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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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GaN FET如何實現(xiàn)下一代工業(yè)電源的應用設(shè)計
氮化鎵(GaN)半導體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應器金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...
由第三代 SIC MOSFET 供電的電動汽車和工業(yè)應用
意法半導體最近推出了第三代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET,針對先進的功率應用(例如 EV 動力系統(tǒng))和其他功率密度、能效和可靠性是相...
半橋LLC諧振轉(zhuǎn)換器中Si和SiC MOSFET的比較
LLC 諧振轉(zhuǎn)換器可用于各種應用,如消費電子產(chǎn)品,以及可再生能源應用,如光伏、風能、水力和地熱等。本文提供了在 3KW 中建模的 Si 和 SiC MO...
S-MOS單元技術(shù)提高了SiC MOSFET的效率
采用 SiC 作為功率器件材料的優(yōu)點之一是能夠使用許多眾所周知的硅器件原理和制造程序。基本器件拓撲包括垂直肖特基二極管或垂直功率 MOSFET(在通過 ...
適用于CSP GaN FET的簡單且高性能的熱管理解決方案?
本文將展示芯片級封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同(如果不優(yōu)于)的熱性能。由于其卓越的電氣性能,GaN FET 的尺...
本文分析了高性能肖特基勢壘二極管和 D 型 HEMT 在基于 p-GaN HEMT 的 200-V GaN-on-SOI 智能功率 IC 平臺上的成功協(xié)...
2022-07-29 標簽:MOSFETGaNdcdc轉(zhuǎn)換器 1327 0
發(fā)動機控制、智能電網(wǎng)和智能家居技術(shù)采用的增加以及對高壓設(shè)備的需求增加促進了全球柵極驅(qū)動器市場的增長。 完整的發(fā)動機控制系統(tǒng)包括電源、主機微控制器、柵極驅(qū)...
我們發(fā)現(xiàn)機架式電源對電信服務器具有一定的吸引力。即使在 5g 數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)場中,他們只需要越來越高的效率,所有輸出范圍內(nèi)的效率都超過 90%,這讓您進入鈦...
有限的電池壽命會損害智能手機用戶的自主權(quán)。盡管它們的尺寸很大,但最新的智能手機電池非常出色,但無論它們多么重要,它們的尺寸仍然有限。制造商試圖讓手機越來...
2022-07-27 標簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETusb 1984 0
SiC MOSFET在開/關(guān)切換模式下運行。然而,了解其在線性狀態(tài)下的行為是有用的,當驅(qū)動程序發(fā)生故障或設(shè)計人員為特定目的對其進行編程時,可能會發(fā)生這種情況。
適用于CSP GaN FET的簡單且高性能的熱管理解決方案?
本文將展示芯片級封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同(如果不優(yōu)于)的熱性能。由于其卓越的電氣性能,GaN FET 的尺...
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