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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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本文對MOS失效原因總結以下六點,然后對1,2重點進行分析: 1、雪崩失效(電壓失效),也就是漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓,并且超過...
ROHM推出內置1700V SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉換器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”
ROHM針對這些挑戰,于2019年開始開發內置高耐壓、低損耗SiC MOSFET的插裝型AC/DC轉換器IC,并一直致力于開發出能夠更大程度地發揮SiC...
大聯大友尚集團推出基于Diodes產品的65W ACF Type-C PD3.0充電器方案
大聯大控股宣布,其旗下友尚推出基于達爾科技(Diodes)AP3306+APR347+AP43771的65W ACF Type-C PD3.0充電器解決方案。
盡管分立式功率MOSFET的幾何結構,電壓和電流電平與超大規模集成電路(VLSI)設備采用的設計方式有極大的不同,它仍然采用了與VLSI電路類似的半導體...
2021-06-15 標簽:MOSFET 3815 0
MOSFET和IGBT等功率半導體作為開關元件已被廣泛應用于各種電源應用和電力線路中。其中,SiC MOSFET在近年來的應用速度與日俱增,它的工作速度...
英飛凌EiceDRIVER? X3 Enhanced和X3 Compact柵極驅動器系列推出增強型隔離產品
應用廣泛的EiceDRIVER X3 Compact系列擁有5.5、10和14 A的驅動電流等規格,及90 ns的優化傳輸時延。
英飛凌推出EasyPACK? CoolSiC? MOSFET模塊,適用于1500V太陽能系統和ESS應用的快速開關
Easy模塊F3L11MR12W2M1_B74專為在整個功率因數(cos φ)范圍內工作而設計,它采用最先進的CoolSiC MOSFET和TRENC...
IGBT的結構 一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構,N+區稱為源區,附于其上的電極稱為源極。N+區稱為漏區。器件的控制區為柵區,附于其上的電極稱為柵極...
安森美半導體在APEC 2021發布新的用于電動車充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案
新的1200 V M1完整 SiC MOSFET 2 pack模塊,基于平面技術,適合18 V到20 V范圍內的驅動電壓,易于用負門極電壓驅動。
東芝推出新款1200V碳化硅MOSFET——TW070J120B
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN) ? ? 眾所周知,硅元素因其獨特的穩定性成為功率MOS中最常用的材料。然而隨著半導體材料的不斷發展,越來越多的化合物...
接下來我們討論一下Igs電流。 由于下拉電阻R2比柵極驅動電阻R3大很多,所以,接下來分析時忽略掉下拉電阻,這個時候就要看電容了。剛開始充電的是時候,電...
Vishay推出新型TrenchFET第五代功率MOSFET
Vishay Siliconix SiSS52DN器件采用 PowerPAK1212?8S 封裝,導通電阻低至 0.95 mΩ,優異的 FOM 僅為 2...
這個主要是Drain加反偏電壓后,使得Drain/Bulk的PN結耗盡區延展,當耗盡區碰到Source的時候,那源漏之間就不需要開啟就形成了 通路,所以...
功率半導體器件一直被廣泛應用于通信、汽車、消費電子和工業領域,特別是近年來節能減排、新能源的興起,使其市場規模持續擴大。隨著人們對環保的日益重視,行業開...
Nexperia新型40V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業應用實現更高功率密度
新型8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET將最新的高性能超結硅技術與成熟的LFPAK銅夾片技術相結合,后者因提供顯著的電氣性能和熱性能而著稱。
Vishay推出先進的30V N溝道MOSFET,進一步提升隔離和非隔離拓撲結構功率密度和能效
器件采用PowerPAK? 1212?8S封裝,導通電阻低至0.95 mW,優異的FOM僅為29.8 mW*nC。
微碩SGT工藝場效應管新品上線,關于SGT MOSFET你了解多少?
相對于MOSFET也屬于高端功率器件,但在廣大的中低壓應用當中,無論是消費類電子,還是家用電器,或是嵌入式系統和工業領域,MOSFET依然占據著巨大的市場份額。
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