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SRAM(Static Random Access Memory),即靜態(tài)隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內存,不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。
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PSRAM它具有類SRAM的接口協議:給出地址、讀、寫命令,就可以實現存取,不像DRAM需要memory controller來控制內存單元定期數據刷新...
IS62WV51216EBLL是高速8M位sram,組織為512K字乘16位。它采用的高性能CMOS技術制造。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設計技術,...
隨著半導體技術的飛速發(fā)展,各種存儲器相繼推出,性能不斷提高。目前存儲器主要有以下幾種類型:靜態(tài)RAM(SRAM),動態(tài)RAM(DRAM)EPROM,EE...
SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。SRAM具有較高的性能,功耗較小。SRAM主要用于二級高速緩存。它利用晶體管來存儲數據。但是SRAM也有...
? ? 進入最近幾年,每當我們引入一個新的先進工藝節(jié)點,大家都把絕大多數注意力集中在光刻更新上。引用的常用指標是每平方毫米的晶體管或(高密度)SRAM位...
SoC有基于應用程序的內存。這些存儲器是用于計算的半導體存儲器塊。半導體存儲器通常是指在單個硅片上制造的金屬氧化物半導體存儲器單元。內存類型包括: 易失...
EEPROM和FLASH在大多數應用場合中均無法替代SRAM
隨著半導體技術的飛速發(fā)展,各種存儲器相繼推出,性能不斷提高。 眾所周知,普通SRAM在電源掉電后,其中的數據隨即消失,再次加電后,存儲器中的數據為隨機數...
MRAM即磁阻式隨機訪問存儲器的簡稱。經過10多年不間斷的研發(fā),全球第一款正式量產并供貨的MRAM芯片型號為MR2A16A,它采用44腳的TSOP封裝,...
如若某一天,某種通用存儲器或殺手級存儲器將能夠同時替代SRAM,DRAM和閃存。在可預見的未來,雖然下一代存儲技術仍然不能完全取代傳統存儲器,但它們可以...
NV-SRAM將成為寫日記應用程序的理想非易失性存儲解決方案
RAID存儲系統概述 RAID最初由UCBerkeley的Garth Gibson,Randy Katz和Dave Patterson于1980年代后期...
NV-SRAM與BBSRAM的對比,誰的優(yōu)勢更加明顯
隨著無鉛技術在全球的推廣,NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM(BBSRAM)技術相比較。 BBS...
詳細介紹NV-SRAM與電池供電SRAM(BBSRAM)相比所具有的優(yōu)點
隨著無鉛技術在全球的推廣,NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM(BBSRAM)相比所具有的優(yōu)點。 ...
賽普拉斯的NV-SRAM將標準快速SRAM單元(訪問時間高達20 ns)與基于硅氧化物和亞硝酸鹽,氧化物硅(SONOS)的非易失性存儲元件相結合,可提供...
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