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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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自2022年至今,從二極管到MOSFET等功率器件,再到各類用途的MCU芯片均歷經(jīng)供求反轉(zhuǎn)及大幅降價(jià)。受整體經(jīng)濟(jì)疲軟影響,消費(fèi)電子市場(chǎng)需求下滑,企業(yè)紛紛...
MCU芯片和功率半導(dǎo)體價(jià)格攀升,市場(chǎng)需求復(fù)蘇信號(hào)不明
自2022年起,諸多元件如二極管、MOSFET等功率芯片以及各類MCU隨供求關(guān)系改變而大范圍降價(jià),且同時(shí)消費(fèi)電子市場(chǎng)需求受經(jīng)濟(jì)下滑影響而下滑,企業(yè)將重點(diǎn)...
東芝半導(dǎo)體將加快開發(fā)下一代功率器件及SiC和GaN第三代半導(dǎo)體
2023年,東芝半導(dǎo)體的功率器件銷售額估計(jì)約為1000億日元,其中35%用于汽車市場(chǎng),20%用于工業(yè)市場(chǎng)。
全球知名半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia(安世半導(dǎo)體)在最近的APEC上展示了其最新的產(chǎn)品創(chuàng)新,宣布推出幾款新型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)...
2024-03-04 標(biāo)簽:MOSFET晶體管安世半導(dǎo)體 1072 0
Nexperia在APEC 2024上發(fā)布拓寬分立式FET解決方案系列
Nexperia(安世半導(dǎo)體)再次在 APEC 上展示產(chǎn)品創(chuàng)新,宣布發(fā)布幾款新型 MOSFET,以進(jìn)一步拓寬其分立開關(guān)解決方案的范圍,可用于多個(gè)終端市場(chǎng)...
三菱電機(jī)發(fā)布商用手持雙向無(wú)線電用6.5W硅射頻高功率MOSFET樣品
三菱電機(jī)集團(tuán)近日(2024年2月27日)宣布,將于2月28日開始提供其新型6.5W硅射頻(RF)高功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)樣品,...
薩科微推出SL40T120FL系列IGBT單管和CMOS運(yùn)算放大器SLA333等產(chǎn)品
深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司一直研究新材料新工藝,不斷推出新產(chǎn)品,驅(qū)動(dòng)公司不斷發(fā)展。
2024-02-28 標(biāo)簽:CMOSMOSFET運(yùn)算放大器 983 0
意法半導(dǎo)體推出功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器
意法半導(dǎo)體(下文為ST)的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 標(biāo)簽:微控制器MOSFET驅(qū)動(dòng)器 1343 0
GaN在應(yīng)用太空工業(yè)中的應(yīng)用
在新一代電力電子技術(shù)領(lǐng)域,氮化鎵(GaN)技術(shù)因其出色的抗輻射能力和卓越的電氣性能,已成為太空任務(wù)的革命性突破的關(guān)鍵。氮化鎵 (GaN) 技術(shù)已成為天基...
CIAS2024年度功率器件及模組類及優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商金翎獎(jiǎng)“評(píng)選揭曉”
CIAS2024年度功率器件及模組類及優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商"金翎獎(jiǎng)“評(píng)選,旨在發(fā)掘具有前瞻性、創(chuàng)新性和引領(lǐng)性的對(duì)中國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生重大影響的新技術(shù)、...
2024年2月28日,備受矚目的第二屆中國(guó)國(guó)際新能源汽車技術(shù)零部件及服務(wù)展覽會(huì)將在北京·中國(guó)國(guó)際展覽中心(順義新館W1館)拉開帷幕。作為新能源汽車領(lǐng)域的...
亞成微汽車電氣智能化解決方案將亮相北京2024新能源汽車技術(shù)展
2月28日,第二屆中國(guó)國(guó)際新能源汽車技術(shù)零部件及服務(wù)展覽會(huì),將在北京·中國(guó)國(guó)際展覽中心(順義新館W1館)舉辦。該展會(huì)是從設(shè)計(jì)到制造、從使用到服務(wù)的專業(yè)全...
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,在新一代[1]具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI(...
Vishay推出多功能新型30 V N溝道TrenchFET第五代功率MOSFET
Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET,進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度,增...
2024-02-22 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETVishay 1067 1
揚(yáng)杰科技新能源車用IGBT、SiC模塊封裝項(xiàng)目完成簽約
近日,在江蘇省揚(yáng)州市邗江區(qū)維揚(yáng)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)先進(jìn)制造業(yè)項(xiàng)目新春集中簽約儀式上,揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱揚(yáng)杰科技)新能源車用IGBT、碳化硅(S...
Qorvo借助SiC FET獨(dú)特優(yōu)勢(shì),穩(wěn)固行業(yè)領(lǐng)先地位
在產(chǎn)品研發(fā)方面,2023年,Qorvo宣布采用具備業(yè)界最低RDS(on)(5.4mΩ)的TOLL封裝750V FET,這是任何其它功率半導(dǎo)體技術(shù)(如硅基...
重慶公布SiC重大項(xiàng)目 三安2個(gè)工廠即將點(diǎn)亮投產(chǎn)
昨天,“行家說(shuō)三代半”報(bào)道了三安在重慶的2個(gè)碳化硅項(xiàng)目進(jìn)展(.點(diǎn)這里.),今天,三安又公布了最新的項(xiàng)目消息
西電郝躍院士團(tuán)隊(duì)在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進(jìn)展
近日,西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊(duì)劉艷教授和羅拯東副教授在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進(jìn)展,相
西安電子科技大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)超陡垂直晶體管研究獲新突破
當(dāng)今,集成電路生產(chǎn)工藝正在進(jìn)入亞5納米的階段,這使得理解傳統(tǒng)的晶體管尺寸縮小的方法已經(jīng)無(wú)法再滿足“器件-芯片”性能提升與成本控制的要求。因此,理論界和工...
IGBT和MOSFET在對(duì)飽和區(qū)的定義差別
IGBT和MOSFET在對(duì)飽和區(qū)的定義差別? IGBT和MOSFET是傳輸電力和控制電流的重要電子器件。它們?cè)谠S多電力電子應(yīng)用中起著關(guān)鍵的作用。飽和區(qū)是...
2024-02-18 標(biāo)簽:MOSFETIGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3244 1
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