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Vishay推出先進的30V N溝道MOSFET,進一步提升隔離和非隔離拓撲結構功率密度和能效
器件采用PowerPAK? 1212?8S封裝,導通電阻低至0.95 mW,優異的FOM僅為29.8 mW*nC。
Vishay推出高精度薄膜片式電阻100 W~3.05MW阻值范圍內TCR可達±2 ppm/C
日前發布的器件從0402到2010包括五種外形尺寸,阻值為100 W~3.05 MW,公差低至± 0.01 %;工作溫度-55°C至+155°C;額定功...
Vishay 推出適用于高濕環境的全新系列交流濾波金屬化聚丙烯薄膜電容器。 Vishay Roederstein?MKP1847C 交流濾波電容器可承受...
在如今層出不窮的電子產品中,光電傳感器總是如影隨形,無處不在。Vishay 光電傳感器在汽車領域顯露光芒,滿足客戶對于安全、操作簡便、以及美觀等方面的需...
Vishay帶來全新解決方案亮相ACR汽車48V系統技術論壇
ACR?汽車 48V 系統技術論壇 4月9日,第四屆 ACR 汽車 48V 系統技術論壇在上海成功舉辦。在本次論壇上,各大廠商都拿出了看家本領,就 48...
器件符合 AEC-Q200 標準,用以取代體積較大且昂貴的解決方案,可在 +155 °C 高溫下連續工作 Vishay 推出新款小型 1500 外形尺寸...
Vishay的新款交流濾波薄膜電容器可在高濕環境下持續穩定工作
Vishay 推出適用于高濕環境的全新系列交流濾波金屬化聚丙烯薄膜電容器---MKP1847C交流濾波。
日前,Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE 股市代號:VSH) 宣布,其Heimdall封裝的TSSP77038紅外(I...
TSSP77038采用Heimdall封裝儲存溫度和工作溫度分別擴展至 -40 °C ~ +110 °C和-30 °C ~ +85 °C
現貨推薦 | Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V (D-S) MOSFET
Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V (D-S) MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術。
Vishay推出全球領先的汽車級80V P溝道MOSFET,以提高系統能效和功率密度
汽車級MOSFET導通電阻比最接近的DPAK封裝競品器件低28 %,比前代解決方案低31 %,占位面積減小50 %,有助于降低導通功耗,節省能源,同時增...
Vishay的新款第五代FRED Pt?600V Hyperfast和Ultrafast整流器具有極高的反向恢復性能
整流器采用TO-220AC和TO-247AD封裝,X型為Hyperfast超高速恢復整流器,H型為Ultrafast超快恢復整流器。
Vishay推出的新款microBUCK? 穩壓器可提高功率密度和瞬變響應能力
日前發布的器件在小型封裝內含有高性能n溝道溝槽式MOSFET和PWM控制器,提高了功率密度。穩壓器靜態工作電流低,峰值效率達98 %,減少功率損耗。
Vishay推出100 %無鉛(Pb)版NTCALUG系列NTC Lug頭熱敏電阻
NTCALUG系列熱敏電阻采用100 %無鉛(Pb)陶瓷,消除了回收和處置過程中可能產生問題的有害物質,從而為更清潔的環境做出貢獻。
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