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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MT3287 N溝道場效應(yīng)管70V,80A,6.8mΩ。
MT3287 N溝道場效應(yīng)管是一款高性能的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和系統(tǒng)中。其獨特的70V耐壓、80A的電流承載能力以及6.8毫歐的低電阻特性...
2024-07-04 標簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 1225 0
2024英飛凌寬禁帶論壇倒計時丨多款創(chuàng)新產(chǎn)品首次亮相
英飛凌致力于通過其創(chuàng)新的寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體技術(shù)推進可持續(xù)能源解決方案。本次英飛凌寬禁帶論壇將首次展出多款CoolSiC創(chuàng)新產(chǎn)品,偕同英飛凌智能家居方...
江西薩瑞微電子亮相2024泰國電子展,圓滿收官,感謝一路同行!
我們在2024年泰國國際電子元器件及生產(chǎn)設(shè)備展會上,順利地落下了帷幕。這次展會對我們來說,可以說是收獲滿滿,精彩不斷。現(xiàn)在就讓我們一起回顧一下這段難忘的...
Nexperia 2N7002BK,215 N溝道MOSFET中文參數(shù)資料_封裝尺寸_焊腳說明
Nexperia2N7002BK,215N溝道MOSFET是一款高效能的Trench MOSFET,設(shè)計用于表面貼裝技術(shù),適合各種高頻和高效能的應(yīng)用。其...
2024-07-01 標簽:繼電器MOSFET數(shù)據(jù)傳輸 1322 0
意法半導(dǎo)體引領(lǐng)車規(guī)功率開關(guān)新紀元:VNF9Q20F系列正式量產(chǎn)
在科技日新月異的今天,汽車電子領(lǐng)域正迎來一場革命性的變革。2024年6月27日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectron...
2024-06-28 標簽:MOSFET功率開關(guān)意法半導(dǎo)體 884 0
在新能源市場迅猛發(fā)展的浪潮中,功率器件作為電力電子變換系統(tǒng)的核心部件,其能效和封裝性能的提升顯得尤為重要。為了滿足市場對高性能功率器件的迫切需求,揚杰科...
基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET通過車規(guī)級認證,為汽車電子注入新動力
近日,中國半導(dǎo)體行業(yè)的佼佼者——基本半導(dǎo)體公司,再次在科技領(lǐng)域邁出堅實步伐。該公司自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET AB2M080120...
2024-06-26 標簽:MOSFET碳化硅基本半導(dǎo)體 1239 0
本土IDM廠商SiC MOSFET新進展,將應(yīng)用于車載電驅(qū)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)2024年已過半,可以發(fā)現(xiàn)800V平臺電動汽車在近半年時間里降本效應(yīng)明顯,最低價的800V平臺車型極狐阿爾法T5和小鵬G6...
替代LTC4449高速同步N道溝MOSFET柵極驅(qū)動器
1.?產(chǎn)品特性 ??15ns 典型傳播延遲 ??5ns 高側(cè)/低側(cè)匹配 ??軌至軌柵極驅(qū)動 ??自適應(yīng)死區(qū)和直通保護 ??3A 峰值拉電流和 4.5A?...
瞻芯電子SiC MOSFET技術(shù)新突破,車規(guī)級產(chǎn)品正式量產(chǎn)
在半導(dǎo)體技術(shù)的浪潮中,上海瞻芯電子科技股份有限公司(簡稱“瞻芯電子”)以其卓越的研發(fā)實力和不懈的創(chuàng)新精神,再次書寫了行業(yè)的新篇章。近日,瞻芯電子基于第三...
瞻芯電子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通過車規(guī)級可靠性測試認證
近日,上海瞻芯電子科技股份有限公司(簡稱“瞻芯電子”)基于第三代工藝平臺開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品(IV3Q12013T4...
瑞能半導(dǎo)體亮相閃耀SNEC,展現(xiàn)光伏領(lǐng)域創(chuàng)新成果
本屆SNEC展會規(guī)模空前,首次展館設(shè)置在國家會展中心,展覽面積從去年的27萬㎡拓展至如今的40萬㎡,吸引了來自全球95個國家和地區(qū)的3100多家展商以及...
2024-06-22 標簽:MOSFET瑞能半導(dǎo)體光伏儲能 953 0
安世半導(dǎo)體受邀參加2024第三代半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新發(fā)展論壇
在高頻高壓應(yīng)用領(lǐng)域,寬禁帶材料不可替代的優(yōu)勢正在加速相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與落地應(yīng)用。制造技術(shù)的進步,也讓其成本更有競爭力。需求拉動疊加成本降低,寬禁帶半導(dǎo)體的...
2024-06-19 標簽:MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體安世半導(dǎo)體 1296 0
ROHM發(fā)布創(chuàng)新TRCDRIVE pack模塊,助力xEV逆變器升級
全球半導(dǎo)體制造巨頭ROHM(總部位于日本京都市)近日宣布,面向300kW以下的xEV(電動汽車)用牽引逆變器,成功開發(fā)出了一款革命性的二合一SiC封裝型...
MOT MOSFET:PC電源應(yīng)用,打造高效能低損耗新篇章
PC電源應(yīng)用仁懋MOSFET產(chǎn)品隨著科技的飛速發(fā)展,我們見證了PC中央處理器(CPU)功耗的持續(xù)下降,但與此同時,GPU功耗的迅猛增長卻給PC整體功耗控...
IGBT是一種晶體管結(jié)構(gòu),由MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)控制Bipolar雙極晶體管的開關(guān)動作。發(fā)熱量巨大的電子器件、芯片、MOSFET...
基本半導(dǎo)體攜多款碳化硅新品精彩亮相2024 SNEC國際光伏展
? 6月13-15日,SNEC第十七屆(2024)國際太陽能光伏與智慧能源大會暨展覽會在國家會展中心(上海)隆重舉辦。本屆展會匯聚了超過3500家全球光...
三菱電機集團近日宣布推出兩款新型低電流版本的肖特基勢壘二極管(SBD)嵌入式SiC-MOSFET模塊,以滿足大型工業(yè)設(shè)備市場對高性能逆變器日益增長的需求...
三菱電機集團近日宣布,從6月10日起開始為包括鐵路和電力系統(tǒng)在內(nèi)的大型工業(yè)設(shè)備提供低電流版本3.3kV/400A和3.3kV/200A肖特基勢壘二極管(...
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