nand

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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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nand技術(shù)

什么是內(nèi)存？?jī)?nèi)存的工作原理關(guān)于NOR和NAND的介紹和區(qū)別

什么是內(nèi)存呢？在計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中，有一個(gè)很重要的部分，就是存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件，對(duì)于計(jì)算機(jī)來(lái)說(shuō)，有了存儲(chǔ)器，才有記憶功能，才能保證...

2023-12-07 標(biāo)簽：NAND FlaSh 存儲(chǔ)器 3916 0

Nor Flash與NAND Flash閃存技術(shù)的關(guān)鍵特點(diǎn)區(qū)分

Nor Flash采用NOR門結(jié)構(gòu)，其中每個(gè)存儲(chǔ)單元都有不同的地址用于直接訪問(wèn)。這種并行訪問(wèn)功能可以實(shí)現(xiàn)高效的隨機(jī)訪問(wèn)和快速的數(shù)據(jù)檢索。

2023-12-05 標(biāo)簽：控制器 Nand 嵌入式系統(tǒng) 1195 0

Nor Flash作為存儲(chǔ)解決方案的優(yōu)勢(shì)與限制

選擇Nor Flash作為存儲(chǔ)解決方案的一個(gè)主要原因就是Nor Flash的并行訪問(wèn)結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)快速讀取速度和低讀取延遲。

2023-12-05 標(biāo)簽：NOR閃存 Nand 嵌入式系統(tǒng) 1178 0

SSD和HDD的具體對(duì)比

SSD廠商早就預(yù)測(cè)NAND閃存的價(jià)格會(huì)隨著時(shí)間的推移而下降，讓SSD能夠在單價(jià)上與HDD競(jìng)爭(zhēng)。事實(shí)上，NAND閃存的價(jià)格一直在下降。

2023-12-01 標(biāo)簽：閃存 NAND SSD 2163 0

NAND Flash和NOR Flash的區(qū)別

NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。

2023-11-30 標(biāo)簽：閃存 NAND FlaSh 3061 0

提高3D NAND閃存存儲(chǔ)密度的四項(xiàng)基本技術(shù)

增加3D（三維）NAND閃存密度的方法正在發(fā)生變化。這是因?yàn)橹С謧鹘y(tǒng)高密度技術(shù)的基本技術(shù)預(yù)計(jì)將在不久的將來(lái)達(dá)到其極限。2025 年至 2030 年間，新...

2023-11-30 標(biāo)簽：芯片閃存 NAND 1374 0

射頻電源結(jié)構(gòu)及應(yīng)用分析

主流射頻電源頻率包括為400KHz、2MHz、13.56MHz、27.12MHz、40MHz和60MHz等。射頻電源由于應(yīng)用場(chǎng)景多樣，按照頻率和功率可分...

2023-11-30 標(biāo)簽：集成電路 NAND DC-DC 1.1萬(wàn) 0

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)閃速存儲(chǔ)器

閃速存儲(chǔ)器（Flash Memory）簡(jiǎn)稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器...

2023-11-23 標(biāo)簽：NAND FlaSh 存儲(chǔ)器 2955 0

漫談QLC其一：QLC定義及應(yīng)用

2023-11-23 標(biāo)簽：閃存 NAND qlc 3179 0

漫談QLC其二：扛起NAND家族重任，老四QLC

2023-11-23 標(biāo)簽：NAND 長(zhǎng)江存儲(chǔ)qlc 1580 0

三季度智能手機(jī)需求反彈 NAND明年將現(xiàn)缺貨潮

2023年第三季度全球智能手機(jī)出貨量約為2.90億部，同比下降約1.6%，中國(guó)大陸市場(chǎng)出貨量約為6640萬(wàn)部，同比下降約1.8%，不管是全球還是中國(guó)大陸...

2023-11-22 標(biāo)簽：智能手機(jī)閃存 NAND 791 0

深度解析存儲(chǔ)系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)

NAND FLASH是一種非易失性隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)介質(zhì)，基于浮柵(Floating Gate)晶體管設(shè)計(jì),通過(guò)浮柵來(lái)鎖存電荷,電荷被儲(chǔ) 存在浮柵中，在無(wú)...

2023-11-19 標(biāo)簽：閃存 NAND SSD 607 0

NAND閃存市場(chǎng)分析閃存控制器行業(yè)玩家分析

2021年至2027年，以百萬(wàn)計(jì)為單位的NAND晶圓復(fù)合年均增長(zhǎng)率（CAGR）為3%（見圖3），其中，汽車應(yīng)用增長(zhǎng)最快，CAGR為20%；其次則是數(shù)據(jù)中...

2023-11-06 標(biāo)簽：閃存控制器 NAND 1090 0

聊聊芯片中的負(fù)壓產(chǎn)生機(jī)理及其應(yīng)用

SRAM是目前最成熟的易失性高速存儲(chǔ)器，通常由6管（6T）實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的讀寫，可以用做CPU和內(nèi)存（DRAM）之間的高速緩存。

2023-10-31 標(biāo)簽：放大器 Nand CMOS工藝 5550 0

存儲(chǔ)系統(tǒng)基礎(chǔ)知識(shí)全解：存儲(chǔ)協(xié)議及關(guān)鍵技術(shù)

SSD主要由控制單元和存儲(chǔ)單元(當(dāng)前主要是FLASH閃存顆粒)組成，控制單元包括SSD控制器、主機(jī)接口、DRAM等,存儲(chǔ)單元主要是NAND FLASH顆粒。

2023-10-27 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 DRAM NAND 1075 0

聊聊企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)盤中的操作特性

本工作發(fā)表于FAST 2022。首次基于一家主要存儲(chǔ)供應(yīng)商(NetApp)的近200萬(wàn)個(gè)SSD的大量企業(yè)存儲(chǔ)系統(tǒng)，對(duì)生產(chǎn)使用中SSD的關(guān)鍵操作特性進(jìn)行了...

2023-10-19 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 NAND 存儲(chǔ) 960 0

介紹幾款常見的存儲(chǔ)器及其應(yīng)用

存儲(chǔ)領(lǐng)域發(fā)展至今，已有很多不同種類的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。下面給大家介紹幾款常見的存儲(chǔ)器及其應(yīng)用。

2023-10-17 標(biāo)簽：NAND FlaSh 存儲(chǔ)器 1622 0

閃存的兩種分類

當(dāng)給柵極施加較高的高電平（較高的高電平才能讓電子穿過(guò)隧穿層），電子到浮柵層就被絕緣層阻礙了當(dāng)給柵極低電平時(shí)，這時(shí)隧穿層就相當(dāng)于絕緣層，這樣電子就被存儲(chǔ)起...

2023-10-11 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)晶體管 1225 0

如何訪問(wèn)NAND內(nèi)存芯片并從中讀取數(shù)據(jù)?

在開始處理一體FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)之前，我們應(yīng)該警告你，一體FLASH器件焊接的整個(gè)過(guò)程很復(fù)雜，需要良好的焊接技能和特殊設(shè)備。如果您之前從未嘗試過(guò)焊接一...

2023-10-09 標(biāo)簽：pcb NAND 存儲(chǔ)卡 2428 0

致態(tài)Ti600 QLC SSD性能測(cè)試

近日長(zhǎng)江存儲(chǔ)旗下的致態(tài)家族再添新成員Ti600.Ti600是致態(tài)推出的首款QLC SSD。SSDFans第一時(shí)間體驗(yàn)這款產(chǎn)品性能，并對(duì)Ti600(2T)...

2023-09-28 標(biāo)簽：NAND FlaSh 接口 1898 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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