nand閃存

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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲(chǔ)成本、提高存儲(chǔ)容量。

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nand閃存資訊

閃存將會(huì)帶來怎樣的新體驗(yàn)

NAND閃存的未來發(fā)展涉及每個(gè)存儲(chǔ)單元更多的層和位。與此同時(shí)，NVMe-oF、存儲(chǔ)類內(nèi)存和其他新技術(shù)將從根本上改變內(nèi)存和存儲(chǔ)器的應(yīng)用和發(fā)展。

2020-04-23 標(biāo)簽：存儲(chǔ)NAND閃存 398 0

長江存儲(chǔ)的技術(shù)創(chuàng)新，128層3D NAND閃存芯片問世

長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲(chǔ)”）在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2－6070研發(fā)成功，已在多家控制器廠商SSD等終...

2020-05-04 標(biāo)簽：NAND閃存長江存儲(chǔ) 3184 0

業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存有哪些特點(diǎn)？

2020年4月13日，長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲(chǔ)”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在...

2020-04-13 標(biāo)簽：NAND閃存長江存儲(chǔ)qlc 3070 0

新型MRAM技術(shù)量產(chǎn)實(shí)現(xiàn)低功耗

在新型 RAM 技術(shù)中，MRAM對(duì)物聯(lián)網(wǎng)和邊緣計(jì)算設(shè)備具有特別有吸引力。因?yàn)樗軐?shí)現(xiàn)比目前這類硬件上的首選存儲(chǔ)類內(nèi)存 -NAND閃存-低得多的功耗，同時(shí)...

2020-04-07 標(biāo)簽：RAM NAND閃存 everspin 969 0

eMRAM究竟是融合還是替代？

eMRAM屬于新型存儲(chǔ)技術(shù)，同目前占據(jù)市場(chǎng)主流的NAND閃存相比較，其具有更快的存取速度和更高的耐用性，在邊緣設(shè)備中具有替代NAND閃存和部分SRAM芯...

2020-04-07 標(biāo)簽：NAND閃存 MRAM eMRAM 1474 0

SLC、eSLC、MLC、eMLC存在什么差異

作為SSD主要元件的NAND閃存，我們經(jīng)常見到的有SLC和MLC兩種，甚至還細(xì)分出eSLC和eMLC等等。

2020-03-27 標(biāo)簽：存儲(chǔ)NAND閃存 2.5萬 0

NAND閃存價(jià)格會(huì)不會(huì)受到疫情的影響

PC和移動(dòng)設(shè)備銷量下降，這可能很快會(huì)成為影響因素，并釋放NAND閃存。

2020-03-18 標(biāo)簽：存儲(chǔ)NAND閃存 667 0

外媒預(yù)測(cè)NAND閃存和DRAM內(nèi)存合約價(jià)格第二季度漲幅將達(dá)到兩位數(shù)

3月11日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，在低迷了一年多之后，外媒預(yù)計(jì)存儲(chǔ)芯片的合約價(jià)格在今年二季度將會(huì)有明顯上漲。

2020-03-12 標(biāo)簽：內(nèi)存 NAND閃存 2212 0

2020年第一季度NAND閃存出貨量將環(huán)比下滑或者持平價(jià)格上漲有望抵消出貨量下滑的影響

據(jù)國外媒體報(bào)道，NAND閃存芯片去年第四季度的出貨量環(huán)比有明顯增長，整體行業(yè)的營收也有提升。

2020-02-27 標(biāo)簽：NAND閃存 1949 0

NAND閃存成2020年增長最快產(chǎn)品三大半導(dǎo)體存儲(chǔ)公司出現(xiàn)復(fù)蘇跡象

2020年NAND閃存將會(huì)是IC市場(chǎng)增長最快的產(chǎn)品，IC Insights給出的數(shù)據(jù)預(yù)計(jì)增長率達(dá)到19%。三大主要半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造商三星，美光和SK海力...

2020-01-18 標(biāo)簽：DRAM 三星電子美光 2.1萬 0

DRAM供應(yīng)商開始抑制產(chǎn)能增長主導(dǎo)DRAM價(jià)格上漲

市場(chǎng)研究公司TrendForce的子公司DRAMeXchange在5月8日（臺(tái)灣時(shí)間）宣布，DRAM價(jià)格可能會(huì)比預(yù)期更早地上漲。該公司將其PC，移動(dòng)電...

