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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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低功耗碳化硅 MOSFET 的發(fā)展 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片
一、前言隨著電動(dòng)汽車的發(fā)展,汽車功率器件芯片也正在尋求能夠有效處理更高工作電壓和溫度的組件。此時(shí)碳化硅MOSFET成為牽引逆變器等電動(dòng)汽車構(gòu)建模塊的首選...
快節(jié)奏的生活,高強(qiáng)度的工作是大多數(shù)上班族每日所要面對(duì)的,很多人已經(jīng)習(xí)以為常,但整日忙于應(yīng)付各種工作和生活,容易感到緊張和疲憊。上班累,下班回家只想要更多...
2023-10-30 標(biāo)簽:MOSFET風(fēng)機(jī) 854 0
CMZ120R080APA1: 新一代高壓低電阻硅碳化物功率MOSFET
引言: 隨著電力電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,高壓功率MOSFET已成為現(xiàn)代電力系統(tǒng)和能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的關(guān)鍵組件之一。在這方面,CMZ120R080APA1作為一款創(chuàng)...
安森美NCV8415自保護(hù)低側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器
安森美 NCV8415自保護(hù)低側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器是三端保護(hù)的智能分立FET,適用于嚴(yán)苛的汽車環(huán)境。NCV8415元件具有各種保護(hù)特性,包括用于Delt...
2023-07-04 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器安森美 853 0
onsemi LV/MV MOSFET 產(chǎn)品介紹 & 行業(yè)應(yīng)用
01直播介紹直播時(shí)間2024/10/281430直播內(nèi)容1.onsemiLV/MVMOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)&市場(chǎng)地位。2.onsemiLV/MVMO...
Nexperia | 推出用于自動(dòng)安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合
Nexperia | 推出用于自動(dòng)安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)推出了用...
SiC MOSFET逆變器的創(chuàng)新應(yīng)用
碳化硅逆變器將有助于駕駛員更快地為電動(dòng)汽車充電,減輕消費(fèi)者對(duì)續(xù)航里程的焦慮。由于SiC具有更高的工作溫度和更快的開(kāi)關(guān)速度,因此它是用于快速充電解決方案的...
2023-09-25 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET逆變器 850 0
基本半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET B1M032120HK
本文推薦基本半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊的LLC諧振電路中,可以有效降低熱損耗,提高工作效率,同時(shí)也可以減小變壓...
Ameya360:安森美推出1700V EliteSiC MOSFET,提供高功率工業(yè)應(yīng)用
安森美宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國(guó)拉斯維加斯消費(fèi)電子展覽會(huì)(CES)上,安森美將展示EliteSiC 系列的3款新...
艾為推出低導(dǎo)通阻抗高可靠性鋰電池充電保護(hù)MOSFET—AW401005QCSR
手機(jī)在我們工作和生活中扮演了非常重要的角色,隨著手機(jī)屏幕亮度和刷新率的提高。手機(jī)續(xù)航問(wèn)題已成了當(dāng)前用戶的一個(gè)痛點(diǎn),為了緩解這個(gè)問(wèn)題。快充在手機(jī)中快速普及...
Vishay推出業(yè)界首款符合AEC-Q101要求的N通道60V MOSFET--- SQJ264EP
SQJ264EP的通道1 MOSFET在10 V時(shí)最大導(dǎo)通電阻為20 mW,典型柵極電荷為9.2 nC,而通道2 MOSFET在10 V時(shí)的導(dǎo)通電阻為8...
NP2301BMR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2301BMR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供卓越的RDS(ON) 一般特征 ,低柵極電荷和 工作電壓低至1.8V。這個(gè)設(shè)備 適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或PW...
賦能未來(lái),勇往直前---科銳聯(lián)合創(chuàng)始人發(fā)表SiC MOSFET十周年文章
在2011年,在經(jīng)過(guò)了將近二十年的研發(fā)之后,科銳推出了全球首款SiC MOSFET。盡管業(yè)界先前曾十分懷疑這是否可能實(shí)現(xiàn)。
富信電子N溝道增強(qiáng)型MOSFET FSD120N04A可以滿足工作需求
手持電動(dòng)工具通過(guò)驅(qū)動(dòng)電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng),帶動(dòng)外部的機(jī)械工作部件,比如鉆頭,來(lái)實(shí)現(xiàn)基本的功能。手持電動(dòng)工具一般采用電池供電,通過(guò)以MCU為核心的控制電路以及大功率M...
揚(yáng)杰科技攜重點(diǎn)產(chǎn)品及解決方案精彩亮相CESC2024中國(guó)國(guó)際儲(chǔ)能大會(huì)
CESC2024中國(guó)國(guó)際儲(chǔ)能大會(huì)暨智慧儲(chǔ)能技術(shù)及應(yīng)用展覽會(huì)于2024年4月23日在南京新國(guó)際博覽中心拉開(kāi)帷幕,揚(yáng)杰科技帶著最新一代的產(chǎn)品和技術(shù)亮相,圍繞...
NP3401YMR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3401YMR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 提供卓越的RDS(ON)技術(shù) 一般特征 、低門(mén) 充電和工作的柵極電壓低至2.5V。 本裝置適用于作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或中...
Vishay推出的新款對(duì)稱雙通道MOSFET可大幅節(jié)省系統(tǒng)面積并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)
節(jié)省空間型器件所需 PCB 空間比 PowerPAIR 6x5F 封裝減少 63% ,有助于減少元器件數(shù)量并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì) ? 美國(guó) 賓夕法尼亞 MALVER...
千億市場(chǎng),第三代半導(dǎo)體技術(shù)從何突破?
隨著高壓、高頻及高溫領(lǐng)域應(yīng)用的逐漸提高,第三代半導(dǎo)體技術(shù)高頻化和可靠性等性能的要求已是必須。 第三代半導(dǎo)體材料通常是指氮化鎵、碳化硅、氧化鋅、金剛石等,...
北一半導(dǎo)體完成B+輪融資,用于SiC MOSFET技術(shù)研發(fā)
北一半導(dǎo)體科技(廣東)有限公司近日宣布,已成功完成B+輪融資,預(yù)計(jì)本輪融資總額將突破至1.5億元。這筆融資資金的注入,將主要用于公司SiC MOSFET...
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