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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

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sram技術(shù)

深入解析Cache在AI處理器設(shè)計(jì)中的作用機(jī)制

最快的存儲(chǔ)器類型是SRAM，但每個(gè)SRAM單元需要六個(gè)晶體管，因此SRAM在SoC內(nèi)部很少使用，因?yàn)樗鼤?huì)消耗大量的空間和功率。

2024-03-25 標(biāo)簽：集成電路存儲(chǔ)器 sram 674 0

fpga是什么架構(gòu)

FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列）的架構(gòu)主要由可配置邏輯模塊（CLB）、輸入/輸出模塊（IOB）以及可編程互連資源組成。

2024-03-14 標(biāo)簽：FPGA 存儲(chǔ)器 sram 1177 0

GPU CUDA 編程的基本原理是什么

神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)能加速的有很多，當(dāng)然使用硬件加速是最可觀的了，而目前除了專用的NPU（神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速單元），就屬于GPU對(duì)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速效果最好了

2024-03-05 標(biāo)簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)gpu sram 1121 0

人工智能與機(jī)器學(xué)習(xí)計(jì)算中的內(nèi)存挑戰(zhàn)

更多帶寬 – 隨著需要移動(dòng)大量數(shù)據(jù)，我們目睹了所有 DRAM 類型繼續(xù)競(jìng)相提高數(shù)據(jù)速率以提供更多內(nèi)存帶寬。

2024-03-04 標(biāo)簽：DRAM sram 人工智能 410 0

英特爾Clearwater Forest系列突破高核心數(shù)服務(wù)器CPU

在封裝方面，英特爾表示，對(duì)于Clearwater Forest，將使用其他工藝節(jié)點(diǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)SRAM和I/O，因?yàn)檫@些節(jié)點(diǎn)在較新的工藝上無(wú)法很好地?cái)U(kuò)展。

2024-03-01 標(biāo)簽：英特爾 cpu sram 741 0

電遷移導(dǎo)致半導(dǎo)體失效的機(jī)理探討

SRAM工藝的處理器是通過(guò)CMOS內(nèi)部管道切換的方式工作，其產(chǎn)品處理速度較高，被眾多用戶接受。但是，CMOS工藝有一個(gè)致命缺陷，由于工藝原因，伴隨CMO...

2024-02-29 標(biāo)簽：處理器 FPGA CMOS 1017 0

GD32F4的TCMSRAM（緊耦合SRAM）該如何使用？

如下圖所示，GD32F4系列內(nèi)部SRAM分為通用SRAM空間和TCMSRAM空間，其中通用SRAM為從0x20000000開(kāi)始的空間，TCMSRAM為從...

2024-02-24 標(biāo)簽：單片機(jī)sram GD32 2291 0

TSV與異構(gòu)集成技術(shù)的前沿進(jìn)展與趨勢(shì)展望

先進(jìn)封裝是芯片設(shè)計(jì)的必由之路。TSV則是必由之路上的服務(wù)站。世界上各個(gè)主要的IC廠商包括設(shè)計(jì)、晶圓、封測(cè)廠商，開(kāi)發(fā)了一大批專利技術(shù)，使用TSV達(dá)成各種復(fù)...

2024-02-25 標(biāo)簽：sram 芯片設(shè)計(jì)TSV 1520 0

未來(lái)十年：邏輯電路的發(fā)展趨勢(shì)與前景展望

實(shí)際測(cè)量的 SRAM 內(nèi)存面積比筆者通常聽(tīng)到人們談?wù)摰钠舷到y(tǒng) (SOC) 產(chǎn)品的百分比要小得多。

2024-02-20 標(biāo)簽：amd 邏輯電路 sram 1359 0

MRAM特性優(yōu)勢(shì)和存儲(chǔ)原理

MRAM是以磁性隧道結(jié)（MTJ）儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層，和一個(gè)通過(guò)隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同...

2024-02-19 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 晶體管 1820 0

SRAM CLA和SRAM有什么區(qū)別

每個(gè)SRAM單元的核心由兩個(gè)CMOS反相器構(gòu)成，這兩個(gè)反相器相互連接，每個(gè)反相器的輸出電位被用作另一個(gè)反相器的輸入。這種結(jié)構(gòu)使得每個(gè)SRAM單元都可以保...

2024-02-19 標(biāo)簽：CMOS 存儲(chǔ)器 sram 1326 0

動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器和靜態(tài)存儲(chǔ)器的區(qū)別

SRAM 中的每個(gè)存儲(chǔ)單元由多個(gè)觸發(fā)器構(gòu)成。每個(gè)觸發(fā)器可以存儲(chǔ)一個(gè)位的數(shù)據(jù)，并在電源供電時(shí)一直保持該狀態(tài)，不需要刷新操作。

2024-02-05 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 sram 6072 0

為什么GD32F303代碼運(yùn)行在flash比sram更快？

我們知道一般MCU的flash有等待周期，隨主頻提升需要插入flash讀取的等待周期，以stm32f103為例，主頻在72M時(shí)需要插入2個(gè)等待周期，故而...

2024-01-31 標(biāo)簽：單片機(jī)嵌入式 sram 1330 0

【BBuf的CUDA筆記】OpenAI Triton入門筆記一

這里來(lái)看官方的介紹：https://openai.com/research/triton ，從官方的介紹中我們可以看到OpenAI Triton的產(chǎn)生動(dòng)...

2024-01-23 標(biāo)簽：sram 多處理器 Cache 3037 0

先楫HPM片上Cache使用指南經(jīng)驗(yàn)分享

高速緩存（Cache）主要是為了解決CPU運(yùn)算速度與內(nèi)存（Memory）讀寫(xiě)速度不匹配的矛盾而存在，是CPU與存儲(chǔ)設(shè)備之間的臨時(shí)存貯器，容量小，但是交...

2024-01-22 標(biāo)簽：sram 高速緩存 Cache 1710 0

為什么半導(dǎo)體行業(yè)試圖取代 FinFET？

納米片晶體管并不能拯救摩爾定律，也不能解決代工廠在最先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)上面臨的所有挑戰(zhàn)。為了克服這些問(wèn)題，代工廠正在尋求各種創(chuàng)新，例如背面供電（BSPD），以...

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STM32單片機(jī)程序是如何編譯，運(yùn)行的？

block 0 里面有一段叫做FLASH，也就是內(nèi)部FLASH，我們的程序就是下載到這個(gè)地方，起始地址是0X800 0000，大家注意，這個(gè)只有1M空間...

2024-01-12 標(biāo)簽：單片機(jī)FlaSh sram 3132 0

關(guān)于SRAM存儲(chǔ)容量及基本特點(diǎn)

通常我們將存儲(chǔ)容量表示為：字?jǐn)?shù)X位數(shù)，比如64KX8位，其含義為，以8位構(gòu)成一個(gè)字，一共有64個(gè)字。這個(gè)概念要相當(dāng)熟悉，后面理解題目很有用。

2024-01-09 標(biāo)簽：放大器 DRAM 存儲(chǔ)器 2651 0

深入探索MRAM的原理與技術(shù)

2024-01-09 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram MRAM 1828 0

賽普拉斯的NV-SRAM接口解決方案

賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元（訪問(wèn)時(shí)間高達(dá)20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合，可提供...

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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