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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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安森美半導(dǎo)體發(fā)布新的650V碳化硅 (SiC) MOSFET
新一代SiC MOSFET采用新穎的有源單元設(shè)計(jì),結(jié)合先進(jìn)的薄晶圓技術(shù),可在650 V擊穿電壓實(shí)現(xiàn)同類(lèi)最佳的品質(zhì)因數(shù)Rsp (Rdson * area)。
2021-02-19 標(biāo)簽:MOSFET電磁干擾安森美半導(dǎo)體 1432 0
安森美半導(dǎo)體發(fā)布一系列新碳化硅產(chǎn)品,適用于高要求應(yīng)用設(shè)計(jì)
推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON),發(fā)布一系列新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件,適用...
2021-02-19 標(biāo)簽:電源mosfet安森美半導(dǎo)體 2358 0
東芝推出適用于工業(yè)設(shè)備的100V大電流光繼電器
TLP241B集成了基于東芝最新一代U-MOS工藝的MOSFET。使用TLP241B,斷態(tài)輸出端電壓提高到100V,較當(dāng)前TLP241A的40V提高了150%。
先說(shuō)個(gè)冷笑話,IGBT,不是LGBT,不是性少數(shù)群體的意思……好了,回到正題。 IGBT晶體管,英文全稱(chēng)是「Insulated Gate Bipolar...
半導(dǎo)體行業(yè)未來(lái)發(fā)展方向究竟是什么?
半導(dǎo)體板塊從2019年開(kāi)始走出了一段波瀾壯闊的行情,但在去年七月份逐漸偃旗息鼓。
選擇到一款正確的MOS管,可以很好地控制生產(chǎn)制造成本,最為重要的是,為產(chǎn)品匹配了一款最恰當(dāng)?shù)脑骷@在產(chǎn)品未來(lái)的使用過(guò)程中,將會(huì)充分發(fā)揮其“螺絲釘”的...
2021年,功率半導(dǎo)體行業(yè)還能保持高景氣度嗎?
據(jù)悉,2020年第二季度以來(lái),功率半導(dǎo)體的景氣度持續(xù)提升,相關(guān)上市公司產(chǎn)能利用率不斷提高,全年業(yè)績(jī)可期。其中,代工廠華虹半導(dǎo)體在第三季度報(bào)告中披露,公司...
2021-02-01 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)MOSFET功率半導(dǎo)體 3107 0
碳化硅產(chǎn)品級(jí)別的質(zhì)量認(rèn)證
《碳化硅產(chǎn)品級(jí)別的質(zhì)量認(rèn)證》 1. 根據(jù)實(shí)際應(yīng)用條件進(jìn)行超越當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試 對(duì)分立器件和模塊,均按相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行常規(guī)檢測(cè),其中包括HTRB、H3TRB和H...
今天我們繼續(xù)講解 ? 《淺談SiC MOSFET體二極管雙極性退化問(wèn)題》 ? 機(jī)制 在雙極性運(yùn)行(PN結(jié),比如MOSFET的體二極管,在導(dǎo)電時(shí))條件下,...
捷捷微電:下游需求延續(xù)旺盛趨勢(shì),尤其是家電、通信和安防等領(lǐng)域
集微網(wǎng)消息 1月28日,捷捷微電在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示,下游需求延續(xù)著去年下半年旺盛的趨勢(shì),尤其是家電、通信和安防等領(lǐng)域。一部分原因是海外公司因?yàn)橐咔樵?..
電子發(fā)燒友報(bào)道(文/黃山明)近段時(shí)間,由于缺少芯片,不少汽車(chē)大廠宣布,將減少或停止工廠生產(chǎn),如美國(guó)福特汽車(chē)便宣布從1月18日至2月19日關(guān)閉騎在德國(guó)薩爾...
MOSFET大致可以分為以下幾類(lèi):平面型MOSFET;Trench (溝槽型)MOSFET,主要用于低壓領(lǐng)域;SGT(Shielded Gate Tra...
2021-01-22 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)電源MOSFET 1.1萬(wàn) 0
LLC拓?fù)涞幕景霕螂娐肥怯蓛蓚€(gè)開(kāi)關(guān)管組成,高邊開(kāi)關(guān)管(Q1)和低邊開(kāi)關(guān)管(Q2)通過(guò)電感Lr和電容Cr與變壓器相連(見(jiàn)圖1)。開(kāi)關(guān)管與寄生體二極管(D...
2021-01-20 標(biāo)簽:MOSFETLLC諧振轉(zhuǎn)換器 3730 0
寬禁帶材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿,從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計(jì)和工作,降低的漏電流和...
HC030N10L介紹 場(chǎng)效應(yīng)管100V MOS管100V 30A TO-252 N溝道MOS管
? ■HC030N10L是一款采用SGT工藝超結(jié)MOS管,低開(kāi)啟電壓1.5V,低內(nèi)阻,低結(jié)電容,低開(kāi)啟電壓,溫升低,轉(zhuǎn)換效率高,過(guò)電流大,抗沖擊能力強(qiáng)。...
2021-01-20 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS 6326 0
H012N06L參數(shù)特性 替代PAO4264E 貼片MOS管SOP-8
MOS管參數(shù):60V50A 內(nèi)阻:14mR(VGS=4.5V) 結(jié)電容:550pF 類(lèi)型:SGT工藝NMOS 開(kāi)啟電壓:1.8V 封裝:TO-252 H...
2021-01-19 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 3272 0
MOS管構(gòu)成的二極管等效于一個(gè)低阻器件,作為共源級(jí)的負(fù)載,代替了電阻實(shí)現(xiàn)小信號(hào)的放大,但是,電路的增益受到了限制。總的來(lái)說(shuō),利用電阻或者M(jìn)OS管構(gòu)成的有...
碳化硅已成為國(guó)內(nèi)外汽車(chē)企業(yè)的布局重點(diǎn)
近日,據(jù)韓媒報(bào)道,多名業(yè)內(nèi)人士透露,LG集團(tuán)旗下子公司硅芯片有限公司(Silicon Works)日前宣布擴(kuò)大其半導(dǎo)體業(yè)務(wù),重點(diǎn)押注碳化硅PMIC以及MCU。
第三代半導(dǎo)體性?xún)r(jià)比優(yōu)勢(shì)日益凸顯,規(guī)模商用尚需時(shí)日
近期,阿里巴巴達(dá)摩院發(fā)布2021年十大科技趨勢(shì),“第三代半導(dǎo)體迎來(lái)應(yīng)用大爆發(fā)”位列第一。達(dá)摩院指出,第三代半導(dǎo)體的性?xún)r(jià)比優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)并正在打開(kāi)應(yīng)用市場(chǎng)。...
Vishay推出具備優(yōu)異導(dǎo)通性能且經(jīng)過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的100V汽車(chē)級(jí)P溝道MOSFET
業(yè)內(nèi)首款采用鷗翼引線結(jié)構(gòu)5 mm x 6 mm 緊湊型PowerPAK? SO-8L封裝器件,導(dǎo)通電阻僅為30 mΩ。
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