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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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寬帶隙半導(dǎo)體使許多以前使用硅(Si)無法實(shí)現(xiàn)的高功率應(yīng)用成為可能,兩種材料的特性說明了為什么碳化硅二極管(SiC)在多個(gè)指標(biāo)上具有明顯的優(yōu)勢。
EMI案例:交錯(cuò)并聯(lián)SiC逆變器的環(huán)流紋波預(yù)測模型
交錯(cuò)并聯(lián)SiC逆變器的環(huán)流紋波預(yù)測及ZVS控制策略主要從軟件算法上對(duì)PWM序列進(jìn)行了控制,在保證ZVS運(yùn)行的同時(shí),通過開關(guān)頻率的小范圍變化,實(shí)現(xiàn)了傳導(dǎo)E...
碳化硅器件的生產(chǎn)流程,碳化硅有哪些優(yōu)劣勢?
中游器件制造環(huán)節(jié),不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升級(jí)便可滿足碳化硅器件的制造需求。當(dāng)然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其器件制造中某些工藝需要...
車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀,SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求
1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求 2、車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
茂睿芯MD18011X單通道隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器簡介
MD18011X,光耦兼容的單通道隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器系列,是茂睿芯功率驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品推出的新型產(chǎn)品系列,可廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、光伏逆變器、伺服、變頻器等系統(tǒng)。它...
2023-10-26 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1473 0
SiC 技術(shù)的先驅(qū)引領(lǐng)系統(tǒng)效率,高度關(guān)注可靠性和耐用性。近 20 年來, GeneSiC 開創(chuàng)了高性能, 堅(jiān)固, 和可靠的碳化硅 (SiC) 用于汽車、...
2023-10-25 標(biāo)簽:二極管驅(qū)動(dòng)器功率器件 2462 0
今天想抽出點(diǎn)時(shí)間來聊一下復(fù)合器件(Si IGBT + SiC MOSFET),我也不太清楚這個(gè)中文名字應(yīng)該叫什么,文獻(xiàn)里都叫做Hybrid switch...
SiC器件的主要用途是車載設(shè)備。SiC器件可以使純電動(dòng)汽車、混合動(dòng)力車的電機(jī)控制系統(tǒng)損失的功率降低到1/10,實(shí)現(xiàn)低功耗化;同時(shí),能將新能源汽車的效率提...
電動(dòng)汽車充電樁作為電動(dòng)汽車的能量補(bǔ)給裝置,充電時(shí)間和壽命是關(guān)系到其性能的最關(guān)鍵因素。這就對(duì)充電樁的充電效率提出了要求。本文針對(duì)兩電平15KW SIC充電...
2023-10-24 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET逆變電路 3106 0
在商業(yè)應(yīng)用中利用寬帶隙碳化硅(SiC)的獨(dú)特電氣優(yōu)勢需要解決由材料機(jī)械性能引起的可靠性挑戰(zhàn)。憑借其先進(jìn)的芯片粘接技術(shù),Vincotech 處于領(lǐng)先地位。...
如何設(shè)計(jì)一種適用于SiC FET的PCB呢?
SiC FET(即 SiC JFET 和硅 MOSFET 的常閉共源共柵組合)等寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)推出后,功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品無疑受益匪淺。
2023-10-19 標(biāo)簽:MOSFETJFETDC-DC轉(zhuǎn)換器 499 0
隨著新能源汽車銷量暴漲的東風(fēng),采用碳化硅功率器件可助力新能源汽車提升加速度、降低系統(tǒng)成本、增加續(xù)航里程以及實(shí)現(xiàn)輕量化等。碳化硅的優(yōu)越性能使其在更多尖端領(lǐng)...
如今,追求功率密度和效率是當(dāng)今眾多行業(yè)創(chuàng)新的最大動(dòng)力,包括數(shù)據(jù)中心、可再生能源、消費(fèi)電子產(chǎn)品、電動(dòng)汽車和自動(dòng)駕駛汽車等。
2023-10-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiCGaN 436 0
? 隨著我們尋求更強(qiáng)大、更小型的電源解決方案,碳化硅 (SiC) 等寬禁帶 (WBG) 材料變得越來越流行,特別是在一些具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用領(lǐng)域,如汽車驅(qū)動(dòng)...
不同電壓和功率等級(jí)的三菱電機(jī)SiC功率器件介紹
除牽引逆變器外,輔助轉(zhuǎn)換器、鐵路電池充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器尤其受益于SiC功率模塊帶來的開關(guān)頻率提升。開關(guān)頻率的增加通常允許減小無源元件(如變壓器、...
駐波效應(yīng)是什么?如何產(chǎn)生的?有什么危害?如何抑制駐波效應(yīng)?
駐波效應(yīng),在先進(jìn)光刻制程中一個(gè)不可忽視的現(xiàn)象,能引發(fā)一系列的光刻質(zhì)量問題,以至于嚴(yán)重影響著圖案的精度。
Bourns SiC SBD產(chǎn)品系列已經(jīng)擴(kuò)展到十個(gè)額外型號(hào)
額外的650和1200V SiC SBD型號(hào)滿足當(dāng)今交通、可再生能源和工業(yè)系統(tǒng)的功率密度要求。 Bourns宣布,它在現(xiàn)有的碳化硅(SiC)肖特基勢壘二...
基于長線列紅外焦平面探測器冷箱組件開展焦面熱應(yīng)力變形研究
隨著紅外焦平面探測器陣列規(guī)模的不斷擴(kuò)大,由多層結(jié)構(gòu)低溫?zé)崾湫巫儗?dǎo)致的杜瓦可靠性問題愈發(fā)突出,對(duì)焦面低溫形變的定量化表征需求越來越迫切。
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢
設(shè)計(jì)出色功效的電子應(yīng)用時(shí),需要考慮使用新型高性能氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)技術(shù)的器件。與電子開關(guān)使用的傳統(tǒng)硅解決方案相比,這些新型寬帶隙技術(shù)具有...
2023-10-12 標(biāo)簽:SiC氮化鎵電子開關(guān) 2873 1
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