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隨機(jī)存取存儲器（random access memory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時(shí)讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲媒介。

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ram技術(shù)

如何將MCU部分函數(shù)運(yùn)行于RAM中？

MCU(如：基于Cortex V6M 的Cortex M0+ 等) Code 通常運(yùn)行在內(nèi)嵌Flash 中。在某些特定應(yīng)用場合，需要將部分函數(shù)運(yùn)行于...

2018-09-10 標(biāo)簽：MCU RAM 5308 0

如何將MCU中部分函數(shù)運(yùn)行于RAM中

MCU(如：基于Cortex V6M 的Cortex M0+ 等) Code 通常運(yùn)行在內(nèi)嵌Flash 中。在某些特定應(yīng)用場合，需要將部分函數(shù)運(yùn)行于...

2018-09-06 標(biāo)簽：mcu ram 函數(shù) 1983 0

基于FPGA實(shí)現(xiàn)具有自檢、自糾錯(cuò)功能的EDAC電路設(shè)計(jì)

隨著人類對空間探索的深入，空間環(huán)境對空間飛行器的電子設(shè)備和器件的影響逐漸顯現(xiàn) 出來。空間輻射效應(yīng)，特別是單粒子效應(yīng)，對空間任務(wù)的完成具有潛在的巨大危害。...

2019-07-23 標(biāo)簽：fpga ram 計(jì)算機(jī) 8148 0

基于FPGA技術(shù)實(shí)現(xiàn)數(shù)字式多通道信號發(fā)射與接收系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

超聲檢測在各種工程上有著非常廣泛的應(yīng)用，而且聲束聚焦對于超聲診斷也愈來愈重要，因?yàn)槿藗兛偸窍Ｍ吹礁　⒏?xì)微的組織結(jié)構(gòu)，這不僅要求提高工作頻率、而且要...

2020-05-31 標(biāo)簽：fpga ram 脈沖 2394 0

基于tms320c5402和cy7c026芯片實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

所設(shè)計(jì)的系統(tǒng)是石油測井設(shè)備的一個(gè)子系統(tǒng)，系統(tǒng)以tms320c5402為主處理器，通過雙口ram cy7c026作為數(shù)據(jù)共享的接口。其主要功能是接收工業(yè)計(jì)...

2020-06-22 標(biāo)簽：芯片數(shù)據(jù)傳輸 ram 3138 0

基于March SSE算法改善嵌入式RAM存儲器的測試算法

隨著深亞微米VLSI技術(shù)的發(fā)展，大量的不同廠家的電路設(shè)計(jì)或核集成到一個(gè)芯片上。存儲器密度的增長使存儲器的測試面臨著更大的挑戰(zhàn)。嵌入式RAM存儲器是最難測...

2020-07-02 標(biāo)簽：嵌入式存儲器 ram 4190 0

在FPGA上實(shí)現(xiàn)自行FIFO設(shè)計(jì)的方法

設(shè)計(jì)工程師通常在FPGA上實(shí)現(xiàn)FIFO（先進(jìn)先出寄存器）的時(shí)候，都會(huì)使用由芯片提供商所提供的FIFO。但是，由于其通用性使得其針對性變差，某些情況下會(huì)變...

2018-11-28 標(biāo)簽：fpga 寄存器 ram 8245 0

采用RAM分區(qū)循環(huán)移位法來實(shí)現(xiàn)DVB-C解交織器的設(shè)計(jì)

在DVB-C系統(tǒng)當(dāng)中，實(shí)際信道中的突發(fā)錯(cuò)誤往往是由脈沖干擾、多徑衰落引起的，在統(tǒng)計(jì)上是相關(guān)的，所以一旦出現(xiàn)不能糾正的錯(cuò)誤時(shí)，這種錯(cuò)誤將連續(xù)存在。因此在D...

2018-11-28 標(biāo)簽：fpga ram 仿真 2864 0

基于CY7C136雙端口RAM實(shí)現(xiàn)微機(jī)械慣性通用檢測系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，許多新的科學(xué)領(lǐng)域相繼涌現(xiàn)，其中微米/納米技術(shù)就是諸多領(lǐng)域中引人注目的一項(xiàng)前沿技術(shù)。20世紀(jì)90年代以來，繼微米/納米技術(shù)成功應(yīng)用于大...

2020-04-29 標(biāo)簽：集成電路陀螺儀 ram 2254 0

基于NAND FLASH存儲器實(shí)現(xiàn)在系統(tǒng)中的讀寫和控制

NAND寫回速度快、芯片面積小，特別是大容量使其優(yōu)勢明顯。頁是NAND中的基本存貯單元，一頁一般為512 B（也有2 kB每頁的large page N...

