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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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12V2A的常規(guī)隔離開(kāi)關(guān)電源
根據(jù)具體要求來(lái)選擇相應(yīng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu);這樣的一個(gè)開(kāi)關(guān)電源多選擇反激式(flyback)基本上可以滿足要求。在這里我會(huì)更多的選擇是經(jīng)驗(yàn)公式來(lái)計(jì)算,有需要分析的...
2023-01-05 標(biāo)簽:變壓器開(kāi)關(guān)電源MOS 2191 0
來(lái)源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū)? 目前,在設(shè)計(jì)中使用的主要有3種電阻器:多晶硅、mos管以及電容電阻。在設(shè)計(jì)中,要根據(jù)需要靈活運(yùn)用這3種電阻,使芯片的設(shè)計(jì)達(dá)到最優(yōu)...
第一個(gè)作用好理解,這里解釋一下第二個(gè)作用的原理。保護(hù)柵極G~源極S,場(chǎng)效應(yīng)管的G-S極間的電阻值是很大的,這樣只要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效...
晶揚(yáng)電子順利通過(guò)IECQ QC080000體系認(rèn)證
2022年11月晶揚(yáng)電子順利通過(guò)IECQ QC080000:2017認(rèn)證,這不僅標(biāo)志著晶揚(yáng)電子的產(chǎn)品達(dá)到了認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)要求,更展現(xiàn)了公司在社會(huì)環(huán)境保護(hù)方面的...
使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)的注意事項(xiàng)
場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,而晶體管是既利用多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,由于少數(shù)載流子的濃度對(duì)溫度、輻射等外界條件很敏感,因此,對(duì)于環(huán)境變化較大...
2022-12-09 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管晶體管MOS 2114 0
影響第三代半導(dǎo)體SiC MOS閾值電壓不穩(wěn)定的因素有哪些?如何應(yīng)對(duì)?
由于SiC MOSFET與Si MOSFET特性的不同,SiC MOSFET的閾值電壓具有不穩(wěn)定性,在器件測(cè)試過(guò)程中閾值電壓會(huì)有明顯漂移,導(dǎo)致其電性能測(cè)...
MOS的三個(gè)極怎么判定?是N溝道還是P溝道? MOS是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Ef...
2023-11-30 標(biāo)簽:晶體管MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2084 0
電流控制模式升壓轉(zhuǎn)換器FP6296簡(jiǎn)介
FP6296是一顆電流控制模式升壓轉(zhuǎn)換器,脈波寬度調(diào)變(PWM),內(nèi)置15m?/10A/14V MOS,能做大功率高轉(zhuǎn)換效率,周邊元件少節(jié)省空間,適合用...
預(yù)計(jì)112家半導(dǎo)體公司盈利570億元 8家虧損29億元
2020年,在5G、智能化、新基建等新興應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)下,半導(dǎo)體行業(yè)景氣度持續(xù)提升。受益于經(jīng)濟(jì)“雙循環(huán)”和國(guó)產(chǎn)化替代的浪潮,國(guó)內(nèi)大部分半導(dǎo)體公司訂單需求增長(zhǎng)...
高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,讓電機(jī)控制更高效
深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司,是集設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)制造、銷(xiāo)售服務(wù)一體的高科技企業(yè),“Slkor”品牌被廣大同行和客戶接受,是國(guó)內(nèi)快速穩(wěn)健發(fā)展的半導(dǎo)體企業(yè)之一...
2023-04-10 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電機(jī)控制 1977 0
作為第三代功率半導(dǎo)體的絕世雙胞胎,氮化鎵MOS管和碳化硅MOS管日益受到業(yè)界特別是電氣工程師的關(guān)注。電氣工程師之所以如此關(guān)注這兩種功率半導(dǎo)體,是因?yàn)樗鼈?..
2023-10-07 標(biāo)簽:MOS氮化鎵功率半導(dǎo)體 1958 0
80V TMBS Trench MOS勢(shì)壘肖特基整流器
80V TMBS Trench MOS勢(shì)壘肖特基整流器 日前,Vishay Intertechnology, I...
DW03D 單節(jié)鋰離子/鋰聚合物電池保護(hù)IC 內(nèi)置MOS
概述 DW03D產(chǎn)品是單節(jié)鋰離子/鋰聚合物可充電電池組保護(hù)的高集成度解決方案。DW03D包括了先進(jìn)的功率MOSFET,高精度的電壓檢測(cè)電路和延時(shí)電路。 ...
FP7195大功率零壓差全程無(wú)頻閃調(diào)光DC-DC恒流芯片,千分之一調(diào)光深度
FP7195是一個(gè)外置N-MOSFET的LED驅(qū)動(dòng)IC。 由于FP7195采用高壓端點(diǎn)電流偵測(cè),而且IC補(bǔ)償回路采用電流模式,具有優(yōu)異的動(dòng)態(tài)響應(yīng)又能簡(jiǎn)化...
MOT仁懋TOLL封裝MOS,引領(lǐng)綠色能源新紀(jì)元
MOTTOLL產(chǎn)品綠色新能源MOT仁懋TOLL封裝MOS在藍(lán)天白云、綠水青山的呼喚下,全球正迎來(lái)一場(chǎng)能源革命。隨著能源危機(jī)的日益緊迫和環(huán)保意識(shí)的深入人心...
在電子電路中,MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管,...
2023-03-03 標(biāo)簽:IGBTMOS開(kāi)關(guān)元件 1897 0
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM由于是利用觸發(fā)器電路作為存儲(chǔ)單元,只要不切斷其供電電源,它就能永遠(yuǎn)保存所寄存的數(shù)據(jù)信息。因此. SRAM與通常的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存...
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