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標(biāo)簽 > reram
ReRAM代表電阻式RAM,將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身。換句話說,關(guān)閉電源后存儲(chǔ)器仍能記住數(shù)據(jù)。如果ReRAM有足夠大的空間,一臺(tái)配備ReRAM的PC將不需要載入時(shí)間。
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富士通推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品
上海, 2016-11-08——富士通電子元器件(上海)有限公司今天宣布,推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM(可變電阻式存儲(chǔ)器)(注1)產(chǎn)品MB8...
ISSCC:看ReRAM、存儲(chǔ)器帶寬進(jìn)展
在預(yù)定于2013年2月17~21日舉辦的國(guó)際固態(tài)電路研討會(huì)(ISSCC)中,多家廠商提出了先進(jìn)存儲(chǔ)器技術(shù)的相關(guān)論文。 存儲(chǔ)器小組委員會(huì)主席Ke...
MRAM具有一些獨(dú)特的功能 可能導(dǎo)致MRAM替換現(xiàn)有的內(nèi)存
在所有常年興起的記憶中,MRAM似乎最有可能瀕臨大規(guī)模,廣泛采用。這是否會(huì)很快發(fā)生取決于制造的進(jìn)步和支持分立和嵌入式MRAM器件技術(shù)的生態(tài)系統(tǒng)。 MRA...
富士通推出12Mbit電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器MB85AS12MT
富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)MB85AS12MT,這是富士通ReRAM產(chǎn)品系列中密度最大的產(chǎn)品。
富士通業(yè)內(nèi)最高密度8Mbit ReRAM將量產(chǎn)
富士通推出業(yè)內(nèi)最高密度8Mbit ReRAM---“MB85AS8MT”,此款ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品由富士通與松下電器半導(dǎo)體(Panasonic Semic...
40nm ReRAM芯片正式出樣 中芯國(guó)際向上走勢(shì)頭勁
在經(jīng)過2016的一系列擴(kuò)張之后,近日,Crossbar與中芯國(guó)際合作的40nm ReRAM芯片正式出樣,再次為芯片國(guó)產(chǎn)化發(fā)展提振士氣。另有數(shù)據(jù)顯示,中芯...
曾大舉退出內(nèi)存生產(chǎn)的中芯國(guó)際 為何鎖定ReRAM?
比NAND閃存更快千倍 40納米R(shí)eRAM在中芯國(guó)際投產(chǎn)引起業(yè)界關(guān)注!曾經(jīng)一度大舉退出內(nèi)存生產(chǎn)的中芯國(guó)際,為何鎖定瞄準(zhǔn)ReRAM?主要原因在于ReRAM...
2017-03-01 標(biāo)簽:中芯國(guó)際物聯(lián)網(wǎng)ReRAM 1429 0
在新材料創(chuàng)新存儲(chǔ)技術(shù)的研發(fā)和生產(chǎn)上,富士通電子作為領(lǐng)導(dǎo)廠商一直在努力追求最極致的存儲(chǔ)性能,從FRAM到ReRAM以及NRAM。請(qǐng)隨小編一起回顧,我們?cè)谧?..
將引發(fā)移動(dòng)、消費(fèi)電子和聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的創(chuàng)新?ReRAM真正已經(jīng)來臨
ReRAM被業(yè)界認(rèn)為其出現(xiàn)將引發(fā)移動(dòng)、消費(fèi)電子和聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的一系列創(chuàng)新!過去幾年,業(yè)界相關(guān)ReRAM的技術(shù)報(bào)道層出不窮,而產(chǎn)品卻并不多見。前不久松下半導(dǎo)體...
ReRAM新存儲(chǔ)技術(shù)有望顛覆目前的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模式
在人工智能的認(rèn)知系統(tǒng)里,最重要部分就是通過神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)、深度學(xué)習(xí)等技術(shù)讓機(jī)器盡可能像人一樣去思考,而機(jī)器的世界里只有0和1,這就需要海量數(shù)據(jù)來幫助機(jī)器進(jìn)行判斷。
2019-12-17 標(biāo)簽:存儲(chǔ)技術(shù)reram 1349 0
億鑄科技聚焦國(guó)產(chǎn)存算一體AI大算力芯片,28納米工藝實(shí)現(xiàn)10倍能效比
“數(shù)字時(shí)代的關(guān)鍵資源是數(shù)據(jù)、算力和算法,其中數(shù)據(jù)是新生產(chǎn)資料,算力是新生產(chǎn)力,算法是新生產(chǎn)關(guān)系,三者構(gòu)成數(shù)字經(jīng)濟(jì)時(shí)代最基本的生產(chǎn)基石?!?2021年9月...
以色列的 Weebit Nano 和法國(guó)研究機(jī)構(gòu) CEA-Leti 報(bào)告了電阻式 RAM (ReRAM) 技術(shù)的發(fā)展進(jìn)展,盡管很少有人準(zhǔn)備好迎接黃金時(shí)段...
Dialog將非易失性電阻式RAM技術(shù)授權(quán)與格芯22FDX平臺(tái),服務(wù)IoT和AI應(yīng)用
Dialog獨(dú)有的且經(jīng)過生產(chǎn)驗(yàn)證的CBRAM技術(shù)是一項(xiàng)低功耗的NVM解決方案,專為物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、5G連接、人工智能(AI)等一系列應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
2020-10-20 標(biāo)簽:dialog人工智能嵌入式存儲(chǔ)器 1007 0
Panasonic將量產(chǎn)寫入速度達(dá)全球最高的新型ReRAM產(chǎn)品
日本媒體日刊工業(yè)新聞15日?qǐng)?bào)導(dǎo),Panasonic計(jì)劃在旗下北陸工廠內(nèi)整備出一條活用8吋晶圓、且采用0.18μm制程的產(chǎn)線,并計(jì)劃于2013年1-3月期...
具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的4Mbit FeRAM MB85RQ4ML
加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導(dǎo)體正在批量生產(chǎn)具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的 4Mbit FeRAM MB85RQ4ML。這種非易失性存儲(chǔ)器可以在最大 10...
2022-08-26 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器Nand flashMRAM 852 0
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