帶接合-ACF process 3. Anisotropic conductive adhesives...
長期以來，個人計算機都可以選擇增加內存，以便提高處理超大應用和大數據量工作的速度。由于3D芯片堆疊的出現，CPU芯粒也有了這個選擇，但如果你想打造一臺更具魅力的計算機，那么訂購一款有超大緩存的處理器可能是正確的選擇。...
當n型半導體與p型半導體接觸時，電子與空穴都從濃度高處向濃度低處擴散，稱為擴散運動。當電子進入p型區域，空穴進入n型區域后，即與對方多子復合，留下了固定不動的原子核。...
Dual in-line package （DIP） 雙列直插封裝：這種封裝類型是最早的一種封裝形式，芯片引腳排列成兩行，可以直接插入插座或者焊接到電路板上。...
黃光的波長遠離UV范圍，因此不會引起光刻膠的意外曝光。黃光燈通常不含有紫外線，從而保護光敏材料免受不必要的曝光。...
PCBA電子產品焊接導入無鉛制程后，由于無鉛焊料的特性，如熔點高、潤濕性差、工藝窗口窄等，焊接過程出現了無鉛焊接特有的缺陷及不良，如錫珠、焊點粗糙、漏焊和少錫，以及空洞等。...
在摩爾定律的指導下，集成電路的制造工藝一直在往前演進。得意于這幾年智能手機的流行，大家對節點了解甚多。例如40 nm、28 nm、20 nm、16 nm 等等，要知道的這些節點的真正含義，首先要解析一下技術節點的意思。...
BGA （Ball Grid Array）即“焊球陣列”，是在器件基板的下面按陣列方式引出球形引腳，在基板_上面裝配LSI （ large Scale IntegratedCircuit）大規模集成電路芯片。它的出現解決了QFP等用周邊弓|腳封裝而長期難以解決的高I/O引腳數實現大規模集成電路芯...
系統級封裝 (System in Package) 簡稱SiP，SiP技術已成為現代電子領域的一項重要創新。SiP 技術使用半導體來創建包含多個 IC 和無源元件的集成封裝，從而創建緊湊且高性能的產品。具體來說處理芯片、存儲芯片、被動元件、連接器、天線等不同功能的器件，被封裝在同一基板上，完成鍵合和...
3M Liqui-Cel膜接觸器產品已經廣泛的應用于各Fab廠超純水溶解氣體控制應用，有超過40年成功應用歷史，其穩定的性能和超長的壽命贏得了業主和合作伙伴的一致認可。...
SMT加工的貼片機識別或雷射鏡頭受到污染、有雜物干擾識別、光源選擇不當和強度、灰度不夠等原因或識別系統損壞。...
1.Metal bump 金屬凸塊-C4 process(IBM) 2. Tape-Automated bonding 卷帶接合-ACF process 3. Anisotropic conductive adhesives 異方向性導電膠 -ACP process 4.Polymer bu...
光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產業的關鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發劑和成膜樹脂三種主要成分組成，是一種具有光化學敏感性的混合液體。其利用光化學反應，經曝光、顯影等光刻工藝，將所需要的微細圖形從掩模版轉移到待加工基片上，是用于微細加工技術的關鍵性電子化學品。...
打破IC發展限制，向高密度封裝時代邁進。集成電路封裝是指將制備合格芯片、元件等裝配到載體上，采用適當連接技術形成電氣連接，安裝外殼，構成有效組件的整個過程，封裝主要起著安放、固定、密封、保護芯片，以及確保電路性能和熱性能等作用。...
基于可靠性試驗所用的菊花鏈測試結構，對所設計的扇出型封裝結構進行了完整的菊花鏈芯片制造及后道組裝工藝制造，并對不同批次、不同工藝參數條件下的封裝樣品進行電學測試表征、可靠性測試和失效樣品分析。...
本文主要設計了用于封裝可靠性測試的菊花鏈結構，研究了基于扇出型封裝結構的芯片失效位置定位方法，針對芯片偏移、ＲDL 分層兩個主要失效問題進行了相應的工藝改善。經過可靠性試驗對封裝的工藝進行了驗證，通過菊花鏈的通斷測試和阻值變化，對失效位置定位進行了相應的失效分析。...
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