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MOS管,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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NP2302FVR-YB(20v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2302FVR-YB使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門(mén)和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這個(gè)設(shè)備適用于使用作為PWM負(fù)荷開(kāi)關(guān)或應(yīng)用程序。
NP2302FVR-J(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2302FVR-J使用先進(jìn)的海溝技術(shù) 提供優(yōu)秀的RDS()、低門(mén)和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這個(gè)設(shè)備適合作為負(fù)荷開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
NP2302FHR(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2302FHR使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門(mén)和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
NP2302FVR(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2302FVR使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門(mén)和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
超結(jié)MOS管65R380的特點(diǎn)及應(yīng)用領(lǐng)域
超結(jié)MOS也叫COOlMOS,是在普通MOS基礎(chǔ)上使用新型超結(jié)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的MOS管。超結(jié)MOS管主要在500V、600V、650V及以上高電壓場(chǎng)合使用。
NP2302DVR(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2302D使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門(mén)和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
NP2302CVR(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2302C使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門(mén)和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
NP2302DHR(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2302DHR使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門(mén)和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
NP2300VR-M(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2300VR-M使用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS(上)、低門(mén)電荷和高密度細(xì)胞設(shè)計(jì)超低導(dǎo)通電阻。本設(shè)備適用于作為負(fù)載 在PWM開(kāi)關(guān)或應(yīng)用程序。
NP2300MR使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門(mén)和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
NP2300BHR(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2300BHR使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門(mén)和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
NP2300HR(20v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2300HR-G使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門(mén)和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這個(gè)設(shè)備 適合作為負(fù)荷開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
在實(shí)際應(yīng)用中如果要說(shuō)哪款又便宜又可靠的MOS管當(dāng)屬2N7002,2N7002屬于N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管。具有抗沖擊能力強(qiáng),輸出效率高,成本低等特點(diǎn)。仁懋電...
NP2012(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2012使用先進(jìn)的海溝技術(shù) 提供優(yōu)秀的RDS(上)、低門(mén)和收費(fèi) 操作門(mén)電壓2.5 v。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
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