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標(biāo)簽 > nmos
NMOS意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱(chēng)之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱(chēng)為MOS集成電路,由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路,由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路,由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路,即CMOS電路。
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芯片的集成度雖然越來(lái)越高,但是整個(gè)電路功能的實(shí)現(xiàn),還是離不開(kāi)分離器件的搭配,本文就針對(duì)筆者在實(shí)際工作中的關(guān)于 MOS 管(三極管)的應(yīng)用做一些整理。
2023-03-10 標(biāo)簽:三極管應(yīng)用電路MOS管 1.8萬(wàn) 0
汽車(chē)電源系統(tǒng)常在極為惡劣的環(huán)境下運(yùn)行,數(shù)以百計(jì)的負(fù)載掛在汽車(chē)電池上,需要同時(shí)確定負(fù)載狀態(tài)的汽車(chē)電池可能面臨極大的挑戰(zhàn)。當(dāng)負(fù)載處于不同工作條件和潛在故障狀...
2023-03-06 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器保護(hù)電路NMOS 3109 0
簡(jiǎn)單電路實(shí)現(xiàn)電源防接反設(shè)計(jì)
我們?cè)谑褂猛饨与娫搭?lèi)產(chǎn)品時(shí),可能會(huì)因一時(shí)疏忽將將電源線接反,導(dǎo)致產(chǎn)品被燒壞。從產(chǎn)品的設(shè)計(jì)角度來(lái)講,如果把電源做成防反接的,那就大大提高了產(chǎn)品的人性化設(shè)計(jì)...
SGM61630 是一款電流反饋型的異步降壓轉(zhuǎn)換器,支持 60V 高壓輸入并可持續(xù)輸出 3A 電流。
2023-03-08 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管NMOS降壓轉(zhuǎn)換器 2967 0
MOS,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor ...
2023-02-27 標(biāo)簽:MOSFET應(yīng)用電路MOS管 2.3萬(wàn) 0
MOS管是一種基于金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件,也被稱(chēng)為MOSFET(MOS場(chǎng)效應(yīng)管),是現(xiàn)代電子技術(shù)中應(yīng)用最廣泛的晶體管之一。
2023-02-25 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管NMOS 1.6萬(wàn) 0
對(duì)于三極管開(kāi)關(guān)電路,要使其 ON和 OFF 時(shí)間越短越好,為防止在 OFF 是因晶體管中的殘留電荷引起的時(shí)間滯后,在基極 B和發(fā)射機(jī) E間應(yīng)加一電阻 R...
2023-02-24 標(biāo)簽:三極管開(kāi)關(guān)電路MOSFET 4486 0
NMOS英文全稱(chēng)為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱(chēng)之為NMOS晶體管。
NMOS英文全稱(chēng)為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱(chēng)之為NMOS...
CMOS逆變器非常簡(jiǎn)單,它將功耗降至最低水平。它由一對(duì)增強(qiáng)型NMOS和PMOS組成,作為交換機(jī)運(yùn)行,串聯(lián)連接,如圖所示。請(qǐng)注意,每個(gè)晶體管用作另一個(gè)晶體...
逆變器是反轉(zhuǎn)所施加信號(hào)的邏輯元件。在數(shù)字電路中,開(kāi)關(guān)或邏輯功能的二進(jìn)制算術(shù)和數(shù)學(xué)操作最好使用符號(hào)0(零)和1(一)執(zhí)行。如果邏輯電平為0(接地)或0 V...
期我們介紹了NMOS當(dāng)作為放大器時(shí)的等效電路是什么?包括大信號(hào)模型和小信號(hào)模型,模型中當(dāng)V_DS>V_GS-V_TH時(shí),我們把NMOS當(dāng)成一個(gè)...
前幾期講的MOSFET的物理結(jié)構(gòu)、電學(xué)特性是我們研究MOSFET的基礎(chǔ),只掌握這些在實(shí)際電路中是沒(méi)法用的,今天講的內(nèi)容才是我們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)中所用到的,但是...
咱們前幾期講的一直是NMOS,導(dǎo)電靠的是溝道中的自由電荷。而PMOS與NMOS結(jié)構(gòu)上的不同點(diǎn)在于半導(dǎo)體基板的材料恰恰相反,是在N型摻雜基板的基礎(chǔ)上加了兩...
MOSFET的結(jié)構(gòu)和電學(xué)特性小結(jié)
上一期中提到 當(dāng)V_DS>V_GS-V_TH時(shí),溝道中出現(xiàn)夾斷效應(yīng),溝道的長(zhǎng)度對(duì)略微減小。很多場(chǎng)景我們可以忽略這個(gè)長(zhǎng)度的變化,但是當(dāng)精度要求比較高...
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