mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

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威兆MOS在光伏優(yōu)化器中的應(yīng)用

威兆VitoMOS系列產(chǎn)品支持設(shè)計者多樣高效的設(shè)計方案，可以滿足MPPT單路或多路光伏優(yōu)化器方案的設(shè)計要求。

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2023-11-30 標(biāo)簽：三極管電容器 MOS管 1727 0

XL6012+LM358升壓恒流輸出驅(qū)動LED方案

本文介紹 XL6012 加運(yùn)放 LM358 實(shí)現(xiàn)升壓恒流輸出驅(qū)動 LED 方案，此方案具有優(yōu)秀的線性調(diào)整率與負(fù)載調(diào)整率，同時具有輸出功率大（12V 輸入...

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如何用MOS設(shè)計分立式電平轉(zhuǎn)換系統(tǒng)？

引言：當(dāng)傳統(tǒng)設(shè)備與使用較小電平的新設(shè)備連接時，需要進(jìn)行邏輯電平轉(zhuǎn)換。

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MOSFET與三極管的ON狀態(tài)區(qū)別

MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET...

2022-12-06 標(biāo)簽：三極管 MOSFET MOS管 1711 0

MOS管散熱片設(shè)計如何影響EMC表現(xiàn)

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只需要5個主要器件的“王炸”保護(hù)電路

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鋰電池保護(hù)板MOS管應(yīng)用方案：100N8F6A

具有120A、85V的電流、電壓， 7、RDS(on) = 6.5mΩ(MAX) @VGS = 10 V，RDS(on) =5.3mΩ(TYP) @VG...

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電源模塊的降額曲線簡析

今天想寫這篇文章來分享在前段時間了解的一個知識點(diǎn)——電源模塊的降額曲線。

2023-09-07 標(biāo)簽：變壓器電感器 MOS管 1696 0

MOSFET數(shù)據(jù)手冊常見參數(shù)解析——EASIGSS/Rds（on）/Coss

2023-06-19 標(biāo)簽：MOSFET MOS管參數(shù) 1694 0

電子火折子的電路原理分析

看古裝劇時，不時可以看到這樣的場景：有人從懷里掏出一個“火折子”，對著吹一吹就點(diǎn)著了火，覺得很神奇。

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正確使用三極管和MOS管

三極管是電流控制器件，用基極電流的變化控制集電極電流的變化。有NPN型三極管和PNP型三極管兩種。

2023-03-14 標(biāo)簽：三極管 MOS管 NMOS 1690 0

關(guān)于同步整流芯片參數(shù)適配的經(jīng)驗(yàn)

更換同步整流控制IC后啟機(jī)效率明顯降低，首先從同步整流工作異常開始著手測量。如圖1所示，在同步整流驅(qū)動波形測量的同時用熱成像儀測量同步整流MOS管的溫度...

2024-04-26 標(biāo)簽：開關(guān)電源 MOS管熱成像儀 1682 0

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在MOSFET的柵極前增加一個電阻？ MOS管是電壓型控制器件，一般情況下MOS管的導(dǎo)通，只需要控制柵極的電壓超過其開啟閾值電壓即可，并不需要柵極電流。

2024-04-11 標(biāo)簽：電阻 MOSFET MOS管 1679 0

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MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化層半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）作為電子工...

2024-09-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管晶體管 1678 0

共源MOS放大器的CGD分布電容—極點(diǎn)裂變的效果

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高頻加熱MOS管，即高頻感應(yīng)加熱用MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是...

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介紹下18W內(nèi)置4A MOS電源管理ic U6237D

18W電源管理ic U6237D是一款高性能原邊控制器，可提供高精度恒壓和恒流輸出性能，尤其適合于小功率離線式充電器應(yīng)用中。

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2023-10-02 標(biāo)簽：MOS管電池電壓 GPIO 1670 0

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