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標簽 > 雷射
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由上述 InP 系列材料面射型雷射發(fā)展可以發(fā)現(xiàn),要制作全磊晶結(jié)構(gòu)的長波長面射型雷射難度較高,因此在1990年中期開始許多光通訊大廠及研究機構(gòu)均投入大量資...
從前面的例子中,可以知道線寬增強因子會讓半導體雷射在動態(tài)操作時譜線變寬,接下來我們要討論的是半導體雷射在穩(wěn)態(tài)操作下的發(fā)光線寬。 同樣的,假設(shè)在一單模操作...
早期面射型雷射由于半導體磊晶技術(shù)簡在發(fā)展初期階段,因此還無法直接成長反射率符合雷射操作需求的全磊晶導體分布布拉格反射器,以Iga?教授團隊所發(fā)表的最早電...
早期所謂的面射型雷射(surface emitting laser, EBL)本質(zhì)上仍然是邊射型雷射的延伸,基本上其元件結(jié)構(gòu)的共振腔方向仍然與磊晶面互相...
2024-12-09 標簽:雷射 385 0
LASER是“l(fā)ight amplification by stimulated emission of radiation”的縮寫,臺灣音譯為雷射,中...
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