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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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第一代半導體材料以傳統的硅（Si）和鍺（Ge）為代表，是集成電路制造的基礎，廣泛應用于低壓、低頻、低功率的晶體管和探測器中，90%以上的半導體產品 是用...
理由相信潮流正在轉變。正如TechInsights在不久前發布的PCIM Europe 2023 -產品公告和亮點博客[4]文章中所討論的那樣，英飛凌宣...
日前，Power Integrations（PI）舉辦新品媒體線上溝通會，公司資深技術培訓經理Jason Yan介紹了在美國APEC展（國際電力電子應用...
SiC（碳化硅）功率器件以其耐高溫、耐高壓、低開關損耗等特性，能有效實現電力電子系統的高效率、小型化、輕量化、高功率密度等要求，受到了新能源汽車、光伏發...
首先，讓我們簡要介紹一下碳化硅到底是什么，以及它與傳統硅的一些不同之處。關于SiC的一個有趣的事實是，碳化硅的碳化物成分不是天然存在的物質。事實上，碳化...
電子產品節能的呼吁可能很難與電子產品節能的呼聲聯系起來，因為這意味著您的電費只需減少幾美分或對減少全球 CO 2排放量的貢獻很小，但是當電動汽車的效率更...
超寬帶隙(UWBG)半導體相比si和寬帶隙材料如SiC和GaN具有更優越的固有材料特性。在不同的UWBG材料中，氧化鎵正逐漸展現出其在高壓電力電子領域的...
我們中許多擁有電動汽車的人不得不考慮充電問題 — 重點在于節約能源，所以微電網從當地可再生能源中獲取電能絕對符合時代精神。電動車電池是一種大型充電負載，...
硅基MOSFET和IGBT過去一直在電力電子應用行業占據主導地位，這些應用包括不間斷電源、工業電機驅動、泵以及電動汽車（EV）等。然而，市場對更小型化產...
一種新型3.6-kV/400-A SiC IPM可提升電源應用的性能
高能效對于多種大電流電源應用至關重要，包括工業電機驅動器、可再生能源系統和固態變壓器。盡管硅長期以來一直是這些應用中使用的主要半導體，但由于SiC提供的...
SiC（碳化硅）是由硅和碳化物組成的化合物半導體。與硅相比，SiC具有許多優勢，包括10倍的擊穿電場強度，3倍的帶隙，以及實現器件結構所需的更廣泛的p型...
摘要：通過調節中頻感應線圈的輸出功率來改變碳化硅升華生長坩堝的加熱溫度，并采用 NaCl 和 Al2O3 進行燒結實驗，觀察不同輸出功率下燒結后的形貌變...
本文我們將重點介紹第三代半導體中的碳化硅（SiC），與下文氮化鎵（GaN）的形式統一如何助力軌道交通完成“碳達峰”目標，并為大家推薦貿澤電子在售的領先的...
在SiC晶體的擴徑生長上比較困難，比如我們有了4英寸的晶體，想把晶體直徑擴展到6英寸或者8英寸上，需要花費的周期特別長。
碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高熱導率等優異性能，在新能源汽車、光伏和5G通訊等領域具有重要的應用。與目前應用廣泛的4H-...
近年來移動通訊技術不斷快速迭代革新，為支持更快的數據傳輸速率，射頻器件正向更高的頻譜范圍進行拓展遷移。
液相法的核心在于使用石墨坩堝作為反應器，通過在熔融純硅中加入助溶劑，提高其對碳的溶解度。在坩堝靠近壁面的高溫區域，碳溶解于熔融硅中
以金剛石、氧化鎵、氮化硼為代表的超寬禁帶半導體禁帶寬度、化學穩定性、擊穿場強等優勢，是國際半導體領域的研究熱點。
SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。 不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬范圍內...
本文探討了全新的 Wolfspeed WolfPACK 系列無碳化硅無基板功率模塊，并展示了這種多功能且可擴展的模塊方法如何實現當前硅 （Si） 設計的...
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