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Vishay推出最大導通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出業界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現在...
Vishay新款30V MOSFET具有高功率密度和高效率等特性,適用于移動設備和消費電子
賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 4 月25 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:V...
Vishay發布率先采用PowerPAK SC-75和SC-70封裝的MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款100V N溝道TrenchFET?功率MOS...
Vishay推出新款40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L
Vishay推出新款通過AEC-Q101認證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
Vishay推出首款汽車級光電三極管耦合器---VOMA617A
新型AEC-Q101認證的器件,采用SOP-4微型扁平封裝傳輸5mA正向電流Vishay推出首款汽車級光電三極管耦合器---VOMA617A。全新的器件...
賓夕法尼亞、MALVERN — 2016 年 9 月26 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:V...
Vishay宣布擴充其通過MIL-PRF-55342認證的E/H系列SMD薄膜電阻
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,擴充其通過MIL-PRF-55342認證的E/H系列SMD薄...
Vishay推出Mini Lug負溫度系數(NTC)熱敏電阻NTCALUG03
Vishay 宣布推出具有65mm2/ 0.1 in2的業內最小Lug安裝空間的新系列Mini Lug負溫度系數(NTC)熱敏電阻--- NTCALUG03
Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出頻率范圍達12MHz~25MHz的新款超小型SMD石英晶振--- XT23和XT35
Vishay推出新型高功率紅外發射器,輻照強度提升30%,體積減小20%
850 nm和 940 nm器件采用3.4 mm×3.4 mm表面貼裝封裝,驅動電流達1.5A DC,脈沖電流為5A,亮度可達6000 mW/sr。
Vishay推出壽命超過60,000小時的薄膜電容器MKP1847
Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款容量1μF~70μF、壽命超過60,000小時的高性能鍍金屬AC聚丙烯薄膜電容器-...
Vishay發布通過DSCC核對總和MIL-PRF-32159認證的新款零阻值跳線
Vishay日前宣布推出通過DSCC檢驗的新款零阻值貼片電阻,該電阻通過了MIL-PRF-32159的RCZ型認證。對于軍工、航空、航太、醫療及其他在惡...
2011-01-27 標簽:VishayDSCCMIL-PRF-3215 1648 0
Vishay公司推出紅外發射器VSMG10850和VSMB10940
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新型高速850nm紅外發射器--- VSMG108...
Vishay推出新款IHLP低外形高電流電感器IHLP-3232DZ-
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款IHLP?低外形、高電流電感器--- IHLP...
Vishay公司(威世)光學電子小組推出了一種新型接近傳感器,可實現長達30厘米的傳感距離。
Vishay推業內最低RS-S(ON)60V共漏極器件,適于24V系統和工業應用雙向開關
Vishay推出采用小型熱增強型PowerPAK? 1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。
Vishay推出4款MOSFET 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款新的600V FET">M...
Vishay推出新款30V n溝道MOSFET半橋功率級模塊---SiZF300DT
SiZF300DT比6mm x 5mm封裝類似導通電阻的雙片器件節省65 %的空間,是市場上最緊湊的集成產品之一。
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