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      標(biāo)簽　>　sic

      sic

      sic

      +關(guān)注31人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

      文章：2841個 瀏覽：65321次 帖子：124個

      sic資訊

      6.3.2 氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

      6.3.2 氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

      6.3.2氧化硅的介電性能6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.1氧化...

      2022-01-04 標(biāo)簽：SiC 1418 0

      6.3.5.2 氧化后退火∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

      6.3.5.2 氧化后退火∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

      6.3.5.2氧化后退火6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進(jìn)方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、...

      2022-01-13 標(biāo)簽：SiC 1199 0

      6.3.4.5 高低頻方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

      6.3.4.5 高低頻方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

      6.3.4.5高低頻方法6.3.4電學(xué)表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和...

      2022-01-10 標(biāo)簽：SiC 743 0

      ９.２.１　電流-電壓關(guān)系∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

      ９.２.１　電流-電壓關(guān)系∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

      ９.２.１電流-電壓關(guān)系９.２絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）第９章雙極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國產(chǎn)...

      2022-03-21 標(biāo)簽：電壓SiC 602 0

      8.2.10.1 影響反型層遷移率的機(jī)理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

      8.2.10.1 影響反型層遷移率的機(jī)理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

      8.2.10.1影響反型層遷移率的機(jī)理8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅...

      2022-03-03 標(biāo)簽：SiC 814 0

      6.3.1 氧化速率∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

      6.3.1 氧化速率∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

      6.3.1氧化速率6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.2.3濕法腐蝕∈《...

      2022-01-04 標(biāo)簽：SiC 1130 0

      6.3.5.4 其他方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

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      6.3.5.4其他方法6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進(jìn)方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表...

      2022-01-18 標(biāo)簽：SiC 1145 0

      6.5 總結(jié)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

      6.5 總結(jié)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

      6.5總結(jié)第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長...

      2022-01-27 標(biāo)簽：SiC 1660 0

      7.3.2 “i”區(qū)中的載流子濃度∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

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      7.3.2“i”區(qū)中的載流子濃度7.3pn與pin結(jié)型二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7....

      2022-02-14 標(biāo)簽：SiC 834 0

      6.2.3 濕法腐蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

      6.2.3 濕法腐蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

      6.2.3濕法腐蝕6.2刻蝕第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.2.2高溫氣體刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理—...

      2022-01-04 標(biāo)簽：SiC 1044 0

      8.2.1 MOS靜電學(xué)回顧∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

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      8.2.1MOS靜電學(xué)回顧8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》...

      2022-02-22 標(biāo)簽：MOSSiC 1033 0

      6.3.4.3 確定表面勢、6.3.4.4 Terman法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

      6.3.4.3 確定表面勢、6.3.4.4 Terman法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

      6.3.4.4Terman法6.3.4.3確定表面勢6.3.4電學(xué)表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基...

      2022-01-07 標(biāo)簽：SiC 1492 0

      8.2.11 氧化層可靠性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

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      2022-03-07 標(biāo)簽：SiC 661 0

      6.3.6 不同晶面上的氧化硅/SiC 界面特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

      6.3.6 不同晶面上的氧化硅/SiC 界面特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

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      2022-01-21 標(biāo)簽：SiC 1348 0

      6.3.5.1 界面態(tài)分布∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

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      6.3.5.1界面態(tài)分布6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進(jìn)方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、...

      2022-01-12 標(biāo)簽：SiC 1435 0

      6.3.7 遷移率限制因素∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

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      6.3.7遷移率限制因素6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.6不同晶...

      2022-01-21 標(biāo)簽：SiC 1337 0

      6.3.5.3 界面氮化∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

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      6.3.5.3界面氮化6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進(jìn)方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表...

      2022-01-17 標(biāo)簽：SiC 1140 0

      8.2.10.3 4H-SiC反型層遷移率的實驗結(jié)果∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

      8.2.10.3 4H-SiC反型層遷移率的實驗結(jié)果∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

      8.2.10.34H-SiC反型層遷移率的實驗結(jié)果8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關(guān)...

      2022-03-05 標(biāo)簽：SiC 763 0

      碳化硅的需求正在飆升

      　到2030年，汽車電源市場（包括功率MOSFET、IGBT和SiC半導(dǎo)體）的收入預(yù)計將達(dá)到266億美元，幾乎是今年收入的兩倍。未來五年，車用功率芯片市...

      2023-06-16 標(biāo)簽：MOSFET逆變器IGBT 1490 0

      1200V氮化鎵挑戰(zhàn)SiC是否真的可行？

      1200V氮化鎵挑戰(zhàn)SiC是否真的可行？

      在全球最大的電力電子展 PCIM Europe 2023 上，旨在以類似硅的成本實現(xiàn)垂直 GaN（氮化鎵）功率晶體管的歐洲財團(tuán) YESvGaN 介紹了其方案。

      2023-06-16 標(biāo)簽：IGBTSiC氮化鎵 958 0

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        董明珠
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        董明珠， 出生于江蘇南京，企業(yè)家 ，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級 、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。 　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
      • LT8705
        LT8705
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