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      標簽　>　sic

      sic

      sic

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      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

      文章：2838個 瀏覽：65230次 帖子：124個

      sic資訊

      SiC在半導體中的好處分析

      在外延片方面，我國已經(jīng)取得了可喜的成果。六英寸的碳化硅外延產(chǎn)品可以實現(xiàn)本土供應，建成或在建一批專用的碳化硅晶圓廠等。比如瑞能的碳化硅二極管產(chǎn)品以及產(chǎn)業(yè)鏈...

      2020-09-26 標簽：芯片半導體電力 4862 0

      5G性能爆發(fā)突破口 RF GaN蓬勃發(fā)展

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      RF GaAs模具市場將從2019年的28億美元左右增長到2025年的36億美元以上。這一市場是由5G和Wi-Fi6手機應用需求的增長推動的。

      2021-01-04 標簽：射頻SiC氮化鎵 1932 0

      意法半導體第二代SiC功率MosFET特性

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      意法半導體（ST）推出了第二代SiC功率MosFET，具有單位面積極低的導通電阻（RDSon）和優(yōu)良的開關性能，開關損耗在結溫范圍內幾乎沒有變化。 ST...

      2020-11-26 標簽：轉換器MOSFET逆變器 1621 0

      Microchip推出AgileSwitch數(shù)字可編程柵極驅動器和SiC功率模塊套件

      在討論SiC的過程中，人們往往忽略了其用戶可能面臨的負面二次效應。雖然SiC器件提供快速開關，但其結果可能是由振鈴、過沖和欠沖造成的噪聲。SiC還容易發(fā)...

      2020-09-25 標簽：驅動器電路板SiC 2557 0

      基于GaN和SiC的功率半導體將推動電力電子封裝集成和應用

      另一方面，地殼中含有豐富的硅元素，其中30%是由硅組成的。工業(yè)規(guī)模的單晶碳化硅錠的生長是一種成熟的、可利用的資源。最近，先驅者已經(jīng)開始評估8英寸晶圓，有...

      2020-09-25 標簽：半導體功率器件SiC 1903 0

      第三代半導體仍面臨著亟待突破的技術難題?

      由于基于硅材料的功率半導體器件的性能已接近物理極限，以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體憑借其優(yōu)異的材料物理特性，在提升電力電子器件...

      2020-09-22 標簽：半導體電力電子SiC 4673 0

      薩科微SLKOR的MOS 場效應管應用范圍和型號

      深圳市薩科微SLKOR（http://www.slkormicro.com）科技有限公司于2005年開始研發(fā)產(chǎn)品，總部位于韓國釜山，專業(yè)從事功率元器件的...

      2020-09-21 標簽：場效應管MOSSiC 4076 0

      在SiC市場，各企業(yè)間的競爭焦點主要集中在哪些方面

      碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導率是Si的3倍，具有更高頻、...

      2020-09-21 標簽：半導體安森美SiC 2062 0

      寬帶隙半導體是一項關注度很高的替代技術

      摘要：傳統(tǒng)硅基MOSFET技術日趨成熟，正在接近性能的理論極限。寬帶隙半導體的電、熱和機械特性更好，能夠提高MOSFET的性能，是一項關注度很高的替代技...

      2020-09-18 標簽：MOSFET半導體SiC 2484 0

      肖特基二極管和 MOSFET 的雪崩耐受性

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      半導體市場的最新趨勢是廣泛采用碳化硅（SiC）器件，包括用于工業(yè)和汽車應用的肖特基勢壘二極管（SBD）和功率 MOSFET。與此同時，由于可供分析的現(xiàn)場...

      2020-09-14 標簽：SiCCruiseContro 4202 0

      SiC功率器件或將加速融入車載充電器領域

      新能源車的功率控制單元（PCU）是汽車電驅系統(tǒng)的中樞神經(jīng)，管理電池中的電能與電機之間的流向和傳遞速度，傳統(tǒng)PCU使用硅基材料制成，強電流與高壓電穿過硅制...

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      碳化硅等第三代半導體迎來政策東風 中國擬全面支持半導體產(chǎn)業(yè)

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      今天政策層面有一個大消息，特大消息，那就是我國擬全面支持半導體產(chǎn)業(yè)，第三代半導體產(chǎn)業(yè)將寫入十四五規(guī)劃，利好刺激下半導體、MINILED等科技股全天持續(xù)大...

      2020-09-04 標簽：半導體功率器件SiC 6806 0

      科銳在美國紐約建造全球最大的碳化硅（SiC）制造工廠

      美國北卡羅萊納州達勒姆訊––Cree，Inc.（Nasdaq:CREE）宣布，科銳正在推進從硅（Si）向碳化硅（SiC）的產(chǎn)業(yè)轉型。為了滿足日益增長的對...

      2020-09-02 標簽：LEDSic碳化硅 2727 0

      “新一輪產(chǎn)業(yè)升級，全球進入第三代半導體時代“

      碳化硅，作為發(fā)展的最成熟的第三代半導體材料，其寬禁帶，高臨界擊穿電場等優(yōu)勢，是制造高壓高溫功率半導體器件的優(yōu)質半導體材料。

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        系統(tǒng)電源
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      • 董明珠
        董明珠
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        董明珠， 出生于江蘇南京，企業(yè)家 ，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術學院、中南財經(jīng)政法大學EMBA2008級 、中國社會科學院經(jīng)濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。 　　1990年進入格力做業(yè)務經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務 。2004年3月，當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
      • LT8705
        LT8705
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      安森美 DIODES Nidec Intel EPSON 樂鑫 Realtek ERNI電子
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