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smu

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smu技術(shù)

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源測(cè)量單元(SMU)可同時(shí)輸出和測(cè)量電壓、電流,廣泛用于器件與材料的I-V特性表征,尤其擅長(zhǎng)低電流測(cè)量。在測(cè)試系統(tǒng)中存在長(zhǎng)電纜或高寄生電容的情況下,部分...

2025-06-04 標(biāo)簽:OLED電纜SMU 337 0

深入解析TC3xx芯片中的SMU模塊應(yīng)用

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SMU_CORE 和 SMU_Stdby 的設(shè)計(jì)方式和時(shí)間安排各不相同。SMU 的兩個(gè)部分之間存在物理隔離。它們位于不同的時(shí)鐘和電源域中。這允許 SMU...

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電容電壓(C-V)測(cè)量通常采用交流測(cè)量技術(shù)。而一些電容測(cè)量需要直流測(cè)量技術(shù),被稱為準(zhǔn)靜態(tài)C-V(或QSCV)測(cè)量,因?yàn)樗鼈兪窃诜浅5偷臏y(cè)試頻率下進(jìn)行的,...

2024-02-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體前置放大器SMU 1683 0

英飛凌TC3xx系列安全管理單元的使用

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本篇文檔主要用來(lái)介紹英飛凌基于AURIX-2G TriCore 1.6.2架構(gòu)的 TC3xx系列安全管理單元的使用。

2023-12-07 標(biāo)簽:英飛凌mcu安全管理 3053 0

數(shù)字源表如何選型?不如來(lái)下文“挖一挖”

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數(shù)字源表也稱為源測(cè)量單元(SMU),集數(shù)字萬(wàn)用表、電壓源、電流源、電子負(fù)載以及脈沖發(fā)生器、波形發(fā)生器等功能于一體,同時(shí)可精確限流保護(hù)器件不受損壞。在功率...

2023-06-08 標(biāo)簽:脈沖發(fā)生器SMU數(shù)字源表 996 0

【技術(shù)大咖測(cè)試筆記系列】之九:新型SMU克服低電流容性設(shè)置的棘手測(cè)試挑戰(zhàn)

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與其他靈敏的SMU相比,新推出的Keithley 4201-SMU中等功率SMU和4211-SMU高功率SMU (選配4200-PA前置放大器)大幅度提...

2021-11-23 標(biāo)簽:前置放大器OLED平板顯示器 2193 0

【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試】系列之四:寬禁帶材料測(cè)試

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隨著電子電力的發(fā)展,功率器件的使用越來(lái)越多,SiC、GaN等被廣泛應(yīng)用于射頻與超高壓等領(lǐng)域。

2021-03-26 標(biāo)簽:萬(wàn)用表SiCGaN 1156 0

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采用高內(nèi)阻的靜電計(jì)6517+數(shù)據(jù)采集儀DMM6500+納米發(fā)電采集軟件來(lái)進(jìn)行微小納米發(fā)電電流數(shù)據(jù)采集。

2021-03-05 標(biāo)簽:泰克納米石墨烯 1892 0

【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試課堂】系列之一: 納米測(cè)試(上)

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納米材料的表征包括成分分析,顆粒分析,結(jié)構(gòu)分析,性能分析,分析方法以電鏡分析為主,特別是掃描隧道電鏡(SMT),在導(dǎo)體和半導(dǎo)體納米材料分析上具有優(yōu)勢(shì)。

2021-02-25 標(biāo)簽:納米石墨烯SMU 2417 0

一文解析源測(cè)量單元(SMU)儀器

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源測(cè)量單元(SMU)儀器在單個(gè)儀器中集成了精密電源(PPS)和高性能數(shù)字萬(wàn)用表(DMM)的功能。

2021-05-07 標(biāo)簽:脈沖發(fā)生器SMU波形發(fā)生器 1.0萬(wàn) 0

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盡管電源和DMM適合某些測(cè)量,但在同一臺(tái)儀器中進(jìn)行采購(gòu)和測(cè)量有許多優(yōu)點(diǎn)。但是我遇到的許多工程師都不熟悉這種方法。對(duì)于此博客文章,我已經(jīng)請(qǐng)我的同事*瑪麗·...

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IV曲線告訴我們電壓和電流如何變化,而且我們可以據(jù)此計(jì)算太陽(yáng)能電池產(chǎn)生的實(shí)際功率量。圖6所示為功率 (mW) 與電池電壓的關(guān)系曲線。功率就等于V × I。

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近日,基于美國(guó)國(guó)家儀器 (National Instruments,以下簡(jiǎn)稱“NI”) 的PXI源測(cè)量單元 (SMU),專注利用人工智能驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體測(cè)試測(cè)...

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