羅姆：憑SiC拿下電動(dòng)方程式大賽，逆變器減小30％

在SiC功率器件方面，羅姆展示了該公司的第3代產(chǎn)品。SiC MOSFET的第三代產(chǎn)品是采用“雙溝道結(jié)構(gòu)”的溝道型。相同芯片尺寸下，導(dǎo)通電阻較原來(lái)的平面型...

2016-11-23 標(biāo)簽：逆變器SiC羅姆 1364 0

世界各國(guó)第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展情況

由于第三代半導(dǎo)體材料具有非常顯著的性能優(yōu)勢(shì)和巨大的產(chǎn)業(yè)帶動(dòng)作用，歐美日等發(fā)達(dá)國(guó)家和地區(qū)都把發(fā)展碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)列入國(guó)家戰(zhàn)略，投入巨資支持發(fā)展。本文將對(duì)第...

2016-11-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 3017 0

功率半導(dǎo)體市場(chǎng)大幅增長(zhǎng) SiC躋身電源組件主流

過(guò)去幾年來(lái)，碳化硅（SiC）型功率半導(dǎo)體解決方案的使用情形大幅成長(zhǎng)，成為各界仰賴的革命性發(fā)展。推動(dòng)此項(xiàng)市場(chǎng)發(fā)展的力量包括下列趨勢(shì)：節(jié)能、縮減體積、系統(tǒng)整...

2016-11-14 標(biāo)簽：igbtSiC功率半導(dǎo)體 2095 0

關(guān)于SiC和GaN的一些技術(shù)比較

臺(tái)達(dá)電技術(shù)長(zhǎng)暨總經(jīng)理張育銘表示，以前電力電子的廠商其實(shí)不多，不過(guò)近期隨著碳化硅、氮化鎵的半導(dǎo)體元件越來(lái)越多，這部分的市場(chǎng)是值得期待的。另外，若以功率設(shè)備...

2016-10-26 標(biāo)簽：SiCGaN半導(dǎo)體芯片 1.0萬(wàn) 0

日立推出車新型SiC逆變器，電力損耗減少60%

日立運(yùn)用了以前開(kāi)發(fā)的SiC與GaN并行封裝技術(shù)和雙面冷卻型功率模塊技術(shù)，開(kāi)發(fā)出了全SiC功率模塊以及采用這種模塊的HEV/EV用逆變器。

2016-09-26 標(biāo)簽：日立sic 1645 0

崛起的大陸功率半導(dǎo)體，日本如鯁在喉

　　功率半導(dǎo)體器件是日本的優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域。如今在這個(gè)領(lǐng)域，中國(guó)的實(shí)力正在快速壯大。日本要想在這個(gè)領(lǐng)域繼續(xù)保持強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力，重要的是大力研發(fā)SiC、GaN、組裝...

2016-05-12 標(biāo)簽：功率器件SiCGaN 4728 0

英飛凌推出革命性的1200V碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù) 助力電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)提升效率和性能

英飛凌全新1200V SiC MOSFET經(jīng)過(guò)優(yōu)化，兼具可靠性與性能優(yōu)勢(shì)。它們?cè)趧?dòng)態(tài)損耗方面樹(shù)立了新標(biāo)桿，相比1200V硅（Si）IGBT低了一個(gè)數(shù)量級(jí)...

2016-05-10 標(biāo)簽：英飛凌MOSFETSiC 8479 0

SiC/GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)值,2020年破10億美元

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS最新統(tǒng)計(jì)報(bào)告指出，隨著愈來(lái)愈多供應(yīng)商推出產(chǎn)品，2015年碳化矽（SiC）功率半導(dǎo)體平均銷售價(jià)格已明顯下滑，有望刺激市場(chǎng)加速采 用；與此...

2016-03-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiCGaN 1615 0

SiC功率器件加持，羅姆閃耀慕尼黑上海電子展

作為業(yè)內(nèi)極具代表性的電子展之一，3月中旬在滬舉辦的慕尼黑上海電子展吸引了海內(nèi)外眾多半導(dǎo)體廠商的關(guān)注。日本的知名廠商羅姆（ROHM）半導(dǎo)體也攜帶了其最新的...

