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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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Diodes DFN2020封裝P通道MOSFET 降低負載開關(guān)損耗
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDF P通道MOSFET采用了設(shè)計小巧的...
Diodes 30V MOSFET使大容量電容器快速及安全放電
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN3027LFG 30V N通道MOSFET作為開關(guān)使用,確保在現(xiàn)場可編程門...
Diodes全新100V MOSFET優(yōu)化以太網(wǎng)供電應(yīng)用
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN10H120SFG MOSFET作為符合IEEE 802.3標(biāo)準(zhǔn)的48V以太...
性價比:SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點點
Si MOSFET管因為其輸入阻抗高,隨著其反向耐壓的提高,通態(tài)電阻也急劇上升,從而限制了其在高壓場合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件,具有飽和電...
2015-10-14 標(biāo)簽:MOSFETSiC MOSFET 3176 0
業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導(dǎo)通電阻65 mΩ
SiC市場領(lǐng)導(dǎo)者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺。
2015-09-07 標(biāo)簽:MOSFETSiCC3M0065090J 2282 0
Diodes推出高效率單繞組電感 500V降壓LED驅(qū)動器
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出AL1678 LED驅(qū)動器系列,適合驅(qū)動那些毋須符合功率因數(shù)高於0.7的通用照明產(chǎn)品內(nèi)...
2015-08-28 標(biāo)簽:MOSFETDiodesLED驅(qū)動器 1565 0
Diodes雙向開關(guān)提供單芯及雙芯鋰電池充電保護
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一對雙N通道增強型MOSFET DMN2014LHAB及DMN2011UFX,為電池充...
2015-07-20 標(biāo)簽:MOSFETDiodesDMN2014LHAB 1598 0
滿足各不同應(yīng)用領(lǐng)域嚴苛的能效要求非常復(fù)雜,這讓各個細分市場的設(shè)計工程師常常為上市時間而頭疼,而模塊化、高可靠性的產(chǎn)品則可以簡化設(shè)計過程,這也是飛兆半導(dǎo)體...
2015-03-31 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體MOSFET智能電源 2672 0
Vishay新款20V MOSFET提高便攜式電子產(chǎn)品功率密度和可靠性
賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 3 月4 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VS...
Diodes芯片級雙向MOSFET節(jié)省空間有效提高鋰電池容量
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出雙向MOSFET DMN2023UCB4,提供超卓的單電芯及雙電芯鋰電池充電保護。
2015-02-02 標(biāo)簽:MOSFETDiodesDMN2023UCB4 1242 0
e絡(luò)盟攜手60家行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商為亞太區(qū)擴展分立元件產(chǎn)品系列
[中國 2015年1月28日] e絡(luò)盟日前宣布供應(yīng)來自全球60家行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商的分立元件產(chǎn)品,進一步豐富已超過2.6萬種分立元件的產(chǎn)品庫存,其中涵蓋Di...
Vishay發(fā)布11顆采用Gen II超級結(jié)技術(shù)的新款500V高壓MOSFET
賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 1 月22 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:V...
德州儀器推出NexFET N溝道功率MOSFET實現(xiàn)業(yè)界最低電阻
2015年1月22日,北京訊。日前,德州儀器 (TI) 推出其NexFET? 產(chǎn)品線11款新型N溝道功率MOSFET,其中包括具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻并采用...
2015-01-22 標(biāo)簽:MOSFETTICSD16570Q5B 3297 0
IR電池保護MOSFET系列為移動應(yīng)用提供靈活解決方案
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)近日針對鋰離子電池保護應(yīng)用推出配備IR最...
中國上海,2014年11月20日–日本半導(dǎo)體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司宣布,東芝參加了于2014年11月16日至2...
IR針對工業(yè)應(yīng)用推出具有超低導(dǎo)通電阻的表面貼裝75V MOSFET
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商–國際整流器公司近日推出75V器件以擴充StrongIRFETMOSFET系列,適合多種工業(yè)應(yīng)用,包括電動工具、輕型電動...
安森美半導(dǎo)體推出能降低損耗的低壓功率MOSFET新系列
推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出新系列的6款N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET),它們經(jīng)過設(shè)計及優(yōu)化,...
2014-05-21 標(biāo)簽:MOSFET安森美半導(dǎo)體APEX 1149 0
Vishay推出應(yīng)用在便攜電子中的最低導(dǎo)通電阻的新款MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用超小尺寸、熱增強PowerPAK? SC-70...
專有的 Optoplanar 封裝技術(shù)助力高級 2.5 A 輸出光電耦合器
該光電耦合器可實現(xiàn)快速開關(guān)驅(qū)動功率 IGBT 和 MOSFET ,同時提高系統(tǒng)效率,絕緣工作電壓額定值 (VIORM) 為 1,414 V,比競爭產(chǎn)品高...
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