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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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Vishay推出新款30V n溝道MOSFET半橋功率級模塊---SiZF300DT
SiZF300DT比6mm x 5mm封裝類似導通電阻的雙片器件節省65 %的空間,是市場上最緊湊的集成產品之一。
ROHM開發出業界先進的第4代低導通電阻SiC MOSFET
對于功率半導體來說,當導通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短,兩者之間存在著矛盾權衡關系,因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時,如何兼顧短路耐受時...
ROHM研制1200V 第4代SiC MOSFET,單位面積的導通電阻降低了約40%
在這種背景下,ROHM于2010年在全球率先開始了SiC MOSFET的量產。ROHM很早就開始加強符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101的產品陣容...
新形式功率MOSFET晶體管研發,能夠處理超過8000伏的電壓
6月3日消息,美國布法羅大學科研團隊開發了一種新形式的功率MOSFET晶體管,這種晶體管可以用最小的厚度處理難以置信的高電壓,可能會提升電動汽車電力電子...
PowerDI? 3333-8 D 型封裝的 3D 結構有助增加整體功率效率,且高電壓與額定電流大幅擴大其應用范圍。完全接地墊片設計可帶來良好的散熱效能...
面向汽車ECU的MOSFET柵極驅動器開關TPD7107F的介紹
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出柵驅動器開關IPD“TPD7107F”。該產品可用于控制接線盒和車身控制模塊等車載控制單元(EC...
采用D2PAK 7pin+封裝的StrongIRFET? MOSFET瞄準電池供電應用
全新D2PAK 7pin+封裝使得本已種類豐富的StrongIRFET?封裝陣容更加壯大。這能帶來更多選項,有助于選擇應對設計挑戰的理想功率器件。
SRK1000A和SRK1000B兩款產品都能用于各種反激式控制器,包括高達300kHz固定頻率的準諧振(QR)和CCM/DCM混合模式反激式拓撲,簡化...
意法半導體推L99UDL01中控鎖整體解決方案,可簡化設計和提升安全性
2020年5月11日——意法半導體L99UDL01通用型車門鎖IC集成6個MOSFET半橋輸出和兩個半橋柵極驅動器,以及電路保護和診斷功能,可提升方案安...
全新650 V CoolMOS? CFD7A系列為汽車應用帶來量身定制的超結MOSFET性能
憑借在汽車領域的多年從業經驗,英飛凌將遠超AEC Q101標準的最高品質與出色的技術知識相結合,推出CoolMOS? CFD7A系列。
Nexperia發布P溝道MOSFET,采用節省空間的堅固LFPAK56封裝
LFPAK封裝采用銅夾片結構,由Nexperia率先應用,已在汽車等要求嚴格的應用領域中使用近20年。
功率半導體在經歷了2017年的行業高點之后,整體營收開始逐漸下滑,在2019年第一季度增速進入最低點,至-3.47%,隨后開始回升,在2019年第三季度...
4月26日晚間,發布公告,擬募集配套資金最高不超過58億元,用于安世中國先進封測平臺及工藝升級項目、云硅智谷4G/5G半導體通信模組封測和終端研發及產業...
01 認識功率器件 1.1 功率半導體器件在工業 、消費 、軍事等領域都有著廣泛應用 ,具有很高的戰略地位,下面我們從一張圖看功率器件的全貌: 1.2 ...
Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%,且具備低導通電阻RDS(on)
PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝,占位面積僅為0.62 x 0.62 mm,與前一代DFN1006器件相比,節省了超過36%的空間。
根據 IC Insights 的預測,未來半導體功率器件中,MOSFET 與 IGBT 器件將是最強勁的增長點。IGBT 是能源變換與傳輸的核心器件,俗...
2024年SiC的市場規模將達19.3億美元,英飛凌擴展SiC MOSFET產品線
根據2019年Yole發布的SiC市場報告,2018年SiC的市場規模約為4.2億美元,該機構預計SiC市場的年復合增長率為29%,也就是說到2024年...
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