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標(biāo)簽 > pn結(jié)
采用不同的摻雜工藝,通過擴散作用,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體(通常是硅或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。
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雙向可控硅(TRIAC)是一種具有特殊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件,它能夠在交流電的正負半周均實現(xiàn)導(dǎo)通與截止,因此在電力電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。雙向可控硅的觸發(fā)機制...
首先說明下,之前學(xué)校的教材講得很精辟,非常好,但實際應(yīng)用中,如果再從這種很理論的基礎(chǔ)去分析,多數(shù)載流子怎么流,少數(shù)載流子怎么流,讓人很頭痛!拋開上學(xué)教程...
MOS結(jié)構(gòu)加上一對背靠背的PN結(jié),就構(gòu)成一個MOSFET。如果MOS結(jié)構(gòu)在零柵壓時半導(dǎo)體表面不是反型的,此時由于PN結(jié)的反向截止效果,源漏之間不會導(dǎo)通。...
PN結(jié)或 PN 二極管由具有兩個區(qū)域的半導(dǎo)體組成,即 p 區(qū)和 n 區(qū),中間有一個結(jié)。半導(dǎo)體材料的性質(zhì)從p型變?yōu)閚型的結(jié)區(qū)或過渡區(qū)通常非常薄,通常為1...
根據(jù)電阻率的大小,物體可被分為:導(dǎo)體、絕緣體、半導(dǎo)體。導(dǎo)體的電阻率處于10-6~10-3Q·cm之間,銀、鋁、銅等屬于導(dǎo)體;
穩(wěn)壓管也屬于二極管中的一種,穩(wěn)壓管正常工作時運行于反向擊穿區(qū),反向擊穿區(qū)的電流變化很大而電壓變化很小,所以能夠達到穩(wěn)壓效果。串聯(lián)電路電流相等,所以穩(wěn)壓二...
2023-07-23 標(biāo)簽:串聯(lián)二極管穩(wěn)壓二極管 2065 1
二極管的全稱是晶體二極管,是一種具有單向?qū)щ娞匦缘陌雽?dǎo)體器件,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體構(gòu)成,在外部具有兩個引腳,P型半導(dǎo)體所引出的電極引腳叫做...
2023-02-21 標(biāo)簽:二極管PN結(jié)半導(dǎo)體器件 2056 0
穩(wěn)壓二極管,又稱齊納二極管(Zener Diode),是一種特殊類型的半導(dǎo)體二極管,其主要功能是在電路中提供穩(wěn)定的電壓參考。 穩(wěn)壓二極管的工作原理 穩(wěn)壓...
2024-08-29 標(biāo)簽:電路半導(dǎo)體穩(wěn)壓二極管 2050 0
你知道LED靜電失效原理和檢測方法嗎?隨著LED業(yè)內(nèi)競爭的不斷加劇,LED品質(zhì)受到了前所未有的重視。
雙向TVS管(Bidirectional Transient Voltage Suppressor)是一種用于保護電子設(shè)備免受瞬態(tài)電壓沖擊的半導(dǎo)體器件。...
2024-08-01 標(biāo)簽:電子設(shè)備PN結(jié)半導(dǎo)體器件 1950 0
當(dāng)對二極管施加正向電壓時,電子和空穴會不斷擴散并存儲大量電荷,從而導(dǎo)致反向恢復(fù)過程的存在。 在施加正向電壓時,P區(qū)的空穴向N區(qū)擴散,N區(qū)的電子向P區(qū)擴散...
PN結(jié)是半導(dǎo)體的基礎(chǔ),摻雜是半導(dǎo)體的靈魂,先明確幾點。
二維材料電致橫向PN結(jié)及縱向異質(zhì)結(jié)快速轉(zhuǎn)移制備
該團隊還針對化學(xué)氣相沉積方法可巨量生長的二維薄膜材料的異質(zhì)結(jié)的快速制備問題,發(fā)展出了一種高效且高質(zhì)量的制備方法,創(chuàng)造性地利用水膜浸潤轉(zhuǎn)移界面,根據(jù)材料或...
IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—柱面結(jié)和球面結(jié)的耐壓差異(1)
回顧《平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異1》中柱面結(jié)的示意圖,在三維結(jié)構(gòu)中,PN結(jié)的擴散窗口會同時向x方向和z方向擴散,那么在角落位置就會形成如圖所示的1/8球面結(jié)。
IGBT中的若干PN結(jié)—PNP結(jié)構(gòu)(1)
我們常說IGBT是由BJT(雙極型晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管)所構(gòu)成
2023-11-28 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管IGBT 1884 0
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