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標(biāo)簽 > nmos
NMOS意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路,由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路,由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路,由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路,即CMOS電路。
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電平轉(zhuǎn)換電路的實(shí)現(xiàn)原理及電路圖分享
5V和3.3V是單片機(jī)系統(tǒng)中常見(jiàn)的電平,對(duì)于IIC和SPI等輸傳輸協(xié)議,芯片和芯片之間存在高低電平定義范圍不一致的問(wèn)題,所以需要電平轉(zhuǎn)換電路來(lái)保證這些芯...
2024-11-13 標(biāo)簽:NMOS電平轉(zhuǎn)換 1568 0
最近在公司做電動(dòng)車(chē)控制器壞機(jī)解析的工作中碰到了一些MOS損壞的機(jī)子。在以前的工作中雖然對(duì)MOS有一些應(yīng)用,但是其中的工作原理還沒(méi)有仔細(xì)的學(xué)習(xí)過(guò),希望能通...
大家好,當(dāng)我說(shuō)到MOS管的時(shí)候呢,你的腦子里可能是一團(tuán)糨糊的。
干貨分享:Air700ECQ的硬件設(shè)計(jì),第一部分
?# 一、緒論 Air700ECQ是一款基于移芯EC716E平臺(tái)設(shè)計(jì)的LTE Cat 1無(wú)線通信模組。支持移動(dòng)雙模FDD-LTE/TDD-LTE的4G遠(yuǎn)...
2024-10-25 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)傳輸NMOSLTE 1312 0
設(shè)計(jì)具有 NMOS 和驅(qū)動(dòng)IC 的防反保護(hù)電路時(shí),NMOS 需放置在高邊,驅(qū)動(dòng)IC也從高邊取電,這里將產(chǎn)生一個(gè)大于輸入電壓 (VIN) 的內(nèi)部電壓,給 ...
2022-10-24 標(biāo)簽:保護(hù)電路電路設(shè)計(jì)NMOS 1303 0
源漏嵌入SiC應(yīng)變技術(shù)簡(jiǎn)介
源漏區(qū)嵌入SiC 應(yīng)變技術(shù)被廣泛用于提高90nm 及以下工藝制程 NMOS 的速度,它是通過(guò)外延生長(zhǎng)技術(shù)在源漏嵌入 SiC 應(yīng)變材料,利用硅和碳晶格常數(shù)...
基于0.18μm CMOS工藝的高響應(yīng)度太赫茲探測(cè)器線陣
探測(cè)器陣列由3個(gè)太赫茲像素線性排列,每個(gè)像素由帶交叉耦合電容的源極差分驅(qū)動(dòng)自混頻功率探測(cè)電路、高增益片上環(huán)形差分天線和集成電壓放大器組成。各像素單元的輸...
引言:和上一節(jié)不同的逆變器(傳送門(mén):FCD-6:逆變器)不同的是,本節(jié)簡(jiǎn)述的整流器是和逆變器相反的一個(gè)過(guò)程,即將交流電AC轉(zhuǎn)換為直流電DC。小功率輸入的...
簡(jiǎn)單的柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì),我們會(huì)使用NMOS來(lái)作防反電路,原因是成本較低。 PMOS一般會(huì)放置在電路的高邊,NMOS則是在低邊放置。兩者的功能類似。不過(guò),...
其利天下技術(shù)·Nmos和Pmos的區(qū)別及實(shí)際應(yīng)用·無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案開(kāi)發(fā)
NMOS(N型金屬氧化物半導(dǎo)體)和PMOS(P型金屬氧化物半導(dǎo)體)是兩種常見(jiàn)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)類型。它們的主要區(qū)別體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:其利天...
2024-12-30 標(biāo)簽:電路NMOS無(wú)刷電機(jī) 1079 0
在實(shí)際應(yīng)用中,G極一般串聯(lián)一個(gè)電阻,防止MOS管被擊穿,也可以加上穩(wěn)壓二極管,并聯(lián)在分壓電阻上的電容,有一個(gè)軟啟動(dòng)的作用。在電流開(kāi)始流過(guò)的瞬間,電容充電...
使用4200A-SCS軟件和矩陣開(kāi)關(guān)搭建可靠性評(píng)估平臺(tái)
在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子(CHC)誘導(dǎo)的退化是一個(gè)重要的與可靠性相關(guān)的問(wèn)題。載流子在通過(guò)MOSFET通道的大電場(chǎng)加速時(shí)獲得動(dòng)能。當(dāng)大多數(shù)載流子到...
2024-12-11 標(biāo)簽:MOSFETNMOS矩陣開(kāi)關(guān) 1025 0
使用耗盡型MOSFET簡(jiǎn)化PD3.1快充設(shè)計(jì)(上)
盡管說(shuō)如今的充電器,集成度越來(lái)越高,外圍器件的數(shù)量越來(lái)越少。但是PD3.1的推出,支持28V及以上的輸出電壓,更寬的輸出電壓范圍,超出了高耐壓的原邊控制...
MOSFET的結(jié)構(gòu)和電學(xué)特性小結(jié)
上一期中提到 當(dāng)V_DS>V_GS-V_TH時(shí),溝道中出現(xiàn)夾斷效應(yīng),溝道的長(zhǎng)度對(duì)略微減小。很多場(chǎng)景我們可以忽略這個(gè)長(zhǎng)度的變化,但是當(dāng)精度要求比較高...
絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)
場(chǎng)效應(yīng)管可以分成兩大類,一類是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET),另一類是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。
2023-06-08 標(biāo)簽:三極管MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 1016 0
本文來(lái)自:ADI投稿 引言 處理電源電壓反轉(zhuǎn)有幾種眾所周知的方法。最明顯的方法是在電源和負(fù)載之間連接一個(gè)二極管,但是由于二極管正向電壓的原因,這種做法會(huì)...
2023-02-01 標(biāo)簽:保護(hù)電路電池充電器電路設(shè)計(jì) 951 0
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