2020-05-20 標(biāo)簽：nand 存儲器 ram 3569 0

系統(tǒng)關(guān)閉時(shí)FPGA非易失存儲器的保護(hù)方法介紹

從消費(fèi)電子設(shè)備到工業(yè)控制設(shè)備，越來越多的系統(tǒng)都在使用FPGA。這些應(yīng)用通常需要設(shè)備在斷電時(shí)存儲一些數(shù)據(jù)，比如校準(zhǔn)信息、用戶設(shè)置、辨認(rèn)標(biāo)簽等。如果設(shè)備使用...

2019-05-16 標(biāo)簽：fpga 存儲器 ram 1896 0

在計(jì)算機(jī)中存儲器的主要作用是什么？

1、啟動(dòng)計(jì)算機(jī)。計(jì)算機(jī)從只讀存儲器（ROM）中加載數(shù)據(jù)，然后執(zhí)行通電自檢（POST），確認(rèn)所有主要的部件都運(yùn)行正常。作為自檢的一部分，存儲器控制器會(huì)通...

2018-08-18 標(biāo)簽：存儲器 ram 計(jì)算機(jī) 5.9萬 0

淺析計(jì)算機(jī)存儲器——RAM

經(jīng)常逛科技網(wǎng)站的朋友都會(huì)發(fā)現(xiàn)，大家對于很多產(chǎn)品的名詞都是用英文縮寫代替。這不，昨天看新聞就蹦出個(gè)“RAM”，便隨手上網(wǎng)查了一下，今天想用比較容易理解的方...

2018-08-17 標(biāo)簽：存儲器 RAM 4303 0

Xilinx Vivado硬件診斷和校驗(yàn)

FPGA設(shè)計(jì)中的信號連接到ILA核的時(shí)鐘和探針輸入如圖1。這些信號附加到探針輸入，以設(shè)計(jì)速度采樣，并使用片上塊RAM（BRAM）存儲。核參數(shù)指定探針的數(shù)...

2018-08-04 標(biāo)簽：fpga ram xilinx 2463 0

STM32F0芯片內(nèi)不同程序區(qū)的跳轉(zhuǎn)問題交流與介紹

那么，如果想從APP1區(qū)跳轉(zhuǎn)到另外APP2代碼區(qū)呢？這個(gè)跟從BOOT區(qū)跳轉(zhuǎn)到APP1區(qū)類似。在APP1區(qū)的跳轉(zhuǎn)代碼這里就不說了，地址給對、代碼寫對就好。...

2018-07-16 標(biāo)簽：芯片 RAM STM32F0 1.0萬 0

Memory Compiler的前生今世

emory是大家Floorplan中經(jīng)常使用到一個(gè)器件，而且需要花費(fèi)不少時(shí)間去擺放它。

2018-07-05 標(biāo)簽：ROM RAM 2.9萬 0

了解內(nèi)存工作原理，及ROM、RAM、FLASH的區(qū)別

偶然之間與同事談?wù)摰絉OM，RAM,FLASH一些知識，而突然之間當(dāng)我們?nèi)フf這些英文單詞的話還真是粗淺的知道，而在我們當(dāng)中的MCU一些含義也不甚清楚，索...

2018-06-29 標(biāo)簽：flash rom ram 1.2萬 0

RAM分為簡單雙口RAM和真雙口RAM

真雙口RAM給設(shè)計(jì)帶來很多便利。在高速存儲中，需要對連續(xù)的數(shù)據(jù)同時(shí)處理，使用簡單雙口RAM只能讀取一個(gè)數(shù)據(jù)，而使用真雙口RAM可以同時(shí)讀取兩個(gè)數(shù)據(jù)，這樣...

2018-06-29 標(biāo)簽：FPGA RAM 電平 3.4萬 0

關(guān)于FFT硬件實(shí)現(xiàn)，設(shè)計(jì)中RAM輸出端為何沒有使用REG

以2048點(diǎn)為例，根據(jù)理論值計(jì)算，計(jì)算一次2048點(diǎn)的IFFT的時(shí)間應(yīng)為130us。在采用流水線的方式下，實(shí)部計(jì)算和虛部計(jì)算均采用兩塊RAM實(shí)現(xiàn)流水線。

2018-06-20 標(biāo)簽：FPGA RAM FFT 6583 0

基于Spansion HyperBus的HyperRAM產(chǎn)品介紹

基于Spansion HyperBus的HyperRAM產(chǎn)品可以極大地改善性能，同時(shí)減少引腳數(shù)量。芯片組廠商通過將HyperFlash?和HyperRA...

2018-06-25 標(biāo)簽：閃存嵌入式 ram 5899 0

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云存儲是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個(gè)好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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