2020-01-09 標(biāo)簽：DRAM 三星電子 NAND閃存 9148 0

2020年NAND閃存發(fā)展趨勢(shì)如何

在CES展會(huì)上，SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存（本質(zhì)還是3D閃存，4D只是商業(yè)名稱），已經(jīng)用于自家的PCIe硬盤中，這是六大閃存原廠中第一個(gè)...

2020-01-08 標(biāo)簽：NAND閃存 SK海力士長江存儲(chǔ) 5327 0

預(yù)計(jì)NAND閃存價(jià)格將大幅上漲

據(jù)DigiTimes的消息人士報(bào)道，NAND閃存的整體價(jià)格將在2020年急劇上升。該報(bào)告來自存儲(chǔ)器芯片制造商的多個(gè)消息來源，最有可能是SK Hynix，...

2020-01-06 標(biāo)簽：三星電子 SSD NAND閃存 4210 0

三星部分DRAM內(nèi)存和NAND閃存芯片生產(chǎn)線暫停將導(dǎo)致重大損失

知情人士稱，停電事件很可能會(huì)造成三星數(shù)百萬美元的損失，但不會(huì)出現(xiàn)重大損失。2018年，三星平澤芯片工廠發(fā)生的半小時(shí)停電預(yù)計(jì)導(dǎo)致三星損失了大約500億韓元...

2020-01-02 標(biāo)簽：三星電子 SDRAM內(nèi)存 NAND閃存 2923 0

Intel 3D XPoint與鎧俠XL-Flash哪個(gè)好

NAND閃存無疑是當(dāng)下乃至未來最主流的存儲(chǔ)技術(shù)，但也有不少新的存儲(chǔ)技術(shù)在探索和推進(jìn)，Intel 3D XPoint（傲騰）就是典型代表（曾與美光合作研發(fā)...

2020-01-02 標(biāo)簽：intel NAND閃存 3051 0

Kioxia展示了NAND閃存的潛在替代產(chǎn)品

資料來源：Kioxia Kioxia（原為東芝存儲(chǔ)）有望創(chuàng)建3D NAND閃存的后繼產(chǎn)品，與QLC NAND閃存相比，該產(chǎn)品可提供更高的存儲(chǔ)密度。這項(xiàng)于...

2019-12-23 標(biāo)簽：NAND NAND閃存 4682 0

從“東芝存儲(chǔ)”到“Kioxia” 如何看“新NAND閃存公司”狹縫生存？

2019年的10月1日，閃存巨頭東芝存儲(chǔ)公司將公司名稱更名為 Kioxia Corp. 。作為不依賴東芝品牌的閃存和應(yīng)用產(chǎn)品的專業(yè)供應(yīng)商，旗下業(yè)務(wù)開始了...

2019-10-17 標(biāo)簽：東芝存儲(chǔ)器 NAND閃存 1.8萬 0

什么樣的數(shù)據(jù)架構(gòu)才能滿足ZB時(shí)代數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求？

2019年的存儲(chǔ)市場(chǎng)遇到了需求趨緩、價(jià)格下跌、庫存積壓等不利因素的影響，但并沒有影響存儲(chǔ)市場(chǎng)需求的不斷增長和產(chǎn)品技術(shù)的不斷提升。

2019-09-26 標(biāo)簽：3D 存儲(chǔ)NAND閃存 9683 0

東芝開始研究5bitPLC的NAND閃存 PLC將有更少的PE和更慢的性能

根據(jù)Tom‘s Hardwared的報(bào)道，東芝在今年的閃存峰會(huì)上提到了未來的BiCS閃存，以及PLC的NAND開發(fā)。

2019-08-26 標(biāo)簽：東芝 NAND閃存 3904 0

美光恢復(fù)對(duì)華為的部分芯片供應(yīng) 禁運(yùn)半月?lián)p失2億美元！

由于美國商務(wù)部將華為列入“實(shí)體清單”，多個(gè)美企與華為中止合作關(guān)系。作為業(yè)內(nèi)第三大DRAM芯片廠商和第五大NAND閃存生產(chǎn)廠商，美光也與華為停止合作。然而...

2019-07-01 標(biāo)簽：芯片華為美光 3918 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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2016年5月，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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