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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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需求持續擴張,2019年中國功率半導體市場規模逾2,900億元
受益于新能源汽車、工業控制等終端市場需求大量增加,MOSFET、IGBT等多種產品持續缺貨和漲價,帶動了2018年中國功率半導體市場規模大幅成長12.7...
同步整流MOSFET的選擇,FHL300N1F2A場效應管更提升整流效率!
既然效率這么好,在國內能有什么優質MOS管使用呢?除市場中的IPT020N10N5參數型號,我們還是選擇飛虹半導體的FHL300N1F2A型號場效應管。
UnitedSiC的FET-Jet計算器讓SiC FET選擇過程不再充滿猜測
為電源設計選擇初始半導體開關可能是一件繁雜的工作。UnitedSiC的新FET-Jet CalculatorTM可以簡化這項工作并準確預測系統性能。
隨著電子技術的發展, 尤其是目前便攜式產品流行和節能環保的提倡, 電源芯片發揮的作用越來越大。電源芯片U6217S設計的開關電源具有節能環保特性,而且電...
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應管(MOS)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有(MOSFET)金氧...
瞻芯電子推出1700V SiC MOSFET助力高效輔助電源
11月27日,瞻芯電子開發的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規級可靠性認證(AEC-Q101), 導通...
TI發布NexFET MOSFET降壓轉換器TPS56221與TPS56121
德州儀器(TI)天津舉辦的模擬技術研討會上,公布了集成有NexFET MOSFET技術的兩款降壓轉換器TPS56221與TPS56121,采用22引腳5...
ROHM開發出采用4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都),開發出6款溝槽柵結構※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產品(650V/1200...
中國賽寶實驗室采用是德科技低頻噪聲測量系統進行器件可靠性研究
Keysight EDA E4727A是一款高性能的噪聲分析儀,可執行快速、精確和可重復的低頻噪聲(LFN)測量。它支持閃變噪聲和隨機電報噪聲的晶圓映...
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發出符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※1的超小型MOSFET “RV8C010UN”、“R...
Vishay推出輸入電壓為4.5V~60V的新款2A~10A器件---SiC46X
Vishay推出輸入電壓為4.5V~60V的新款2A~10A器件---SiC46X,擴充其microBUCK同步降壓穩壓器。Vishay Silicon...
SiC市場領導者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業界SiC功率器件技術的900V MOSFET平臺。
2015-09-07 標簽:MOSFETSiCC3M0065090J 2275 0
華羿微電科創板IPO獲受理!主打MOSFET功率器件,募資11億布局車規級市場
電子發燒友網報道(文/劉靜)近日,華羿微電子股份有限公司(以下簡稱:華羿微電)科創板IPO申請獲受理。 ? ? 華羿微電本次發行股票不低于7325.23...
2023-07-06 標簽:MOSFET 2254 0
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