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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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CISSOID的N溝道功率MOSFET晶體管的性能特點(diǎn)及應(yīng)用范圍
高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID推出的高溫40V N溝道功率MOSFET晶體管,保證在-55°C至+ 225°C的溫度范圍內(nèi)工作。這些名為CHT...
Hexfets如何為開關(guān)模式電源(SMPS)做出了出色的貢獻(xiàn)
Severns介紹了Hexfets如何為開關(guān)模式電源(SMPS)做出了出色的貢獻(xiàn)。但他明確建議,對于制造線性放大器或用于任何其他非飽和業(yè)務(wù),選擇Hexf...
值得注意的是,此前9月22日,富滿電子就已經(jīng)發(fā)布調(diào)價(jià)通知,針對8205 TSS0P8及SOT23-6系列、DWo1 SOT23-6系列,在公司原標(biāo)準(zhǔn)報(bào)價(jià)...
貿(mào)澤電子與SemiQ簽署全球分銷協(xié)議 分銷碳化硅電源產(chǎn)品組合
SemiQ SiC MOSFET模塊在高溫下的導(dǎo)通電阻較低,并具有出色的開關(guān)性能,可以簡化電力電子系統(tǒng)的散熱設(shè)計(jì),非常適合用于光伏逆變器、電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)...
英飛凌OptiMOS?源極底置功率MOSFET系列新添PQFN封裝的40 V裝置
OptiMOS SD 40 V低電壓功率 MOSFET 提供兩種版本:標(biāo)準(zhǔn)版和中央柵極版。中央柵極版針對多部裝置并聯(lián)作業(yè)進(jìn)行了優(yōu)化。
聞泰科技擬募資不超90億元,投資于智能制造產(chǎn)業(yè)園
11月1日晚間,聞泰科技發(fā)布公告稱,公司擬發(fā)行可轉(zhuǎn)債募資不超90億元。扣除發(fā)行費(fèi)用后,本次募集資金將投資于聞泰無錫智能制造產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目、聞泰昆明智能制造產(chǎn)...
IC封裝供應(yīng)鏈?zhǔn)苄酒枨笥绊?封裝現(xiàn)貨短缺局勢越加嚴(yán)重
芯片需求的激增正在影響IC封裝供應(yīng)鏈,造成精選制造能力、各種封裝類型、關(guān)鍵部件和設(shè)備的短缺。封裝方面的現(xiàn)貨短缺在2020年底浮出水面,此后蔓延到其他行業(yè)...
英飛凌1200V CoolSiC? MOSFET助力不同功率的工業(yè)電源實(shí)現(xiàn)最高效率
英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET,導(dǎo)通電阻從 30m?到 350m?,可助力不同功率的工業(yè)電源、充電...
英飛凌新品:采用D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC? MOSFET
英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET,導(dǎo)通電阻從30m?到350m?,可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服...
羅姆用于低耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率MOSFET的特點(diǎn)及規(guī)格
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)面向服務(wù)器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出了功率MOSFET。
2020-11-04 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器mosfet筆記本電腦 1009 0
聚焦進(jìn)博會(huì),走近福迪威:泰克在新基建下的多元化和生態(tài)共贏
以“新科技‘福’人類;新變革‘迪’未來;新基建‘威’明天”為愿景, 福迪威攜旗下運(yùn)營公司泰克科技、福祿克、ASP、Qualitrol、Sensing T...
晶圓產(chǎn)能緊缺,廠商的新訂單開始漲價(jià)均為20%
晶圓產(chǎn)能緊缺在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)引發(fā)了一系列連鎖反應(yīng)。本周內(nèi),受上游晶圓供應(yīng)緊缺影響,MOSFET、驅(qū)動(dòng)IC等漲價(jià)消息甚囂塵上。在供應(yīng)偏緊的情況下,市場上已經(jīng)有...
基于MP4653的CC/CV模式LLC 電視LED驅(qū)動(dòng)器
MP4653還提供充分的智能保護(hù)功能,以提高系統(tǒng)可靠性。它同時(shí)為DC總線級和LED驅(qū)動(dòng)級提供故障保護(hù)。
2021-03-01 標(biāo)簽:ledMOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器 5790 0
意法半導(dǎo)體推出工作電源電壓高達(dá)1200V的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器STGAP2SiCS
2021年3月22日,STGAP2SiCS是意法半導(dǎo)體STGAP系列隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的最新產(chǎn)品,可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET,工作電源電壓...
2021-03-22 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體柵極驅(qū)動(dòng)器 4094 0
Nexperia將首次亮相第三屆中國國際進(jìn)口博覽會(huì)
Nexperia為多個(gè)汽車應(yīng)用領(lǐng)域貢獻(xiàn)力量,約270款Nexperia產(chǎn)品運(yùn)用在不同的汽車應(yīng)用中。
宜普電源轉(zhuǎn)換推出eGaN?FET 98%效率、250W/48V的DC/DC解決方案
EPC9153是一款250 W超薄電源模塊,采用簡單且低成本的同步降壓配置,峰值效率高達(dá)98.2%,元件的最大厚度為6.5 毫米。
2020-10-29 標(biāo)簽:MOSFETEPCDC-DC轉(zhuǎn)換器 1200 0
Vishay推出集成式40 V MOSFET半橋功率級,RDS(ON)和FOM達(dá)到業(yè)界出色水平,提高功率密度和效率
節(jié)省空間的器件采用小型PowerPAIR? 3x3S封裝,最大RDS(ON)導(dǎo)通電阻降至8.05 m,Qg為6.5 nC
Nexperia全新定義MOSFET產(chǎn)品 為特定應(yīng)用提供優(yōu)化的參數(shù)
Nexperia為電池隔離、電機(jī)控制、熱插拔和以太網(wǎng)供電(PoE)應(yīng)用提供ASFET系列。
揚(yáng)杰科技||P-100V SGT MOSFET新品發(fā)布
特點(diǎn)和優(yōu)勢 1、國內(nèi)第一顆采用SGT技術(shù)的P-100V的MOSFET產(chǎn)品; 2、P Channel產(chǎn)品在負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中,電路更簡潔,高效;
2020-10-21 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開關(guān)電機(jī)驅(qū)動(dòng) 2989 0
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