2016-03-23 標(biāo)簽：電源管理模擬電源功率器件 1766 0

Bulk Si技術(shù)近極限，功率半導(dǎo)體大廠加速投入GaN、SiC開(kāi)發(fā)

更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運(yùn)作頻率，分別適用在不同的應(yīng)用，對(duì)于電動(dòng)車、油電混合車、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對(duì)于新一代的行動(dòng)通訊基地臺(tái)，...

2015-11-22 標(biāo)簽：SiCGaNBulk Si 1810 0

羅姆亮相高交會(huì)，電源與物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品亮眼

　　2015年11月16日，第十七屆高交會(huì)電子展在深圳拉開(kāi)帷幕，作為中國(guó)電子行業(yè)最具代表性的展會(huì)之一，本次展會(huì)吸引了眾多半導(dǎo)體廠商關(guān)注。來(lái)自日本的知名半...

2015-11-20 標(biāo)簽：高交會(huì)SiC羅姆 1672 0

業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導(dǎo)通電阻65 mΩ

SiC市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者Cree（科銳公司）近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺(tái)。

2015-09-07 標(biāo)簽：MOSFETSiCC3M0065090J 2296 0

探秘大基金，下一個(gè)集成電路投資目標(biāo)瞄準(zhǔn)誰(shuí)

自去年國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（以下簡(jiǎn)稱大基金）成立，至今已募集資金1300多億元，提前并超額完成了基金的募集任務(wù)。正是因?yàn)椤笆治罩亟稹保婚g對(duì)于大基金...

2015-07-21 標(biāo)簽：SiCFinFET 1067 0

世強(qiáng)簽約SiC巨頭CREE 共拓工業(yè)與汽車領(lǐng)域新版圖

2015-06-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC汽車工業(yè) 1089 0

高效率低能耗，SiC/GaN元件掀功率半導(dǎo)體革命熱潮

隨著全球節(jié)能環(huán)保意識(shí)抬頭，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開(kāi)始投入提高產(chǎn)品效率、降低功耗以及減少材料使用的技術(shù)開(kāi)發(fā)，加上電動(dòng)車、再生能源以及各種能源傳輸與轉(zhuǎn)換系統(tǒng)不斷要求高效...

2014-10-03 標(biāo)簽：功率器件SiCGaN 5893 1

新一代功率半導(dǎo)體大熱，節(jié)能成發(fā)展關(guān)鍵

技術(shù)信息供應(yīng)商美國(guó)IHSGlobal預(yù)測(cè)稱，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將穩(wěn)定發(fā)展。全球市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)在2017年，將從2012年的114億美元擴(kuò)大到141億美元。其中...

2014-02-12 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 1359 0

國(guó)家政策支持，中國(guó)功率半導(dǎo)體將迎來(lái)黃金發(fā)展期

據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)的相關(guān)人士透露，有關(guān)促進(jìn)集成電路發(fā)展的綱要性文件已草擬完畢，目前正在進(jìn)行部際協(xié)調(diào)。上證報(bào)資訊獲悉，政策扶持的重點(diǎn)將主要集中于集成電路...

2014-01-21 標(biāo)簽：IGBTSiC功率半導(dǎo)體 1945 0

新一代功率半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)競(jìng)爭(zhēng)激烈，亞洲企業(yè)紛紛涉足

　與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元...

2013-12-30 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 952 0

鎖定大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用　飛兆強(qiáng)推SiC功率元件

　為改善過(guò)去采用硅（Si）材料開(kāi)發(fā)的功率元件無(wú)法耐高溫環(huán)境、低承受電壓值等缺陷，飛兆半導(dǎo)體（Fairchild）已改用碳化硅（SiC）材料量產(chǎn)雙極接面電...

2013-12-27 標(biāo)簽：飛兆SiC功率半導(dǎo)體 1007 0