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驅動電路設計是功率半導體應用的難點，涉及到功率半導體的動態過程控制及器件的保護，實踐性很強。為了方便實現可靠的驅動設計，英飛凌的驅動集成電路自帶了一些重要的功能，本系列文章以閱讀雜談的方式講解如何正確理解和應用這些功能，也建議讀者收藏和閱讀推薦的資料以作參考。驅動電路有兩類，隔離型的驅動電路和電平移...
從科幻走入現實，人形機器人正經歷一場靜默而深刻的技術革命：更高效的能源控制、更精準的運動算法、更高速的通信架構、更智能的環境感知能力......這些變革正在重塑機器人的“骨骼”、“神經”與“感官”。...
UCC24612 是一款高性能同步整流器控制器和驅動器，適用于標準和邏輯電平 N 溝道 MOSFET 功率器件。通過實現近乎理想的二極管仿真UCC24612可降低輸出整流器的損耗，并間接降低初級側的損耗。漏極到源極 （V ~DS 系列~ ） 傳感控制方案允許UCC24612使用多種拓撲結構，例如有源...
UCC28056 器件基于創新的混合模式方法驅動 PFC 升壓級，該方法在滿載時以轉換模式 （TM） 運行，并在降低負載時無縫轉換為斷續導通模式 （DCM），從而自動降低開關頻率。該器件采用突發模式作，以進一步提高輕負載性能，使系統能夠滿足具有挑戰性的能源標準，同時無需關閉 PFC。...
LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋，適用于開關模式電源應用中的 75W 有源鉗位反激式 （ACF） 轉換器<。該LMG2610通過在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅動器、自舉二極管和高側柵極驅動電平轉換器，簡化了設計，減少了元件數量，并...
LMG352xR030 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，針對開關模式電源轉換器，使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。 LMG352xR030 集成了一個硅驅動器，可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實現更高的開關 SOA...
LMG3522R030-Q1 集成了一個硅驅動器，可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實現更高的開關 SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝相結合，可在硬開關電源拓撲中提供干凈的開關和最小的振鈴。可調節的柵極驅動強度允許控制 20V/ns 至 1...
LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，針對開關模式電源轉換器，使設計人員能夠將功率密度和效率提高到新的水平。 LMG352xR050 集成了一個硅驅動器，可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實現更高的開關 SOA。這...
案例72：PCB中鋪“地”和“電源”要避免耦合【現象描述】某產品采用框體背板結構，其他PCB插在背板上通過背板進行互連，正視面的底板安裝背板PCB,其他PCB與背板垂直連接，產品結構安裝示意圖如圖6.27所示。框體采用-48V直流供電。-48V電源信號通過背板傳送到插在框體并與背板相連的各個PCB中...
LMG3626 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。該 LMG3626 通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設計并減少了元件數量。 可編程導通轉換速率提供 EMI 和振鈴控制。與傳統的電流檢測電阻器相...
電力對于現代經濟社會的運行有著至關重要的作用。電力是社會基礎工程的核心部分，它貫穿了工業生產的每一個環節，支持著各行各業的發展。而電網的安全運行成為了這種經濟社會發展的保障。電網的故障或停電不僅會打亂人們的正常生活，還會使生產、交通和服務等經濟社會領域陷入癱瘓，導致經濟損失、社會不安和國家利益受損。...
LMG3622 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。該 LMG3622 通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設計并減少了元件數量。 可編程導通轉換速率提供 EMI 和振鈴控制。與傳統的電流檢測電阻器相...
LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。該 LMG3616 通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設計并減少了元件數量。...
多相電源因其高效率、高功率密度、優秀的熱管理和快速動態響應等優勢，在多個行業中有著廣泛的應用，比如：高性能計算（HPC）、通信基站、智能駕駛、ASIC 或處理器的內核電源以及服務器的存儲器應用等。...
LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。該 LMG3612 通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設計并減少了元件數量。...
之前的文章介紹過DAC幾種結構和開關切換策略，但在實際應用中，其性能受到電容陣列的匹配影響，此時需要引入校準技術來優化這一問題。...
LMG342xR030 集成了一個硅驅動器，可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實現更高的開關 SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝相結合，可在硬開關電源拓撲中提供干凈的開關和最小的振鈴。可調節的柵極驅動強度允許控制 20V/ns 至 150V...
現在可以生成 QR 和 Data Matrix 代碼并將其放置在 PCB 設計中。為此，在選擇文本對象時，在“屬性”面板的“字體類型”區域中選擇“條形碼”，然后在“類型”區域中選擇“QR 碼”或“Data Matrix”。...
LMG342xR050 集成了一個硅驅動器，可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實現更高的開關 SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝相結合，可在硬開關電源拓撲中提供干凈的開關和最小的振鈴。可調節的柵極驅動強度允許控制 20V/ns 至 150V...
LMG2650EVM-100 旨在提供一個快速簡便的平臺，用于評估任何半橋拓撲中的 TI 集成 GaN 器件。該板設計為使用板底部邊緣的 6 個電源引腳和 12 個數字引腳以插座式外部連接與更大的系統連接。電源引腳構成主開關回路，由高壓直流總線、開關節點和電源接地組成。數字引腳通過 PWM 門輸入控...
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